一种扬声器和扩音设备制造技术

技术编号:37779498 阅读:14 留言:0更新日期:2023-06-09 09:10
本发明专利技术实施例公开了一种扬声器和扩音设备,扬声器包括振膜和波导结构;振膜为弧形结构,波导结构半覆盖设置于振膜上方;波导结构靠近振膜的一侧为与振膜形状一致的曲面,波导结构与振膜之间间隔第一预设距离。本申请通过改变波导结构的形状与振膜相一致,并将波导结构半覆盖在振膜之上,解决了现有技术中高音扬声器的高音辐射角度同听音角度不匹配导致的高频缺失或高频音色偏弱的技术问题,使得扬声器的辐射角在应用频率段限制在90度内,或不限于90度的方向可调辐射角,实现了辐射角可变、辐射角中心线可控且高频音色损失小的技术效果。果。果。

【技术实现步骤摘要】
一种扬声器和扩音设备


[0001]本专利技术实施例涉及扬声器
,尤其涉及一种扬声器和扩音设备。

技术介绍

[0002]高音扬声器由于辐射声波波长短,指向性强,导致听音时,只有在高音扬声器的正前方才能拾取较优的声音效果,而方向的偏移会导致声压逐渐减小,听感不佳。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种扬声器和扩音设备,解决了现有技术中高音扬声器的高音辐射角度同听音角度不匹配导致的高频缺失或高频音色偏弱的技术问题。
[0004]本专利技术实施例提供了一种扬声器,所述扬声器包括振膜和波导结构;
[0005]所述振膜为弧形结构,所述波导结构半覆盖设置于所述振膜上方,其中,所述弧形结构包括以下之一:椭圆弧形、圆弧形、抛物线形;
[0006]所述波导结构靠近所述振膜的一侧为与所述振膜形状一致的曲面,所述波导结构与所述振膜之间间隔第一预设距离。
[0007]进一步地,所述扬声器还包括预设共振频率的赫姆霍兹共鸣器,其中,所述预设共振频率依据所述扬声器前腔产生的驻波的频率确定得到;
[0008]所述赫姆霍兹共鸣器内嵌于所述波导结构内,用于吸收所述扬声器前腔产生的驻波。
[0009]进一步地,所述波导结构覆盖所述振膜的面积占所述振膜面积的2/3~3/4。
[0010]进一步地,所述振膜的中心点处到所述波导结构之间的所述第一预设距离其中,x为所述振膜在额定功率下的最大振动位移。
[0011]进一步地,所述赫姆霍兹共鸣器包括短管与腔体;
>[0012]所述短管的尺寸基于所述波导结构的尺寸确定得到,其中,所述短管的直径为1

