在水基介质中制备聚噻吩的方法技术

本发明专利技术涉及一种制备聚噻吩的方法，其中使ａ）结构为下式（Ⅰ）的噻吩，ｂ）至少一种水溶性氧化剂，ｃ）如果需要，一种或多种能够与组分ｂ）构成水溶性氧化－还原体系的还原剂，ｄ）至少一种相转移催化剂，和ｅ）如果需要，一种或多种表面活性剂于水基介质中进行聚合反应。本发明专利技术方法操作简易，反应试剂易得，环境污染小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制备聚噻吩的方法，具体而言，涉及一种在水基介质 中制备聚噻吩的方法。
技术介绍
自从1980年聚噢吩首次纟皮成功制备，作为一类重要的共辄导电聚合物 在非线性光学器件(日本专利JP10319451)、电磁屏蔽材料(中国专利 1949962)、导电:^(中国专利CN1175610)、光电池(欧洲专利EP1(K79397)、 微波吸收材料(世界知识产权组织WO9301247)、影像材料(欧洲专利 EP1398336)、电致发光材料(中国专利CN1740266)等方面有着广泛的应用。瘗吩的聚合可以通过很多途径实现，主要有以下三种(l)电化学聚合 法，(2)金属催化偶M应，(3)化学氧化聚合法。电化学聚合法广泛应用于 不溶性的聚瘗吩薄膜的制备(见于，例如LiCun， ShiGaoquan， XueGi， 等人，Journal of Polymer Science, Part B: Polymer Physics, 1995， 33(16): 2199-2203)。 1980年，2，5-二溴塞吩以镍作为催化剂，通过缩聚反应实施聚 合的方法首次被报道(Yamamoto T.， 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备聚噻吩的方法，其中使　ａ）结构为下式（Ⅰ）的噻吩：　＊＊＊　（Ⅰ）　ｂ）至少一种水溶性氧化剂，　ｃ）如果需要，一种或多种能够与组分ｂ）构成水溶性氧化－还原体系的还原剂，　ｄ）至少一种相转移催化剂，和　 　ｅ）如果需要，一种或多种表面活性剂　于水基介质中进行聚合反应。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘正平，刘若尘，黄俐研，
申请(专利权)人：北京师范大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]