温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开一种二极管器件，包括阴极、漂移层、P型掺杂部、多晶硅部、第一N型掺杂部、第二N型掺杂部以及阳极，漂移层设置于阴极上，P型掺杂部设置于漂移层远离阴极的一侧，P型掺杂部具有至少两个间隔设置的沟槽，沟槽还延伸入部分漂移层中，多晶硅部填充...
该专利属于深圳市威兆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市威兆半导体股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。