二极管器件制造技术

本申请公开一种二极管器件，包括阴极、漂移层、P型掺杂部、多晶硅部、第一N型掺杂部、第二N型掺杂部以及阳极，漂移层设置于阴极上，P型掺杂部设置于漂移层远离阴极的一侧，P型掺杂部具有至少两个间隔设置的沟槽，沟槽还延伸入部分漂移层中，多晶硅部填充于沟槽中，第一N型掺杂部和第二N型掺杂部设置于P型掺杂部中且位于每两相邻的沟槽之间，第一N型掺杂部与第二N型掺杂部接触，阳极设置于P型掺杂部远离阴极的一侧。在本申请中，通过在P型掺杂部中设置有第一N型掺杂部和第二N型掺杂部，以中和掉部分P型掺杂部的掺杂浓度，从而降低正向导通时空穴的注入效率。时空穴的注入效率。时空穴的注入效率。

【技术实现步骤摘要】
二极管器件


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种二极管器件。

技术介绍

[0002]二极管通常用在逆变器中，且是逆变器中不可或缺的部分，其起到电流换向后续流的重要作用，因此，二极管的反向恢复速度快慢直接影响到逆变器的最终效率。
[0003]现有的二极管通常是基于传统PiN结构获得，并采用重金属掺杂技术控制寿命，但是，该二极管在高频率下工作，其正向导通时，空穴的注入效率过高，从而导致二极管的反向恢复时间较长。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本申请提供一种二极管器件，以解决现有的二极管器件在正向导通时空穴的注入效率高的问题。
[0005]本申请提供的一种二极管器件，包括：
[0006]阴极；
[0007]漂移层，设置于所述阴极上；
[0008]P型掺杂部，设置于所述漂移层远离所述阴极的一侧，所述P型掺杂部具有至少两个间隔设置的沟槽，所述沟槽还延伸入部分所述漂移层；
[0009]多晶硅部，所述多晶硅部填充于所述沟槽中；
[0010]第一N型掺杂部和第二N型掺杂部，设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二极管器件，其特征在于，包括：阴极；漂移层，设置于所述阴极上；P型掺杂部，设置于所述漂移层远离所述阴极的一侧，所述P型掺杂部具有至少两个间隔设置的沟槽；多晶硅部，所述多晶硅部填充于所述沟槽中；第一N型掺杂部和第二N型掺杂部，设置于所述P型掺杂部中，且位于每两相邻的所述沟槽之间，所述第一N型掺杂部与所述第二N型掺杂部接触；以及阳极，设置于所述P型掺杂部远离所述阴极的一侧。2.根据权利要求1所述的二极管器件，其特征在于，所述第一N型掺杂部的宽度与所述第二N型掺杂部的宽度相等。3.根据权利要求1所述的二极管器件，其特征在于，所述第一N型掺杂部的宽度小于所述第二N型掺杂部的宽度。4.根据权利要求1所述的二极管器件，其特征在于，自一所述沟槽到相邻的另一所述沟槽的方向上，所述第一N型掺杂部与所述第二N型掺杂部呈...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟聪，伍济，
申请(专利权)人：深圳市威兆半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：