一种显示装置和红光芯片的制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示装置和红光芯片的制作方法，显示装置包括驱动基板和位于驱动基板之上的发光芯片；其中发光芯片包括红光芯片，红光芯片包括用于出射蓝色光的第一芯片和位于第一芯片出光侧的红色转换层。红光芯片采用蓝色光激发红色转换层出射红色光，红光芯片不再使用AlGaInP材料基，避免使用GaAs衬底。显示装置的中的红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片采用的材料相同，而蓝光芯片和绿光芯片均可采用GaN材料进行制作，且制作工艺成熟，成本低廉。因此采用GaN材料基制作红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片，成本要低于AlGaInP材料基的红光芯片，并且可提高发光芯片的成品率，增加发光芯片的可靠性。片的可靠性。片的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种显示装置和红光芯片的制作方法


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示装置和红光芯片的制作方法。

技术介绍

[0002]自发光型显示装置具有不需要设置背光模组，器件结构简单，暗场亮度更低等优势，成为显示领域的研究重点。
[0003]发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)显示技术是指采用发光二极管作为发光器件直接用于图像显示。LED显示装置通常使用三基色发光芯片来进行全彩显示。其中，红光芯片需要使用基于AlGaInP材料的LED，由于AlGaInP材料基红光LED为四元LED，其衬底为不透明的GaAs材料。要获得倒装红光LED，需要将GaAs衬底去除，工艺复杂，良率低下，成本高昂。另外，倒装AlGaInP材料基红光LED在使用过程中经常发生由外延膜起皮引起的器件失效的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术一些实施例中，显示装置包括驱动基板和位于驱动基板之上的发光芯片；其中发光芯片包括红光芯片，红光芯片包括用于出射蓝色光的第一芯片和位于第一芯片出光侧的红色转换层。红光芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：驱动基板，用于提供驱动信号；发光芯片，位于所述驱动基板之上，与所述驱动基板电连接；其中，所述发光芯片包括红光芯片，所述红光芯片用于出射红色光，所述红光芯片包括：第一芯片，位于所述驱动基板之上，与所述驱动基板电连接；所述第一芯片用于出射蓝色光；红色转换层，位于所述第一芯片背离所述驱动基板的一侧，用于在蓝色光的激发下出射红色光。2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一芯片包括：蓝光外延层，用于出射蓝色光；遮光挡墙，包围所述蓝光外延层的四周设置；其中，所述遮光挡墙背离所述驱动基板一侧的表面超出所述蓝光外延层背离所述驱动基板一侧的表面，所述遮光挡墙与所述蓝光外延层形成容置空间，所述红色转换层位于所述容置空间中的所述蓝光外延层上；所述挡墙与所述蓝光外延层形成的容置空间的深度为2μm～100μm。3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述蓝光外延层包括：无掺杂层，位于远离所述驱动基板的一侧；第一掺杂层，位于所述无掺杂层面向所述驱动基板的一侧；发光层，位于所述第一掺杂层面向所述驱动基板的一侧；第二掺杂层，位于所述发光层面向所述驱动基板的一侧；其中，所述无掺杂层和所述第一掺杂层在所述驱动基板的正投影存在交叠区域；所述发光层和所述第二掺杂层在所述衬底基板的正投影存在交叠区域；所述第二掺杂层在所述驱动基板的正投影小于所述第一掺杂层在所述驱动基板的正投影，所述第二掺杂层在所述驱动基板的正投影完全位于所述第一掺杂层在所述驱动基板的正投影之内；所述遮光挡墙在所述驱动基板的正投影与所述第一掺杂层在所述衬底基板正投影存在交叠区域。4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述第一芯片还包括：欧姆接触层，位于所述第二掺杂层面向所述驱动基板的一侧；绝缘层，位于所述欧姆接触层面向所述驱动基板的一侧；两个电极，位于所述绝缘层面向所述驱动基板的一侧；其中，所述欧姆接触层和所述第二掺杂层在所述驱动基板的正投影存在交叠区域；所述遮光挡墙包括暴露所述第一掺杂层的通孔；所述绝缘层包括分别暴露所述欧姆接触层和所述第一掺杂层的通孔；所述两个电极通过所述通孔分别与所述欧姆接触层和所述第一掺杂层接触。5.如权利要求2
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【专利技术属性】
技术研发人员：王良吉，
申请(专利权)人：青岛海信商用显示股份有限公司，
类型：发明
国别省市：