一种存储结构及其制备方法、电子设备技术

一种存储结构及其制备方法、电子设备，所述存储结构包括：依次层叠设置在衬底上且平行于所述衬底的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第四半导体层；分别环绕第一半导体层至第四半导体层的第一栅极至第四栅极；与第一半导体层至第四半导体层的源接触区域接触的第一公共电极；与第一半导体层至第四半导体层的漏接触区域接触的第二公共电极；设置在所述第四半导体层远离所述衬底一侧且沿垂直于衬底方向延伸的第五半导体层；所述第五半导体层电连接所述第一公共电极；环绕所述第五半导体层的第五栅极至第八栅极。本实施例提供的方案，可以实现立体堆叠，缩小存储结构尺寸，增大存储密度，降低成本。降低成本。降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种存储结构及其制备方法、电子设备


[0001]本公开实施例涉及但不限于存储技术，尤指一种存储结构及其制备方法、电子设备。

技术介绍

[0002]在过去多年时间里，平面型闪存存储器生产工艺取得了巨大的进步。但近几年，平面型闪存发展基本到了极限，比如物理面积，显影技术以及存储密度等。基于此背景，需要寻求不同的工艺结构来解决目前极限问题和降低单位吉字节(GB)的生产成本。

技术实现思路

[0003]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开实施例提供了一种存储结构及其制备方法、电子设备，提高减小存储结构尺寸。
[0005]本公开实施例提供一种存储结构，包括：
[0006]依次层叠设置在衬底上且平行于所述衬底的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第四半导体层；
[0007]环绕所述第一半导体层的第一栅极；环绕所述第二半导体层的第二栅极；环绕所述第三半导体层的第三栅极；环绕所述第四半导体层的第四栅极；
[0008]与所述第一半导体层的第一源接触区域、所述第二半导体层的第二源接触区域、所述第三半导体层的第三源接触区域和所述第四半导体层的第四源接触区域接触的第一公共电极；
[0009]与所述第一半导体层的第一漏接触区域、所述第二半导体层的第二漏接触区域、所述第三半导体层的第三漏接触区域和所述第四半导体层的第四漏接触区域接触的第二公共电极；
[0010]设置在所述第四半导体层远离所述衬底一侧且沿垂直于衬底方向延伸的第五半导体层；所述第五半导体层电连接所述第一公共电极；
[0011]环绕所述第五半导体层的第五栅极；
[0012]设置在所述第五栅极远离所述衬底一侧且环绕所述第五半导体层的第六栅极；
[0013]设置在所述第六栅极远离所述衬底一侧且环绕所述第五半导体层的第七栅极；
[0014]设置在所述第七栅极远离所述衬底一侧且环绕所述第五半导体层的第八栅极。
[0015]在一示例性实施例中，在平行于所述衬底的平面上，所述第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第四半导体层中至少部分半导体层的正投影存在交叠。
[0016]在一示例性实施例中，在平行于所述衬底的平面上，所述第一栅极、第二栅极、第三栅极、第四栅极中至少部分栅极的正投影存在交叠。
[0017]在一示例性实施例中，在平行于所述衬底的平面上，所述第一栅极的正投影、所述
第二栅极的正投影、所述第三栅极的正投影、所述第四栅极的正投影沿第一方向延伸，且所述第一栅极的正投影、所述第二栅极的正投影、所述第三栅极的正投影、所述第四栅极的正投影沿所述第一方向的长度依次减小，所述沿第一方向延伸为第一栅极靠近所述第一栅极所环绕的半导体层的一侧指向所述第一栅极远离所述第一栅极所环绕的半导体层的一侧。
[0018]在一示例性实施例中，在平行于所述衬底的平面上，所述第五栅极的正投影、所述第六栅极的正投影、所述第七栅极的正投影、所述第八栅极的正投影沿第二方向延伸，且所述第五栅极的正投影、所述第六栅极的正投影、所述第七栅极的正投影、所述第八栅极的正投影沿所述第二方向的长度依次减小，所述沿第二方向延伸为第五栅极靠近所述第五栅极所环绕的半导体层的一侧指向所述第五栅极远离所述第五栅极所环绕的半导体层的一侧。
[0019]在一示例性实施例中，所述第一方向平行于所述第二方向，且在平行于所述衬底的平面上，所述第一栅极的正投影中远离所述第一半导体层的一端，与所述第五栅极的正投影中远离所述第一半导体层的一端位于所述第一半导体层的同侧。
[0020]在一示例性实施例中，在平行于所述衬底的平面上，所述第一源接触区域的正投影、所述第二源接触区域的正投影、所述第三源接触区域的正投影和所述第四源接触区域的正投影彼此之间存在交叠；所述第一漏接触区域的正投影、所述第二漏接触区域的正投影、所述第三漏接触区域正投影和所述第四漏接触区域的正投影彼此之间存在交叠。
[0021]在一示例性实施例中，所述第一公共电极沿垂直于所述衬底的方向延伸，所述第二公共电极沿垂直于所述衬底的方向延伸。
[0022]在一示例性实施例中，所述第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层和第四半导体层为P型掺杂，所述第五半导体层为N型掺杂。
[0023]在一示例性实施例中，所述第一半导体层包括第一源接触区域、第一沟道区域、第一漏接触区域；所述第二半导体层包括第二源接触区域、第二沟道区域、第二漏接触区域、第三半导体层包括第三源接触区域、第三沟道区域、第三漏接触区域；所述第四半导体层包括第四源接触区域、第四沟道区域和第四漏接触区域，且所述第一源接触区域和所述第一漏接触区域的掺杂浓度大于所述第一沟道区域的掺杂浓度；所述第二源接触区域和所述第二漏接触区域的掺杂浓度大于所述第二沟道区域的掺杂浓度；所述第三源接触区域和所述第三漏接触区域的掺杂浓度大于所述第三沟道区域的掺杂浓度；所述第四源接触区域和所述第四漏接触区域的掺杂浓度大于所述第四沟道区域的掺杂浓度。
