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一种存储结构及其制备方法、电子设备，所述存储结构包括：依次层叠设置在衬底上且平行于所述衬底的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第四半导体层；分别环绕第一半导体层至第四半导体层的第一栅极至第四栅极；与第一半导体层至第四半导体层的源接触...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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