半导体集成模块及电力电子设备制造技术

一种半导体集成模块及电力电子设备，该半导体集成模块包括：介质基板，具有相对的第一侧边和第二侧边，以及相对的第三侧边和第四侧边，介质基板自第一侧边至第二侧边依次设置有第一安装区、第二安装区、第三安装区及第四安装区；电阻模组，设置于第一安装区内，且靠近介质基板的第一侧边的位置；第一SiC模组，设置于第二安装区内，且靠近于电阻模组；第二SiC模组，设置于第三安装区内，且远离介质基板的第一侧边的位置。本实用新型专利技术技术方案通过对半导体集成模块中芯片及元器件进行合理布局，提高半导体集成模块的集成度。半导体集成模块的集成度。半导体集成模块的集成度。

【技术实现步骤摘要】
半导体集成模块及电力电子设备


[0001]本技术涉及电力电子
，特别涉及一种半导体集成模块及电力电子设备。

技术介绍

[0002]近些年，半导体器件在电力电子领域中备受瞩目，因为其具有临界击穿场强高、热传导性好、导通电阻小、电子饱和速度更高等优点。然而，为了满足大功率应用，单芯片半导体器件不能满足其需求，因此，通过电路板集成多芯片半导体器件的要求就十分有必要。
[0003]然而，电路板集成多芯片半导体器件中具有的各模块包括多个引脚，这些模块及引脚的布局会对集成模块产品设计造成极大影响，因此，合理的半导体集成模块的芯片布局设计至关重要。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的是提出一种半导体集成模块及电力电子设备，旨在通过对半导体集成模块中芯片及元器件进行合理布局，提高半导体集成模块的集成度。
[0005]为实现上述目的，本技术提出一种半导体集成模块，该半导体集成模块包括：
[0006]介质基板，具有相对的第一侧边和第二侧边，以及相对的第三侧边和第四侧边，所述介质基板自所述第一侧边至第二侧边依次设置有第一安装区、第二安装区、第三安装区及第四安装区；
[0007]电阻模组，设置于所述第一安装区内，且靠近所述介质基板的第一侧边的位置；
[0008]第一SiC模组，设置于所述第二安装区内，且靠近于所述电阻模组；
[0009]第二SiC模组，设置于所述第三安装区内，且远离所述介质基板的第一侧边的位置。
[0010]可选地，所述电阻模组包括1个热敏电阻。
[0011]可选地，所述热敏电阻焊接于所述介质基板的热敏电阻引线端，用于对集成模块的温度进行检测。
[0012]可选地，所述第一SiC模组和第二SiC模组均包括3个间隔设置的SiC MOS管。
[0013]可选地，所述第一SiC模组中的每一SiC MOS管均通过金属线连接至所述介质基板的导电层；其中，
[0014]所述第一SiC模组中的每一SiC MOS管具有第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一SiC模组中的每一SiC MOS管的第一栅极连接所述介质基板的第一栅极导电层，第一源极连接所述介质基板的第一源极导电层，第一漏极连接所所述介质基板的第一漏极导电层。
[0015]可选地，所述第二SiC模组中的每一SiC MOS管均通过金属线连接至所述介质基板的导电层；其中，
[0016]所述第二SiC模组中的每一SiC MOS管具有第二栅极、第二源极和第二漏极，所述
第二SiC模组中的每一SiC MOS管的第二栅极连接所述介质基板的第二栅极导电层，第二源极连接所述介质基板的第二源极导电层，第二漏极连接所所述介质基板的第二漏极导电层。
[0017]可选地，所述第一安装区、所述第二安装区、所述第三安装区及所述第四安装区中的导电层相互隔离设置。
[0018]可选地，所述介质基板为DBC陶瓷基板或者绝缘金属基板。
[0019]可选地，所述介质基板上设置有多个定位插针焊接点。
[0020]本技术还提出一种电力电子设备，所述电力电子设备包括如上所述的半导体集成模块，所述半导体集成模块包括：
[0021]介质基板，具有相对的第一侧边和第二侧边，以及相对的第三侧边和第四侧边，所述介质基板自所述第一侧边至第二侧边依次设置有第一安装区、第二安装区、第三安装区及第四安装区；
[0022]电阻模组，设置于所述第一安装区内，且靠近所述介质基板的第一侧边的位置；
[0023]第一SiC模组，设置于所述第二安装区内，且靠近于所述电阻模组；
[0024]第二SiC模组，设置于所述第三安装区内，且远离所述介质基板的第一侧边的位置。
[0025]本技术技术方案通过半导体集成模块包括介质基板，以及设置在介质基板第一安装区内的电阻模组，设置在介质基板第二安装区内的第一SiC模组，设置在介质基板第三安装区内的第二SiC模组；其中介质基板具有相对的第一侧边和第二侧边，相对的第三侧边和第四侧边，介质基板自所述第一侧边至第二侧边依次设置有第一安装区、第二安装区、第三安装区及第四安装区。通过对SiC集成模块中电阻模组、第一SiC模组和第二SiC模组的位置合理布局，提高半导体集成模块的集成度，同时提高了电力电子设备中半导体集成模块的可靠性和易用性。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0027]图1为半导体集成模块一实施例的布局结构示意图。
[0028]附图标号说明：
[0029][0030]本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0031]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0032]需要说明，若本专利技术实施例中有涉及方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后
……
），则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态（如附图1所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0033]另外，若本技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。
[0034]在本技术的实施例中，为便于对电阻模组50、第一SiC模组30和第二SiC模组40，及其各模组的引脚位置描述，对于半导体集成模块的介质基板的左方、右方、上方、下方的界定，具体是参照如图1所示，以介质基板的第一侧边为上方，第二侧边为下方，第三侧边为左方，第四侧边为右方。
[0035]本技术提出的半导体集成模块，参照如图1所示，包括：
[0036]介质基板，具有相对的第一侧边和第二侧边，以及相对的第三侧边和第四侧边，所述介质基板自所述第一侧边至第二侧边依次设置有第一安装区、第二安装区、第三安装区及第四安装区；
[0037]电阻模组50，设置于所述第一安装区内，且靠近所述介质基板的第一侧边的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体集成模块，其特征在于，所述半导体集成模块包括：介质基板，具有相对的第一侧边和第二侧边，以及相对的第三侧边和第四侧边，所述介质基板自所述第一侧边至第二侧边依次设置有第一安装区、第二安装区、第三安装区及第四安装区；电阻模组，设置于所述第一安装区内，且靠近所述介质基板的第一侧边的位置；第一SiC模组，设置于所述第二安装区内，且靠近于所述电阻模组；第二SiC模组，设置于所述第三安装区内，且远离所述介质基板的第一侧边的位置。2.根据权利要求1所述的半导体集成模块，其特征在于，所述电阻模组包括1个热敏电阻。3.根据权利要求2所述的半导体集成模块，其特征在于，所述热敏电阻焊接于所述介质基板的热敏电阻引线端，用于对集成模块的温度进行检测。4.根据权利要求1所述的半导体集成模块，其特征在于，所述第一SiC模组和第二SiC模组均包括3个间隔设置的SiC MOS管。5.根据权利要求4所述的半导体集成模块，其特征在于，所述第一SiC模组中的每一SiC MOS管均通过金属线连接至所述介质基板的导电层；其中，所述第一SiC模组中的每一SiC MOS管具有第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一SiC模组中的每...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚金才，陈宇，朱超群，
申请(专利权)人：深圳爱仕特科技有限公司，
类型：新型
国别省市：