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本申请公开了垂直晶体管器件结构及其制备方法，其中，垂直晶体管器件结构，包括：GaN衬底，具有第一表面和第二表面；SiN
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该专利属于浙江芯科半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江芯科半导体有限公司授权不得商用。

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