[0024]在一示例性实施例中，在平行于所述衬底的平面上，所述第五半导体层的正投影与所述第一公共电极的正投影存在交叠。
[0025]在一示例性实施例中，所述存储结构还包括填充层，所述第五半导体层环绕所述填充层。
[0026]本公开实施例提供一种电子设备，包括上述任一实施例所述的存储结构。
[0027]本公开实施例提供一种存储结构的制备方法，包括：
[0028]提供衬底，在所述衬底上交替沉积第一牺牲层薄膜和半导体薄膜，构图形成依次层叠设置且平行于所述衬底的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第四半导体层，以及，形成环绕所述第一半导体层的第一栅极，环绕所述第二半导体层的第二栅极，环绕所述第三半导体层的第三栅极，环绕所述第四半导体层的第四栅极；
[0029]形成贯穿所述第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第四半导体层的第一
过孔和第二过孔，在所述第一过孔和第二过孔内分别沉积金属薄膜以形成位于所述第一过孔的第一公共电极和位于所述第二过孔的第二公共电极；
[0030]在所述第四半导体层远离所述衬底一侧交替沉积绝缘薄膜和第二牺牲层薄膜形成堆叠结构，形成贯穿所述堆叠结构的第七过孔，在所述第七过孔的侧壁沉积半导体薄膜以形成第五半导体层；在平行于所述衬底的平面上，所述第七过孔的正投影与所述第一公共电极的正投影存在交叠；
[0031]构图形成环绕所述第五半导体层的第五栅极，在所述第五栅极远离所述衬底一侧形成环绕所述第五半导体层的第六栅极，在所述第六栅极远离所述衬底一侧形成环绕所述第五半导体层的第七栅极，在所述第七栅极远离所述衬底一侧形成环绕所述第五半导体层的第八栅极。
[0032]本公开实施例包括一种存储结构及其制备方法、电子设备，所述存储结构包括：衬底，依次层叠设置在所述衬底上的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第四半导体层；环绕所述第一半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储结构，其特征在于，包括：依次层叠设置在衬底上且平行于所述衬底的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第四半导体层；环绕所述第一半导体层的第一栅极；环绕所述第二半导体层的第二栅极；环绕所述第三半导体层的第三栅极；环绕所述第四半导体层的第四栅极；与所述第一半导体层的第一源接触区域、所述第二半导体层的第二源接触区域、所述第三半导体层的第三源接触区域和所述第四半导体层的第四源接触区域接触的第一公共电极；与所述第一半导体层的第一漏接触区域、所述第二半导体层的第二漏接触区域、所述第三半导体层的第三漏接触区域和所述第四半导体层的第四漏接触区域接触的第二公共电极；设置在所述第四半导体层远离所述衬底一侧且沿垂直于所述衬底的方向延伸的第五半导体层；所述第五半导体层电连接所述第一公共电极；环绕所述第五半导体层的第五栅极；设置在所述第五栅极远离所述衬底一侧且环绕所述第五半导体层的第六栅极；设置在所述第六栅极远离所述衬底一侧且环绕所述第五半导体层的第七栅极；设置在所述第七栅极远离所述衬底一侧且环绕所述第五半导体层的第八栅极。2.根据权利要求1所述的存储结构，其特征在于，在平行于所述衬底的平面上，所述第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层和第四半导体层中至少部分半导体层的正投影存在交叠。3.根据权利要求1所述的存储结构，其特征在于，在平行于所述衬底的平面上，所述第一栅极、第二栅极、第三栅极和第四栅极中至少部分栅极的正投影存在交叠。4.根据权利要求1所述的存储结构，其特征在于，在平行于所述衬底的平面上，所述第一栅极的正投影、所述第二栅极的正投影、所述第三栅极的正投影、所述第四栅极的正投影沿第一方向延伸，且所述第一栅极的正投影、所述第二栅极的正投影、所述第三栅极的正投影、所述第四栅极的正投影沿所述第一方向的长度依次减小，所述沿第一方向延伸为第一栅极靠近所述第一栅极所环绕的半导体层的一侧指向所述第一栅极远离所述第一栅极所环绕的半导体层的一侧。5.根据权利要求4所述的存储结构，其特征在于，在平行于所述衬底的平面上，所述第五栅极的正投影、所述第六栅极的正投影、所述第七栅极的正投影、所述第八栅极的正投影沿第二方向延伸，且所述第五栅极的正投影、所述第六栅极的正投影、所述第七栅极的正投影、所述第八栅极的正投影沿所述第二方向的长度依次减小，所述沿第二方向延伸为第五栅极靠近所述第五栅极所环绕的半导体层的一侧指向所述第五栅极远离所述第五栅极所环绕的半导体层的一侧。6.根据权利要求5所述的存储结构，其特征在于，所述第一方向平行于所述第二方向，且在平行于所述衬底的平面上，所述第一栅极的正投影中远离所述第一半导体层的一端，与所述第五栅极的正投影中远离所述第一半导体层的一端位于所述第一半导体层的同侧。7.根据权利要求1所述的存储结构，其特征在于，在平行于所述衬底的平面上，所述第一源接触区域的正投影、所述第二源接触区域的正投影、所述第三源接触区域的正投影和<...

【专利技术属性】
技术研发人员：桂文华，戴瑾，王祥升，王桂磊，毛淑娟，于伟，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：