【技术实现步骤摘要】
一种晶片吸附装置
[0001]本技术涉及半导体设备
,尤其涉及一种晶片吸附装置。
技术介绍
[0002]晶片转移的过程分为剥离、吸附、和转移等步骤,通常地使用带有吸附孔的吸附头贴合晶片,再利用负压装置抽空吸附孔的气体形成负压,从而使晶片贴合在吸附头的吸附孔处,但正因为受力集中在吸附孔处,晶片受力过于集中容易导致破裂。
技术实现思路
[0003]本技术实施例所要解决的技术问题是常规吸附头与晶片接触面积小,吸附力集中,吸附过程容易导致晶片破裂。
[0004]为了解决上述问题,本技术实施例公开一种晶片吸附装置。取得增大接触面积,产生更均衡的吸附力,安全牢固地吸取晶片的技术效果。
[0005]本技术提供了一种晶片吸附装置,该晶片吸附装置包括吸附机构以及负压装置,所述吸附机构包括凸出体以及机构主体;所述凸出体设有凹槽;所述凸出体设于所述机构主体的一侧;所述机构主体设有通孔;所述凹槽与所述通孔连通;所述通孔与所述负压装置连通。
[0006]其进一步的技术方案为,所述凹槽包括多个第一槽体以及多个第 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶片吸附装置,其特征在于,包括吸附机构以及负压装置,所述吸附机构包括凸出体以及机构主体;所述凸出体设有凹槽;所述凸出体设于所述机构主体的一侧;所述机构主体设有通孔;所述凹槽与所述通孔连通;所述通孔与所述负压装置连通。2.根据权利要求1所述的晶片吸附装置,其特征在于,所述凹槽包括多个第一槽体以及多个第二槽体,多个所述第二槽体均间隔围绕设于所述通孔的四周,多个所述第二槽体通过所述第一槽体均与所述通孔连通。3.根据权利要求1所述的晶片吸附装置,其特征在于,还包括基座,所述基座设于所述吸附机构的一侧。4.根据权利要求3所述的晶片吸附装置,其特征在于,所述基座包括连接腔,所述连接腔分别与所述通孔以及...
【专利技术属性】
技术研发人员:白文,徐虎,刘浦,何卫东,韦道文,
申请(专利权)人:芯思杰技术深圳股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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