增大后腔的硅电容麦克风制造技术

本实用新型专利技术公开了一种增大后腔的硅电容麦克风，包括外壳和线路板构成的硅电容麦克风的保护结构，所述保护结构内部安装有ＭＥＭＳ声电转换芯片，所述保护结构上设有连通所述ＭＥＭＳ声电转换芯片外部空间的声孔，所述保护结构内部的线路板表面上安装有与其表面密闭结合的盖子，所述盒子包括带有空腔的凸起部和设置有透气孔的平坦部，所述平坦部上安装有所述ＭＥＭＳ声电转换芯片，所述盖子底面和所述线路板表面的结合部设置有透气通道，所述凸起部上安装有集成电路芯片。本实用新型专利技术可以有效的增加ＭＥＭＳ声电转换芯片后方的空气空间（后腔），没有过多地增加产品的高度，而产品的平面面积也没有因为盖子的添加而变大。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
增大后腔的硅电容麦克风，包括外壳和线路板，所述外壳和所述线路板构成硅电容麦克风的保护结构，所述保护结构内部安装有ＭＥＭＳ声电转换芯片，所述保护结构上设有连通所述ＭＥＭＳ声电转换芯片外部空间的声孔，其特征在于：所述保护结构内部的线路板表面上安装有包括一个平坦部和一个凸起部的盖子，所述盖子的周边和所述线路板表面密闭结合，所述凸起部内部空间形成一个空腔，所述平坦部上设置有至少一个透气孔，所述透气孔上方的所述平坦部上安装有所述ＭＥＭＳ声电转换芯片，所述盖子底面和所述线路板表面的结合部设置有连通所述透气孔和所述空腔的透气通道，所述凸起部上安装有集成电路芯片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋青林，庞胜利，谷芳辉，
申请(专利权)人：歌尔声学股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：37[中国|山东]