一种低电压低漏电二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低电压低漏电二极管，所述低电压低漏电二极管包括硅片，硅片上部为有源区，其厚度为2

【技术实现步骤摘要】
一种低电压低漏电二极管


[0001]本技术涉及电子元件领域，具体地说，涉及一种小电容导向整流管。

技术介绍

[0002]半导体，指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的一种材料。半导体在生活中的各类电子仪器上有着广泛的应用。
[0003]目前，在电子元件芯片领域中，绝大多数低电压二极管普遍呈现漏电较大的情况。普通的低压二极管芯片制作是通过增加钝化层达到降低漏电流的目的，但是降低漏电流效果不明显。但在许多特殊领域需要使用能进一步降低漏电流的低电压低漏电二极管。

技术实现思路

[0004]本技术正是为了解决上述技术问题而设计的一种低电压低漏电二极管。
[0005]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0006]一种低电压低漏电二极管，所述低电压低漏电二极管包括硅片，硅片上部为有源区，其厚度为2
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3微米，有源区上面有多晶硅，多晶硅上面有第一Ti/Ni/Ag金属膜，第一Ti/Ni/Ag金属膜为二极管的一个电极；下部为P型硅片，厚度300
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350微米，p型硅片底面有第二Ti/本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低电压低漏电二极管，其特征在于：所述低电压低漏电二极管包括硅片(1)，硅片(1)上部为有源区(2)，其厚度为2
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3微米，有源区(2)上面有多晶硅(3)，多晶硅(3)上面有第一Ti/Ni/Ag金属膜(4)，第一Ti/Ni/Ag金属膜(4)为二极管的一个电极；下部为P型硅片，厚度300
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350微米，p型硅片底面有第二Ti/Ni/Ag金属膜(5)，第二Ti/Ni/Ag金属膜(5)为二极管的另一个电极；硅片上部四周刻蚀有一个环形隔离槽(6)，在环形隔离槽(6)内部填充有光阻玻璃粉(7)。2.根据权利要求1所述的一种低电压低漏电二极管，其特征在于：所述硅片...

【专利技术属性】
技术研发人员：王立伟，陈宇，
申请(专利权)人：朝阳微电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：