一种IC芯片吸取机构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种IC芯片吸取机构。包括吸嘴本体，内部设置有导流腔，所述导流腔的一端与外接真空发生器连接；吸嘴，设置于吸嘴本体的底部，内部设置有均流腔体，所述吸嘴的一端与所述吸嘴本体连接，所述吸嘴的另一端朝向IC芯片；所述均流腔包括竖直设置的垂直区间段和预定位段，所述垂直区间段与所述导流腔的另一端连通；所述预定位段一端与垂直区间段连通，所述预定位段的另一端与外界连通。本申请通过在吸嘴内设置有敞口设置的均流腔，实现对待吸取IC芯片的表面吸取力均匀，实现在吸取时不容易偏移，通过设置垂直区间段和预定位段保证了IC产品检测水平度及位置正交性。证了IC产品检测水平度及位置正交性。证了IC产品检测水平度及位置正交性。

【技术实现步骤摘要】
一种IC芯片吸取机构


[0001]本技术涉及IC芯片加工
，特别涉及一种IC芯片吸取机构。

技术介绍

[0002]芯片吸嘴用来吸取芯片，配合相关的运动，实现芯片的移动，如授权公告号为：CN212874470U的技术一种IC芯片吸嘴采用特殊的三角形内空结构的唇形吸取嘴，用于改善传统的芯片吸嘴在与芯片吸取时，大面积与芯片的表面大面积接触导致对芯片表面造成污染，但是此方案的缺陷在于：由于吸嘴与IC产品的接触面积小，吸取时容易偏移，导致吸放不稳定。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术提供一种IC芯片吸取机构，用以解决现有的IC芯片吸取机构在吸取时容易偏移的问题。具体方案为：
[0004]一种IC芯片吸取机构，包括：
[0005]吸嘴本体，内部设置有导流腔，所述导流腔的一端与外接真空发生器连接；
[0006]吸嘴，设置于吸嘴本体的底部，内部设置有均流腔体，所述吸嘴的一端与所述吸嘴本体连接，所述吸嘴的另一端朝向IC芯片；
[0007]所述均流腔包括竖直设置的垂直区间段和预定位段，所述垂直区间段与所述导流腔的另一端连通；
[0008]所述预定位段一端与垂直区间段连通，所述预定位段的另一端与外界连通。
[0009]优选的，所述垂直区间段的内廓形状与IC芯片的外廓形状相匹配，所述垂直区间段的截面尺寸与预定位段的连接处截面尺寸相同，所述垂直区间段的截面尺寸大于IC芯片的截面尺寸。
[0010]优选的，所述预定位段的竖直剖面呈等腰梯形结构，所述预定位段用于实现吸取IC芯片时对于IC芯片的导正与定位。
[0011]优选的，所述预定位段的竖向夹角为15
‑
30
°
。
[0012]优选的，所述预定位段的竖直高度为整个均流腔高度的1/3
‑
2/3。
[0013]优选的，所述导流腔整体呈锥形结构，包括靠近吸嘴依次设置的第一腔体、第二腔体以及第三腔体，
[0014]所述第一腔体、第二腔体以及第三腔体的截面尺寸依次减小；
[0015]所述第一腔体和第三腔体均呈圆柱状；
[0016]所述第二腔体呈圆锥状，所述第二腔体的截面尺寸由第一腔体向第三腔体的方向线性减小。
[0017]优选的，所述均流腔的截面尺寸大于所述第三腔体的截面尺寸。
[0018]优选的，所述第一腔体、第二腔体以及第三腔体以及均流腔的中心线均位于同一直线上。
[0019]优选的，所述均流腔的截面呈方型结构，所述均流腔的高度与IC芯片的厚度相同。
[0020]与现有技术相比，本申请的有益效果在于：
[0021]本申请通过在吸嘴内设置有敞口的均流腔，实现对待吸取IC芯片的表面吸取力均匀，实现在吸取时不容易偏移，通过设置垂直区间段和在垂直区间段靠近外界的一端设置有预定位段，预定位段对待吸取IC芯片进行预定位，保证了IC产品检测水平度及位置正交性，能很好地兼容tray盘间隙。
[0022]下面通过附图和实施例，对本技术的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
[0023]附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：
[0024]图1为本技术一种IC芯片吸取机构的剖面结构示意图；
[0025]图2为图1中A处放大图；
[0026]图3为本技术一种IC芯片吸取机构半剖图；
[0027]图4为本技术一种IC芯片吸取机构吸取前示意图；
