一种SiC晶圆加工检测工装制造技术

本申请涉及晶圆加工技术领域，尤其是涉及一种SiC晶圆加工检测工装，载体组件包括：载体本体，载体本体转动连接于座体上，载体本体具有一平面，平面用于连接待检测晶圆；定位组件，定位组件包括：定位块，定位块具有两组，两组定位块分别位于载体本体的两侧，两组定位块滑移连接于座体上，两组定位块之间形成夹持空间，检测组件包括：投光器，投光器固定连接于检测座上，投光器位于夹持空间上方；受光器，受光器固定连接于座体上，受光器位于投光器的正下方。解决了检测精度较低的技术问题，达到提高检测精度较的技术效果。检测精度较的技术效果。检测精度较的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种SiC晶圆加工检测工装


[0001]本申请涉及晶圆加工
，尤其是涉及一种SiC晶圆加工检测工装。

技术介绍

[0002]在SiC晶圆的加工制造过程中，晶圆表面可能会产生裂纹、划痕、剥落等缺陷，这些缺陷的形成原因有两种：一种是晶圆生长过程中原始形成，一种是晶片在经过各道加工工序后造成。为了使晶片达到预期性能，必须保证晶片表面基本没有缺陷。
[0003]现有技术中，对晶片表面缺陷的无损检测，通常是用X光对晶圆进行透视成像以及太赫兹光谱成像，或者通过红外传感器拍照后再用算法对比成像图检测。X射线属于电离辐射，高剂量的高能射线肯能会对晶圆内部的电路结构造成损坏，太赫兹光谱成像存在成像分辨率较低，不易分辨的缺点。红外传感器拍照之后算法对比成像的方法受限于算法的精度问题，也存在检测不全的缺点。
[0004]因此，现有技术的技术问题在于：检测精度较低。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种SiC晶圆加工检测工装，解决了检测精度较低的技术问题，达到提高检测精度较的技术效果。
[0006]本申请提供的一种SiC晶圆加工检测工装，采用如下的技术方案：
[0007]一种SiC晶圆加工检测工装，包括：座体；载体组件，所述载体组件包括：载体本体，所述载体本体转动连接于所述座体上，所述载体本体具有一平面，所述平面用于连接待检测晶圆；定位组件，所述定位组件包括：定位块，所述定位块具有两组，两组所述定位块分别位于所述载体本体的两侧，两组所述定位块滑移连接于所述座体上，两组所述定位块之间形成夹持空间，所述夹持空间用于容置所述待检测晶圆，使得所述待检测晶圆水平限位；驱动组件，所述驱动组件连接于所述座体并作用于所述载体本体上，所述驱动组件用于驱动所述载体本体和待检测晶圆旋转；检测组件，所述检测组件包括：检测座，所述检测座固定连接于所述座体上，所述检测座延伸至所述载体本体的上方；投光器，所述投光器固定连接于所述检测座上，所述投光器位于所述夹持空间上方；受光器，所述受光器固定连接于所述座体上，所述受光器位于所述投光器的正下方；其中，所述投光器用于向下对所述受光器投射光束而形成投射路径，所述投射路径位于载体本体所在竖直空间的外侧，光束穿透待检测晶圆以检测晶圆。
[0008]作为优选，两组所述定位块的滑移路径位于同一直线上。
[0009]作为优选，每组所述定位块上具有V型槽，两组定位块上的V型槽相向设置，两个所述V型槽之间形成所述夹持空间。
[0010]作为优选，所述定位组件还包括：限位块，所述限位块具有两组，所述限位块固定连接于所述座体上，两组所述限位块分别位于所述定位块靠近所述载体本体的一侧，所述定位块抵触于所述限位块而使得所述夹持空间的最小径固定。
[0011]作为优选，所述驱动组件包括：电机，所述电机连接于所述座体的底面上并作用于所述载体本体的轴向，使得所述载体本体具有绕轴旋转的转动自由度。
[0012]作为优选，所述定位组件还包括：滑轨，所述滑轨具有两组，两组所述滑轨分别位于所述载体本体的两侧，且两组所述滑轨位于同一直线设置；所述滑轨固定连接于所述座体上，两组所述滑轨分别用于与两组定位块对应滑移配合。
[0013]作为优选，所述限位块固定连接于所述滑轨上。
[0014]作为优选，所述载体上开设有吸附孔，所述吸附孔具有多组，通过向所述吸附孔内形成负压而使得待检测晶圆固定于所述载体本体上。
[0015]综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：
[0016]1、本申请通过定位组件对待检测晶圆进行水平限位，投光器和受光器分别布置于待检测晶圆的上下放，通过投光器向受光器投射光束，电机驱动载体本体从而带动待检测，即可精准找到晶圆的缺陷部分；解决了检测精度较低的技术问题，达到提高检测精度较的技术效果。
