一种晶体生长设备控制方法及系统技术方案

本申请涉及晶体制备设备技术领域，提供一种晶体生长设备控制方法及系统。通过根据晶体类型、晶体生长量、粉体配比，基于智能匹配分析模型进行热场参数匹配获得动态热场变化序列，进一步结合晶体类型、晶体生长量、粉体配比进行生长参数聚类，基于聚类结果划分晶体生长监控周期，根据晶体生长监控周期划分结果、动态热场变化序列结合各周期晶体生长实时状态，构建长晶参数优化空间，基于优化参数组合控制晶体生长设备。解决现有技术中存在对于晶体生长制备设备的控制精度不足，导致基于晶体生长设备生产所获晶体与实际制备需求不适配的技术问题，实现提高对于晶体生长制备设备的控制精度，提高生产所获晶体与实际制备需求的适配度的技术效果。的技术效果。的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长设备控制方法及系统


[0001]本申请涉及晶体制备设备
，特别是涉及一种晶体生长设备控制方法及系统。

技术介绍

[0002]随着热力学、统计物理的发展以及在晶体生长领域的广泛应用，晶体生长问题得到了长足解决，晶体逐步发展成为材料科学的一大重要分支。
[0003]现阶段用于晶体制备的晶体生长设备技术发展相对成熟，但是实际基于晶体生长设备进行晶体制备时，实际设备控制仍多依赖于人工经验，存在晶体生长设备控制精度和控制有效性不足的缺陷，而这一缺陷往往造成基于晶体生长设备生产所获晶体与实际制备晶体类型要求、晶体生长量要求不匹配。
[0004]综上所述，现有技术中存在对于晶体生长制备设备的控制精度不足，导致基于晶体生长设备生产所获晶体与实际制备需求不适配的技术问题。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够实现提高对于晶体生长制备设备的控制精度，提高生产所获晶体与实际制备需求的适配度的一种晶体生长设备控制方法及系统。
[0006]一种晶体生长设备控制方法，方法包括：获取本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长设备控制方法，其特征在于，所述方法包括：获取待制备晶体基本参数，其中，基本参数包括晶体类型、晶体生长量、粉体配比；根据所述晶体类型、晶体生长量、粉体配比，基于智能匹配分析模型进行热场参数匹配，获得动态热场变化序列；根据所述动态热场变化序列，结合所述晶体类型、晶体生长量、粉体配比进行生长参数聚类，基于聚类结果对晶体生长监控周期进行划分；根据晶体生长监控周期划分结果、所述动态热场变化序列结合各周期晶体生长实时状态，构建优化空间，对长晶参数进行优化，基于优化参数组合对晶体生长设备进行控制。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述晶体类型、晶体生长量、粉体配比，基于智能匹配分析模型进行热场参数匹配，获得动态热场变化序列之前，包括：根据所述晶体类型、所述粉体配比，进行长晶数据案例库采集，获得晶体案例数据库，其中，所述晶体案例数据库中参数指标包括晶体生长量、热场参数、长晶时间线、长晶评价结果；以所述长晶评价结果为目标量，晶体生长量为约束条件，基于所述晶体案例数据库，构建热场参数寻优子模型；基于所述晶体案例数据库，根据长晶时间线确定热场控制节点，对热场参数进行控制节点分解，构建热场分解子模型；将所述热场参数寻优子模型、所述热场分解子模型进行连接，构建所述智能匹配分析模型。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述晶体类型、晶体生长量、粉体配比，基于智能匹配分析模型进行热场参数匹配，获得动态热场变化序列，包括：通过所述热场参数寻优子模型，根据所述晶体类型、晶体生长量、粉体配比进行热场参数寻优分析，获得热场参数优化组合；将所述热场参数优化组合输入所述热场分解子模型，基于长晶时间线进行热场控制节点分解，获得各节点的热场控制参数；利用所述各节点的热场控制参数与长晶时间线的对应关系，获得所述动态热场变化序列。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据晶体生长监控周期划分结果、所述动态热场变化序列结合各周期晶体生长实时状态，构建优化空间，对长晶参数进行优化，基于优化参数组合对晶体生长设备进行控制，包括：对所述动态热场变化序列进行热场变化时间节点识别划分，获得热场变化时间节点；根据所述晶体生长监控周期划分结果、所述热场变化时间节点，进行时间关系对齐及划分节点融合，确定周期划分时间节点；以所述周期划分时间节点为区间，进行长晶参数变化趋势分析，获得各长晶参数的区间变化趋势，其中，所述长晶参数为晶体生长设备的控制参数，包括投料量、埚位、锅转、埚跟、晶转、长晶拉速、压气流量、炉压、温度变化；根据各长晶参数的区间变化趋势，确定目标控制参数、稳定参数；基于所述目标...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚海波，周小勇，李强，臧洪波，
申请(专利权)人：扬州合晶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：