用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰技术方案

本申请案涉及用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰。描述供存储器系统用于当在不同温度下写入数据时使用不同扰码参数来对所述数据进行加扰的技术。使用基于写入所述数据时的温度的扰码参数来对所述数据进行加扰可减少由在极端温度下操作存储器单元引入到所述数据中的错误。到所述数据中的错误。到所述数据中的错误。

【技术实现步骤摘要】
用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰
[0001]交叉参考
[0002]本专利申请案主张毕博(BUEB)在2021年11月30日申请的标题为“用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰(TEMPERATURE
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BASED SCRAMBLING FOR ERROR CONTROL IN MEMORY SYSTEMS)”的第17/456,980号美国专利申请案的优先权，所述申请案已转让给其受让人，且其全文以引用的方式明确地并入本文中。


[0003]本
涉及用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰。

技术介绍

[0004]存储器装置广泛地用来存储各种电子装置，例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等中的信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可被编程为两种受支持状态中的一者，通常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种可能状态，所述存储器单元可存储所述状态中的任一者。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程为对应状态。
[0005]存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、三维交叉点存储器(3D交叉点)、“或非”(NOR)及“与非”(NAND)存储器装置等等。存储器装置可为易失性或非易失性的。易失性存储器单元(例如，DRAM单元)可能随着时间推移而失去它们的经编程状态，除非它们被外部电源周期性地刷新。即使在没有外部电源的情况下，非易失性存储器单元(例如，NAND存储器单元)也可长时间保持它们的经编程状态。