3mm,所述短管的长度为1

3mm;
[0013]所述腔体的尺寸基于赫姆霍兹共振谐振频率理论确定得到。
[0014]进一步地,当所述短管的直径d0为1mm,所述短管的长度L为1.5mm,所述预设共振频率为9000Hz时,基于所述赫姆霍兹共振谐振频率理论公式确定所述腔体的体积V=12.726mm3,其中,f0为所述赫姆霍兹共鸣器的共振频率,S为所述短管的截面积,S=π(d0/2)2,ΔL=nd0,n为经验参数,c为声速。
[0015]进一步地,所述短管与所述腔体的一个表面相连接,或者,所述短管嵌入所述腔体中。
[0016]进一步地,所述扬声器还包括两个骨架和两个音圈,两个所述骨架与所述振膜相连接,分别设置于所述振膜的两侧;
[0017]两个所述音圈分别设置于两个所述骨架上。
[0018]进一步地,所述扬声器还包括两个盆架,两个所述盆架分别设置于所述扬声器的两侧,所述波导结构与一个所述盆架相连接。
[0019]进一步地,所述扬声器还包括导磁片、磁铁和磁碗;
[0020]所述磁碗为凹形结构,所述磁碗设置于两个所述盆架之间;
[0021]所述磁铁设置于所述磁碗内,所述导磁片设置于所述磁铁上;
[0022]所述振膜通过两个所述骨架设置于所述导磁片上方。
[0023]进一步地,所述扬声器还包括两个折环结构,所述振膜通过两个所述折环结构分别与两个所述盆架相连接;
[0024]所述折环结构的形状为以下之一:凸帽结构、凹帽结构、平板结构。。
[0025]本专利技术实施例还提供了一种扩音设备,所述扩音设备包括上述任意实施例中的扬声器。
[0026]本专利技术实施例公开了一种扬声器和扩音设备,扬声器包括振膜和波导结构;振膜为弧形结构,波导结构半覆盖设置于振膜上方;波导结构靠近振膜的一侧为与振膜形状一致的曲面,波导结构与振膜之间间隔第一预设距离。本申请通过改变波导结构的形状与振膜相一致,并将波导结构半覆盖在振膜之上,解决了现有技术中高音扬声器的高音辐射角度同听音角度不匹配导致的高频缺失或高频音色偏弱的技术问题,使得扬声器的辐射角在应用频率段限制在90度内,或不限于90度的方向可调辐射角,实现了辐射角可变、辐射角中心线可控且高频音色损失小的技术效果。
附图说明
[0027]图1是本专利技术实施例提供的振膜外侧无遮挡的扬声器的结构图;
[0028]图2是本专利技术实施例提供的一种振膜外侧无遮挡的扬声器的声压级曲线图;
[0029]图3是本专利技术实施例提供的振膜外侧无遮挡的扬声器的偏轴与正轴的声压级差值对比图;
[0030]图4是本专利技术实施例提供的一种扬声器的结构图;
[0031]图5是本专利技术实施例提供的扬声器设置于屏幕上的示意图;
[0032]图6是本专利技术实施例提供的设置有曲面波导的扬声器的声压级曲线图;
[0033]图7是本专利技术实施例提供的另一种扬声器的结构图;
[0034]图8是本专利技术实施例提供的未设置赫姆霍兹共鸣器的扬声器的仿真声压云图;
[0035]图9是本专利技术实施例提供的设置有赫姆霍兹共鸣器的扬声器的仿真声压云图;
[0036]图10是本专利技术实施例提供的一种赫姆霍兹共鸣器的结构图;
[0037]图11是本专利技术实施例提供的另一种赫姆霍兹共鸣器的结构图;
[0038]图12是本专利技术实施例提供的又一种赫姆霍兹共鸣器的结构图;
[0039]图13是本专利技术实施例提供的增加了赫姆霍兹共鸣器后的声压级曲线图;
[0040]图14是本专利技术实施例提供的不同结构的赫姆霍兹共鸣器的声阻尼曲线;
[0041]图15是本专利技术实施例提供的不同结构的赫姆霍兹共鸣器的声压级曲线图;
[0042]图16是本专利技术实施例提供的增加赫姆霍兹共鸣器后声能量的指向性图;
[0043]图17是本专利技术实施例提供的增加赫姆霍兹共鸣器前后声压级的对比曲线图;
[0044]图18是本专利技术实施例提供的凸帽结构的折环结构的示意图;
[0045]图19是本专利技术实施例提供的凹帽结构的折环结构的示意图;
[0046]图20是本专利技术实施例提供的平板结构的折环结构的示意图。
具体实施方式
[0047]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术,而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0048]需要说明的是,本专利技术的说明书和权利要求书及附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象,而不是用于限定特定顺序。本专利技术下述各个实施例可以单独执行,各个实施例之间也可以相互结合执行,本专利技术实施例对此不作具体限制。
[0049]由于配置在电视机上的高音扬声器,其有效使用方向是有一定角度的,一般能够拾取到的声音是扬声器正向到偏轴90度左右范围内。一般情况下,如图1所示,高音扬声器的振膜直接暴露在外,其外侧无遮挡,可以对外直接辐射声音,这样的扬声器在0

90
°
角度内声音拾取的效果如图2所示,可见其声压级曲线差异大,比较离散,不够聚拢。说明用户站立在不同位置,对高音的拾取会有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扬声器,其特征在于,所述扬声器包括振膜和波导结构;所述振膜为弧形结构,所述波导结构半覆盖设置于所述振膜上方,其中,所述弧形结构包括以下之一:椭圆弧形、圆弧形、抛物线形;所述波导结构靠近所述振膜的一侧为与所述振膜形状一致的曲面,所述波导结构与所述振膜之间间隔第一预设距离。2.根据权利要求1所述的扬声器,其特征在于,所述扬声器还包括预设共振频率的赫姆霍兹共鸣器,其中,所述预设共振频率依据所述扬声器前腔产生的驻波的频率确定得到;所述赫姆霍兹共鸣器内嵌于所述波导结构内,用于吸收所述扬声器前腔产生的驻波。3.根据权利要求1所述的扬声器,其特征在于,所述波导结构覆盖所述振膜的面积占所述振膜面积的2/3~3/4。4.根据权利要求1所述的扬声器,其特征在于,所述振膜的中心点处到所述波导结构之间的所述第一预设距离其中,x为所述振膜在额定功率下的最大振动位移。5.根据权利要求2所述的扬声器,其特征在于,所述赫姆霍兹共鸣器包括短管与腔体;所述短管的尺寸基于所述波导结构的尺寸确定得到,其中,所述短管的直径为1

3mm,所述短管的长度为1

3mm;所述腔体的尺寸基于赫姆霍兹共振谐振频率理论确定得到。6.根据权利要求5所述的扬声器,其特征在于,当所述短管的直径d0为1mm,所述短管的长度L为1.5mm,所述预设共振频率为9000Hz...

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡苗谢守华黄汉雄彭林梓谭晓力
申请(专利权)人:国光电器股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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