电子封装件及其制法制造技术

本发明专利技术涉及一种电子封装件及其制法，包括一具有多个导电体的电子结构、多个导电柱、一包覆该多个导电体与该多个导电柱的保护层、以及一包覆该电子结构、该保护层与该多个导电柱的包覆层，以当针对该包覆层进行整平制程时，该导电柱与导电体的周围因受该保护层的限制而不会产生铜延展，使该导电柱与该导电体不会向外扩展出丝状结构，故可避免于后续电性检测时发生短路的问题。时发生短路的问题。时发生短路的问题。

【技术实现步骤摘要】
电子封装件及其制法


[0001]本专利技术有关一种半导体装置，尤指一种电子封装件及其制法。

技术介绍

[0002]为了确保电子产品和通信设备的持续小型化和多功能性，半导体封装需朝尺寸微小化发展，以利于多引脚的连接，并具备高功能性。例如，于先进制程封装中，常用的封装型式如2.5D封装制程、扇出(Fan
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Out)布线配合嵌埋桥接(Embedded Bridge)元件的制程(简称FO
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EB)等，其中，FO
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EB相对于2.5D封装制程具有低成本及材料供应商多等优势。
[0003]图1为现有FO
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EB的半导体封装件1的剖面示意图。该半导体封装件1于一具有线路层140的基板结构14上设置第一半导体芯片11(经由粘胶12)与多个导电柱13，再以一第一封装层15包覆该第一半导体芯片11与该些导电柱13，之后于该第一封装层15上形成一电性连接该第一半导体芯片11与该些导电柱13的线路结构10，以于该线路结构10上设置多个电性连接该线路结构10的第二半导体芯片16，并以一第二封本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子封装件，其特征在于，包括：包覆层；电子结构，其嵌埋于该包覆层中且具有多个导电体；多个导电柱，其嵌埋于该包覆层中；以及保护层，其嵌埋于该包覆层中并包覆该多个导电体及该多个导电柱，且令该多个导电体的部分表面及该多个导电柱的部分表面外露出该保护层及该包覆层。2.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该包覆层的一表面齐平该保护层的一表面、该导电柱的端部的表面与该导电体的端面。3.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该多个导电柱相邻的间距小于150微米。4.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，形成该保护层的材料为绝缘材。5.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该保护层包覆该导电柱的端部而未包覆该导电柱的全部。6.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该保护层包覆该导电柱的长度大于该保护层包覆该导电体的长度。7.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该保护层的硬度大于该导电体的硬度。8.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该保护层的硬度大于该导电柱的硬度。9.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该保护层的硬度大于400Mpa。10.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括形成于该包覆层与该保护层上且电性连接该多个导电柱与该多个导电体的线路结构。11.如权利要求10所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括配置于该线路结构上且电性连接该线路结构的电子元件。12.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括形成于该包覆层上的布线结构，且令该布线结构电性连接该多个导电柱与该电子结构。13.如权利要求12所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括形成于该布线结构上且电性连接该布线结构的多个导电元件。14.一种电子封装件的制法，其特征在于，包括：于一承载件上配置多个导电柱及一具有多个导电体的电子结构；将保护层形成于该电子结构及该多个导电柱上，以令该保护层包覆该多个导电体及该多个导电柱；于该承载件上形成一包覆层，以使该包覆层包覆该电子结构、该保...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泳达，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：