本发明专利技术提供一种应用于一晶体管的电流控制装置，该晶体管具有一控制
端点、一第一端点以及一第二端点，并且该电流控制装置包含有：一电流控
制模块、一第一电流镜模块、一第二电流镜模块、一电流减法器以及一电流
调整模块。本发明专利技术所提供的电流控制装置可以应用于一双极结型晶体管，使
得在利用一双重电流模式温度测量方法来测量该双极结型晶体管的温度时
能够避免温度测量误差的产生。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电流控制装置，尤其是涉及一种可以应用于一双极结型晶体管的电流控制装置，使得在利用一双重电流模式(dual current mode)温度测量方法来测量该双极结型晶体管的温度时能够避免温度测量误差的产生。
技术介绍
请参考图1，图1所示出的为依据已知技术的一双极结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT ) IOO的简化示意图。如图1所示，双极结型晶体管IOO具有一基极、 一射极以及一集极，并且其基极电流Ib、射极电流Ie以及集极电流Ic具有以下关系Ib+Ie+Ic=0Ie=-(卩+l) Ic/(3此外，本领域技术人员应该能够了解双极结型晶体管100的温度可以经由一双重电流模式(dual current mode)温度测量方法来测量双极结型晶体管100的两次不同的射极电流Iel以及Ie2并且再进一步计算以取得一温度测量结果，而由于实际上双极结型晶体管100的温度与集极电流Icl以及Ic2的比例有直接关系，所以在先进工艺中，当双极结型晶体管100的卩值正的集极电流Icl以及Ic2之间的比例，因此就会造成严重的温度测量误差。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的之一在于提供一种可以应用于一晶体管的电流控制装置，使得在利用一双重电流模式(dual current mode)温度测量方法来测量该晶体管的温度时能够避免温度测量误差的产生，以解决上述的问题。依据本专利技术的权利要求，其披露一种应用于一晶体管的电流控制装置，8该晶体管具有一控制端点、 一第一端点以及一第二端点，并且该电流控制装置包含有 一电流控制模块、 一第一电流镜模块、 一第二电流镜模块、 一电流减法器以及一电流调整模块，其中，该电流控制模块用来输出一电流控制讯号；该第一电流镜模块具有一第一输出端点、 一第二输出端点与一输入端点，而该第一输出端点耦接于该晶体管的该第一端点，且该输入端点耦接于该电流控制模块，并且该第一电流镜模块用来依据该电流控制讯号分别在该第一输出端点与该第二输出端点产生一第一电流镜电流与一第二电流镜电流，其中该第 一 电流镜电流与该第二电流镜电流之间具有 一预定电流比例，以及该晶体管依据该第一电流镜电流在该控制端点产生一第二电流；该第二电流镜模块具有一第一端点、 一第二端点与一第三端点，而该第一端点耦接于该晶体管的该控制端点，并且该第二电流镜模块用来依据该第二电流以在该第二电流镜模块的该第二端点产生一第三电流镜电流，其中该第二电流与该第三电流镜电流之间具有该预定电流比例；该电流减法器耦接于该第 一 电流镜模块的该第二输出端点与该第二电流镜模块的该第二端点之间，并且该电流减法器用来依据该第二电流镜电流与该第三电流镜电流产生 一 第三电流；以及该电流调整模块耦接于该电流减法器，并且该电流调整模块用来将该第三电流调整成一第四电流，其中该第四电流与该第三电流之间具有一固定电流比例。附图说明图1所绘示的为依据已知4支术的一双极结型晶体管(bipolar junctiontransistor, BJT )的简化示意图。图2所绘示的为依据本专利技术的一实施例应用于一双极结型晶体管的电流控制装置的简化方块示意图。图3所绘示的为依据图2中的电流控制装置的一第一实施例的电路架构示意图，其中电流控制装置在一第一操作期间。图4所绘示的为依据图2中的电流控制装置的第一实施例的电路架构示意图，其中电流控制装置在一第二操作期间。图5所绘示的为依据图2中的电流控制装置的 一第二实施例的电路架构示意图，其中电流控制装置在一第一操作期间。图6所绘示的为依据图2中的电流控制装置的第二实施例的电路架构示意图，其中电流控制装置在一第二操作期间。附图符号说明100:双极结型晶体管210:电流控制模块212:电流源220:第一电流镜模块222:第一开关元件224:第二开关元件226:第一晶体管开关228:第二晶体管开关232:第三晶体管开关234:第三开关元件240:第二电流镜模块242:第四晶体管开关244.第五晶体管开关246可变电阻单元248偏压控制模块250电流减法器260电流调整模块262.