[0017]2、通过两组具有V型槽的定位块对待检测晶圆进行夹持，在不影响待检测晶圆旋转的情况下对其进行水平定位，有利于检测过程中待检测晶圆位置的稳定性。
[0018]3、在定位块的靠近载体本体的一侧设置有限位块，使得两组定位块之间的夹持空间的最小径固定，防止定位块过度给进而损伤待检测晶圆，有利于对晶圆的保护，减小晶圆损耗。
附图说明
[0019]图1是本申请所述检测工装示意图；
[0020]图2是本申请所述检测工装的光束投射路径示意图。
[0021]附图标记说明：100、座体；200、载体组件；210、载体本体；220、转轴；300、定位组件；310、定位块；311、V型槽；320、夹持空间；330、滑轨；340、限位块；400、驱动组件；410、电机；500、检测组件；510、检测座；520、投光器；530、受光器；540、投射路径；600、待检测晶圆。
具体实施方式
[0022]本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0023]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0024]本申请实施例提供了一种SiC晶圆加工检测工装，解决了检测精度较低的技术问题，达到提高检测精度较的技术效果。
[0025]为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0026]一种SiC晶圆加工检测工装，用于检测晶圆是否存在裂纹、划痕以及剥落等缺陷，如图1所示，检测工装包括座体100、载体组件200、定位组件300、驱动组件400以及检测组件500；座体100用于作为检测工装的安装基础；载体组件200用于承载待检测晶圆600；定位组件300用于对待检测晶圆600进行水平限位；驱动组件400用于驱动载体组件200和待检测晶圆600旋转；检测组件500用于检测待检测晶圆600。
[0027]载体组件200，如图1所示，载体组件200用于承载待检测晶圆600。载体组件200连接于座体100上，载体组件200包括载体本体210和转本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC晶圆加工检测工装，其特征在于，包括：座体(100)；载体组件(200)，所述载体组件(200)包括：载体本体(210)，所述载体本体(210)转动连接于所述座体(100)上，所述载体本体(210)具有一平面，所述平面用于连接待检测晶圆(600)；定位组件(300)，所述定位组件(300)包括：定位块(310)，所述定位块(310)具有两组，两组所述定位块(310)分别位于所述载体本体(210)的两侧，两组所述定位块(310)滑移连接于所述座体(100)上，两组所述定位块(310)之间形成夹持空间(320)，所述夹持空间(320)用于容置所述待检测晶圆(600)，使得所述待检测晶圆(600)水平限位；驱动组件(400)，所述驱动组件(400)连接于所述座体(100)并作用于所述载体本体(210)上，所述驱动组件(400)用于驱动所述载体本体(210)和待检测晶圆(600)旋转；检测组件(500)，所述检测组件(500)包括：检测座(510)，所述检测座(510)固定连接于所述座体(100)上，所述检测座(510)延伸至所述载体本体(210)的上方；投光器(520)，所述投光器(520)固定连接于所述检测座(510)上，所述投光器(520)位于所述夹持空间(320)上方；受光器(530)，所述受光器(530)固定连接于所述座体(100)上，所述受光器(530)位于所述投光器(520)的正下方；其中，所述投光器(520)用于向下对所述受光器(530)投射光束而形成投射路径(540)，所述投射路径(540)位于载体本体(210)所在竖直空间的外侧，光束穿透待检测晶圆(600)以检测晶圆。2.根据权利要求1所述的一种SiC晶圆加工检测工装，其特征在于，两组所述定位块(310)的滑移路径位于同一直线上...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱亮，曹建伟，欧阳鹏根，余炀阳，赵阳阳，朱春芬，
申请(专利权)人：浙江晶瑞电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：