技术实现思路

[0006]描述一种方法。所述方法可包含：接收用来将一组数据写入到存储器系统的命令；基于接收到所述命令及所述存储器系统的温度，从一组扰码选择用于对所述一组数据进行加扰的扰码，所述一组扰码中的每一扰码对应于所述存储器系统的相应温度范围；使用所述选定扰码来对所述一组数据进行加扰；以及将所述一组经加扰数据存储在所述存储器系统中。
[0007]描述一种设备。所述设备可包含与存储器系统相关联的控制器。所述控制器可经配置以致使所述设备：接收用来将一组数据写入到存储器系统的命令；基于接收到所述命令及所述存储器系统的温度，从一组扰码选择用于对所述一组数据进行加扰的扰码，所述一组扰码中的每一扰码对应于所述存储器系统的相应温度范围；使用所述选定扰码来对所述一组数据进行加扰；以及将所述一组经加扰数据存储在所述存储器系统中。
[0008]描述一种存储代码的非暂时性计算机可读媒体。所述代码可包含指令，所述指令可由处理器执行以：接收用来将一组数据写入到存储器系统的命令；基于接收到所述命令及所述存储器系统的温度，从一组扰码选择用于对所述一组数据进行加扰的扰码，所述一组扰码中的每一扰码对应于所述存储器系统的相应温度范围；使用所述选定扰码来对所述一组数据进行加扰；以及将所述一组经加扰数据存储在所述存储器系统中。
附图说明
[0009]图1说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰的系统的实例。
[0010]图2说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰的系统的实例且描绘处理写入命令的实例。
[0011]图3说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰的系统的实例且描绘处理读取命令的实例。
[0012]图4展示根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰的存储器系统的框图。
[0013]图5展示说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰的一或若干方法的流程图。
具体实施方式
[0014]存储器系统可经配置以在某些(例如，标称)温度范围内操作。然而，可在那些标称温度范围之外的环境中使用一些存储器系统。例如，当存储器系统并入到交通工具中时，存储器系统的温度可覆盖较大范围。例如，在冬季，所述温度可能下降到标称范围以下，而在夏季，所述温度可能上升到标称范围以上。在极端温度下执行存取操作(例如，读取操作或写入操作)可能影响所述操作且可能导致经存储数据的更高错误率。例如，当在与存储器系统相关联的标称温度范围之外的温度下编程时，一些NAND电平状态可能更容易出错。
[0015]一些存储器系统在将数据存储在存储器中之前对数据进行加扰使得当经加扰数据存储在存储器中时，经加扰数据可稍微均匀地散布在存储器单元的不同电平当中。然而，经加扰数据在极端温度下也可能倾向于更高速率。
[0016]描述供存储器系统用于在写入信息时基于写入数据时的温度使用不同扰码参数来对数据进行加扰的技术。扰码可经配置以当存储器系统在与扰码相关联的温度范围内操作时降低错误的概率。这可在随后读取信息时减少信息中的错误的数量。在一些实例中，扰码参数可减少在极端温度下经加扰数据在存储器单元的有问题的电平中的存储。
[0017]首先参考图1在系统的背景下描述本公开的特征。参考图2到3在系统及使用系统来处理写入及读取命令的背景下进一步描述本公开的特征。参考图4到5通过与用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰相关的设备图及流程图且在所述设备图及流程图的背景下进一步说明本公开的这些及其它特征。
[0018]图1说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统中的错误控制的基于温度的加扰的系统100的实例。系统100包含与存储器系统110耦合的主机系统105。
[0019]存储器系统110可为或包含任何装置或装置集合，其中所述装置或装置集合包含
至少一个存储器阵列。例如，存储器系统110可为或包含通用快闪存储(UFS)装置、嵌入式多媒体控制器(eMMC)装置、快闪存储器装置、通用串行总线(USB)快闪存储器装置、安全数字(SD)卡、固态驱动器(SSD)、硬盘驱动器(HDD)、双列直插式存储器模块(DIMM)、小外形DIMM(SO
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DIMM)或非易失性DIMM(NVDIMM)，以及其它可能性。
[0020]系统100可被包含在计算装置中，例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、交通工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、物联网(IoT)启用装置、嵌入式计算机(例如，包含在交通工具、工业设备或联网商业装置中的计算机)或包含存储器及处理装置的任何其它计算装置。
[0021]系统100可包含主机系统105，所述主机系统可与存储器系统110耦合。在一些实例中，这个耦合可包含与主机系统控制器106的接口，所述接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：接收用来将一组数据写入到存储器系统的命令；至少部分地基于接收到所述命令及所述存储器系统的温度，从一组扰码选择用于对所述一组数据进行加扰的扰码，所述一组扰码中的每一扰码对应于所述存储器系统的相应温度范围；使用所述选定扰码来对所述一组数据进行加扰；以及将所述一组经加扰数据存储在所述存储器系统中。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：将用来对所述一组数据进行加扰的所述选定扰码的指示存储在所述存储器系统中。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述指示包括包含所述一组扰码的表的索引，所述索引指向所述表中包含所述选定扰码的条目。4.根据权利要求2所述的方法，其中所述指示包括所述选定扰码。5.根据权利要求2所述的方法，其中所述指示存储在与所述经存储的一组经加扰数据相关联的码字中。6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：接收用来从所述存储器系统读取所述一组数据的第二命令；从所述存储器系统检索所述一组经加扰数据；至少部分地基于接收到所述第二命令，识别用来对所述一组数据进行加扰的所述扰码；使用所述经识别扰码来对所述一组经加扰数据进行解扰；以及将所述一组经解扰数据传输到主机系统。7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括：至少部分地基于接收到所述第二命令，从所述存储器系统检索用来对所述一组数据进行加扰的所述扰码的指示，其中识别所述扰码是至少部分地基于检索所述指示。8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述一组数据已被加扰之后，使用错误控制操作来产生所述一组经加扰数据的错误控制码；以及将所述错误控制码存储在所述存储器系统中。9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：在将所述经加扰错误控制码存储在所述存储器系统中之前对所述经产生错误控制码进行加扰。10.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：接收用来从所述存储器系统读取所述一组数据的第二命令；从所述存储器系统检索所述一组经加扰数据及所述一组经加扰数据的所述错误控制码；至少部分地基于检索所述一组经加扰数据及所述错误控制码来使用所述错误控制码来对所述一组经加扰数据执行第二错误控制操作以获得经校正的一组经加扰数据；至少部分地基于接收到所述第二命令，识别用来对所述一组数据进行加扰的所述扰码；
使用所述经识别扰码来对所述经校正的一组经加扰数据进行解扰；以及将所述经解扰的一组经校正数据传输到主机系统。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述一组扰码各自经配置以使存储在所述存储器系统中的一或多个电压电平优先于存储在所述存储器系统中的其它电压电平。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述一组经加扰数据存储在所述存储器系统的多电平单元中。13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：至少部分地基于接收到所述命令，识别所述存储器系统的所述温度，其中选择所述扰码是至少部分地基于识别所述温度。14.一种设备，其包括：控制器，其与存储器系统相关联，其中所述控制器经配置以致使所述设备：接收用来将一组数据写入到存储器系统的命令；至少部分地基于接收到所述命令及所述存储器系统的温度，从一组扰码选择用于对所述一组数据进行加扰的扰码，所述一组扰码中的每一扰码对应于所述存储器系统的相应温度范围；使用所述选定扰码来对所述一组数据进行加扰；以及将所述一组经加扰数据存储在所述存储器系统中。15.根据权利要求14所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：将用来对所述一组数据进行加扰...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：