垂直晶体管器件结构及其制备方法技术

本申请公开了垂直晶体管器件结构及其制备方法，其中，垂直晶体管器件结构，包括：GaN衬底，具有第一表面和第二表面；SiN

【技术实现步骤摘要】
垂直晶体管器件结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及垂直晶体管器件结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]在过去的几年中，基于氮化镓(GaN)的横向和垂直器件已成为高效电源转换器的优秀候选者，目前基于GaN横向晶体管的功率器件已经可以做到600V的中等功率电子市场，但是基于GaN垂直晶体管的高压大电流依然在开发研究当中。虽然大量的GaN垂直功率晶体管被报道在独立的GaN衬底上。然而GaN衬底的高成本和小可用尺寸会限制体GaN上垂直功率器件的广泛商业应用。
[0003]此外，栅介质层材料普遍以SiO2为首选，GaN与SiO2之间存在着严重的晶格失配导致界面缺陷，这种缺陷的存在会降低沟道中载流子迁移率。

技术实现思路

[0004]本专利技术针对上述问题，克服至少一个不足，提出了垂直晶体管器件结构及其制备方法。
[0005]本专利技术采取的技术方案如下：
[0006]一种垂直晶体管器件结构，包括：
[0007]GaN衬底，具有第一表面和第二表面；<br/>[0008]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直晶体管器件结构，其特征在于，包括：GaN衬底，具有第一表面和第二表面；SiN
x
薄膜，形成在所述GaN衬底的第一表面，所述SiN
x
薄膜具有沟槽，所述沟槽的底部为GaN基底的第一表面；漏电极，形成在所述GaN衬底的第二表面Te材料层，形成在所述SiN
x
薄膜的表面，且覆盖所述沟槽；第一源电极，形成在所述Te材料层上；第二源电极，形成在所述Te材料层上，第一源电极和第二源电极分别位于所述沟槽的两侧。2.如权利要求1所述的垂直晶体管器件结构，其特征在于，所述GaN衬底的厚度为3
‑
5μm。3.如权利要求1所述的垂直晶体管器件结构，其特征在于，所述SiN
x
薄膜的厚度为200
‑
600nm。4.如权利要求1所述的垂直晶体管器件结构，其特征在于，所述Te材料层的厚度为10
‑
50nm。5.一种垂直晶体管器件结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供GaN基底并清洗，所述GaN基底具有第一表面和第二表面；S2、通...

【专利技术属性】
技术研发人员：李京波，孙一鸣，王小周，
申请(专利权)人：浙江芯科半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：