[0028]图5为本技术一种IC芯片吸取机构吸取中示意图；
[0029]图6为本技术一种IC芯片吸取机构吸取完成示意图；
[0030]图7为本技术一种IC芯片吸取机构与IC芯片装配前示意图；
[0031]图8为本技术一种IC芯片吸取机构与IC芯片装配前剖面示意图；
[0032]图9为本技术一种IC芯片吸取机构的装配图；
[0033]图10为现有技术中IC芯片吸取机构吸取完成示意图；
[0034]图11为现有技术中IC芯片吸取机构与IC芯片装配示意图；
[0035]其中，1
‑
吸嘴本体，2
‑
吸嘴，3
‑
IC芯片，4
‑
第一腔体，5
‑
第二腔体，6
‑
第三腔体，7
‑
预定位段。
具体实施方式
[0036]以下结合附图对本技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本技术，并不用于限定本技术。
[0037]根据附图1
‑
9所示的一种IC芯片吸取机构，包括：
[0038]吸嘴本体1，内部设置有导流腔，所述导流腔的一端与外接真空发生器连接；
[0039]吸嘴2，设置于吸嘴本体1的底部，内部设置有均流腔体，所述吸嘴2的一端与所述吸嘴本体1连接，所述吸嘴2的另一端朝向IC芯片3；
[0040]所述均流腔包括竖直设置的垂直区间段和预定位段7，所述垂直区间段与所述导流腔的另一端连通；
[0041]所述预定位段7一端与垂直区间段连通，所述预定位段7的另一端与外界连通。
[0042]进一步的，所述垂直区间段的内廓形状与IC芯片3的外廓形状相匹配，所述垂直区间段与预定位段7连接处的截面尺寸相同，所述垂直区间段的截面尺寸大于IC芯片3的截面尺寸。
[0043]进一步的，所述预定位段7的竖直剖面呈等腰梯形结构，所述预定位段7用于实现
吸取IC芯片3时对于IC芯片3的导正与定位。
[0044]进一步的，所述预定位段7的竖向夹角为15
‑
30
°
。
[0045]进一步的，所述预定位段7的竖直高度为整个均流腔高度的1/3
‑
2/3。
[0046]进一步的，所述导流腔整体呈锥形结构，包括靠近吸嘴2依次设置的第一腔体4、第二腔体5以及第三腔体6，
[0047]所述第一腔体4、第二腔体5以及第三腔体6的截面尺寸依次减小；
[0048]所述第一腔体4和第三腔体6均呈圆柱状；
[0049]所述第二腔体5呈圆锥状，所述第二腔体5的截面尺寸由第一腔体4向第三腔体6的方向线性减小。
[0050]进一步的，所述均流腔的截面尺寸大于所述第三腔体6的截面尺寸。
[0051]进一步的，所述第一腔体4、第二腔体5以及第三腔体6以及均流腔的中心线均位于同一直线上。
[0052]进一步的，所述均流腔的截面呈方向结构，所述均流腔的高度与IC芯片3的厚度相同。
[0053]需要说明的是：
[0054]本申请所述的一种IC芯片的吸取机构应用于小型IC芯片以及与此类结构类似的小型封装形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IC芯片吸取机构，其特征在于，包括：吸嘴本体(1)，内部设置有导流腔，所述导流腔的一端与外接真空发生器连接；吸嘴(2)，设置于吸嘴本体(1)的底部，内部设置有均流腔，所述吸嘴(2)的一端与所述吸嘴本体(1)连接，所述吸嘴(2)的另一端朝向IC芯片(3)；所述均流腔包括竖直设置的垂直区间段和预定位段(7)，所述垂直区间段与所述导流腔的另一端连通；所述预定位段(7)一端与垂直区间段连通，所述预定位段(7)的另一端与外界连通。2.根据权利要求1所述的一种IC芯片吸取机构，其特征在于，所述垂直区间段的内廓形状与IC芯片(3)的外廓形状相匹配，所述垂直区间段与所述预定位段(7)的连接处截面尺寸相同，所述垂直区间段的截面尺寸大于IC芯片(3)的截面尺寸。3.根据权利要求1所述的一种IC芯片吸取机构，其特征在于，所述预定位段(7)的竖直剖面呈等腰梯形结构，所述预定位段(7)用于实现吸取IC芯片(3)时对于IC芯片(3)的导正与定位。4.根据权利要求3所述的一种IC芯片吸取机构，其特征在于，所述预定位段(7)的竖向夹角为15
‑
30...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨顺保，
申请(专利权)人：西安策士测试技术有限公司，
类型：新型
国别省市：