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一种晶体生长设备控制方法及系统技术方案
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下载一种晶体生长设备控制方法及系统的技术资料
文档序号:37764574
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本申请涉及晶体制备设备技术领域,提供一种晶体生长设备控制方法及系统。通过根据晶体类型、晶体生长量、粉体配比,基于智能匹配分析模型进行热场参数匹配获得动态热场变化序列,进一步结合晶体类型、晶体生长量、粉体配比进行生长参数聚类,基于聚类结果划分...
该专利属于扬州合晶科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过扬州合晶科技有限公司授权不得商用。
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