第六晶体管开关264:第四开关元件266:第五开关元件268:第七晶体管开关269:第六开关元件270:电压存储模块具体实施例方式在本申请文件中使用了某些词汇来指称特定的元件，而本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件，本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的10差异来作为区分的准则，在申请文件中所提及的"包含有"为一开放式的用 语，故应解释成"包含有但不限定于"，此外，"耦接" 一词在此包含有任何 直接及间接的电气连接手段，因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装 置，则代表该第一装置可以直接电气连接于该第二装置，或通过其它装置或 连接手段间接地电气连接至该第二装置。请参考图2，图2所绘示的为依据本专利技术的一实施例应用于一双极结型 晶体管(bipolar junction transistor, BJT ) 100的电流控制装置200的 简化方块示意图。如图2所示，双极结型晶体管IOO具有一控制端点(亦即 基极)、 一第一端点(亦即射极)以及一第二端点(亦即集极)，并且电流控 制装置200包含有 一电流控制模块210、 一第一电流镜模块220、 一第二 电流镜模块240、 一电流减法器250以及一电流调整模块260,其中，电流 控制模块210用来输出一电流控制讯号Si。第一电流镜模块220具有一第一 输出端点、 一第二输出端点与一输入端点，而第一输出端点耦接于双极结型 晶体管晶体管100的射极，且输入端点耦接于电流控制模块210，并且第一 电流镜模块220用来依据电流控制讯号Si分别在第一输出端点与第二输出 端点产生一第一电流镜电流Iel，'与一第二电流镜电流Iel，，其中第一电 流镜电流Iel'，与第二电流镜电流Iel，之间具有一预定电流比例，以及双 极结型晶体管100依据第一电流镜电流Iel，，在基极产生一第二电流Ibl''。 第二电流镜模块240具有一第一端点、 一第二端点与一第三端点，而第一端 点耦接于双极结型晶体管100的基极，并且第二电流镜模块240用来依据第 二电流Ibl，，以在第二电流镜模块240的第二端点产生一第三电流镜电流 Ibl，，其中第二电流Ibl'，与第三电流镜电流Ibl，之间具有该预定电流比 例。电流减法器250耦接于第一电流镜模块220的第二输出端点与第二电流 镜模块240的第二端点之间，并且电流减法器250用来依据第二电流镜电流 Iel，与第三电流镜电流Ibl，产生一第三电流Icl，；以及电流调整模块260 耦接于电流减法器250,并且电流调整模块260用来将第三电流Icl'调整 成一第四电流Ic2，，其中第四电流Ic2，与第三电流Icl，之间具有一固定 电流比例。在此请注意，上述的实施例仅作为本专利技术的举例说明，而不是本 专利技术的限制条件，接着，本说明书将在以下段落中举例说明关于本专利技术的电 流控制装置200的详细的电路架构与操作方式。请参考图3以及图4,图3以及图4所绘示的为依据图2中的电流控制ii装置200的一第一实施例的电路架构示本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种应用于一晶体管的电流控制装置，该晶体管具有一控制端点、一第一端点以及一第二端点，该电流控制装置包含有： 一电流控制模块，用来输出一电流控制讯号； 一第一电流镜模块，其具有一第一输出端点、一第二输出端点与一输入端点，该第一输出 端点耦接于该晶体管的该第一端点，该输入端点耦接于该电流控制模块，且该第一电流镜模块用来依据该电流控制讯号分别在该第一输出端点与该第二输出端点产生一第一电流镜电流与一第二电流镜电流，其中该第一电流镜电流与该第二电流镜电流之间具有一预定电流比例，以及该晶体管依据该第一电流镜电流在该控制端点产生一第二电流； 一第二电流镜模块，其具有一第一端点、一第二端点与一第三端点，该第一端点耦接于该晶体管的该控制端点，且该第二电流镜模块用来依据该第二电流以在该第二电流镜模块的该第二端点产生 一第三电流镜电流，其中该第二电流与该第三电流镜电流之间具有该预定电流比例； 一电流减法器，耦接于该第一电流镜模块的该第二输出端点与该第二电流镜模块的该第二端点之间，用来依据该第二电流镜电流与该第三电流镜电流产生一第三电流；以及 一电流调整模块，耦接于该电流减法器，用来将该第三电流调整成一第四电流，其中该第四电流与该第三电流之间具有一固定电流比例。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李宗学，黄德燻，
申请(专利权)人：精拓科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71
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