转移装置及显示面板的制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示面板技术领域，公开了一种转移装置及显示面板的制备方法。在该制备方法中，在生长基板背离第一临时基板的一侧照射激光，即进行激光剥离工艺，以将外延层转移至第一临时基板。换言之，本发明专利技术外延层在形成微发光器件之前先转移至第一临时基板，如此在激光剥离工艺中外延层能够遮挡激光，避免激光照射到第一临时基板上的键合层，因而能够减少键合层受激光影响的程度，进而能够提高激光剥离工艺的良率。艺的良率。艺的良率。

【技术实现步骤摘要】
转移装置及显示面板的制备方法


[0001]本专利技术涉及显示面板
，特别是涉及一种转移装置及显示面板的制备方法。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED显示技术具有高亮度、高响应速度、低功耗、长寿命等优点，逐渐成为新一代显示技术的研究热点。Micro
‑
LED显示技术涉及LED芯片的批量转移工艺，数十万的LED芯片高效率且高良率地转移至驱动背板上。
[0003]Micro
‑
LED的批量转移工艺包括激光剥离(Laser Lift
‑
off，LLO)工艺。然而，在目前的激光剥离工艺中，用于转移LED芯片的临时基板上的临时键合胶层容易受到激光影响，导致目前激光剥离工艺的良率较低。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术主要解决的技术问题是提供一种转移装置及显示面板的制备方法，能够提高激光剥离工艺的良率。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种显示面板的制备方法。该制备方法包括：在生长基板上形成外延层；将外延层与第一临时基板上的键合层键合；在生长基板背离第一临时基板的一侧照射激光，以将外延层转移至第一临时基板；对外延层进行图案化处理，以形成至少两个微发光器件；将第一临时基板上的微发光器件转移至驱动背板。
[0006]在本专利技术的一实施例中，对外延层进行图案化处理，以形成至少两个微发光器件的步骤包括：利用刻蚀气体对外延层进行图案化处理，以形成至少两个外延单元；在各外延单元上形成电极，以形成微发光器件。
[0007]在本专利技术的一实施例中，刻蚀气体的蚀刻深度截止于键合层朝向外延层的表面。
[0008]在本专利技术的一实施例中，键合层的材质为聚酰亚胺。
[0009]在本专利技术的一实施例中，对外延层进行图案化处理，以形成至少两个微发光器件的步骤包括：对外延层进行图案化处理，以形成至少两个外延单元；在各外延单元背离第一临时基板的一侧形成电极，其中外延单元及其上的电极组成微发光器件。
[0010]在本专利技术的一实施例中，将第一临时基板上的微发光器件转移至驱动背板的步骤包括：将第一临时基板上的微发光器件直接转移至驱动背板。
[0011]在本专利技术的一实施例中，将第一临时基板上的微发光器件直接转移至驱动背板的步骤包括：提供至少两个第一临时基板，其中不同第一临时基板上的微发光器件的发光色不同；将各第一临时基板上的微发光器件直接转移至驱动背板。
[0012]在本专利技术的一实施例中，对外延层进行图案化处理，以形成至少两个微发光器件的步骤包括：对外延层进行图案化处理，以形成至少两个外延单元；在各外延单元背离第一临时基板的一侧形成电极，其中外延单元及其上的电极组成微发光器件；在各外延单元背
离第一临时基板的一侧形成阻光结构，其中阻光结构覆盖外延单元的外表面除电极占据区域之外的其它区域。
[0013]在本专利技术的一实施例中，在各外延单元背离第一临时基板的一侧形成阻光结构的步骤包括：在第一临时基板朝向外延单元的一侧形成遮光材料层，其中遮光材料层覆盖各外延单元及其上的电极，且还覆盖相邻外延单元之间的键合层；去除覆盖电极的遮光材料层，保留覆盖外延单元的外表面的遮光材料层，以形成阻光结构。
[0014]在本专利技术的一实施例中，遮光材料层的材质为具有阻光性能的光刻胶，遮光材料层的厚度为0.1μm至10μm，遮光材料层呈网格状。
[0015]在本专利技术的一实施例中，去除覆盖电极的遮光材料层的步骤还包括：去除覆盖相邻外延单元之间的键合层的遮光材料层。
[0016]在本专利技术的一实施例中，将第一临时基板上的微发光器件转移至驱动背板的步骤之前包括：在驱动背板上形成多个限位结构，其中相邻限位结构之间形成限位槽；将微发光器件转移至限位槽中，以限制微发光器件在驱动背板上的位置。在本专利技术的一实施例中，限位结构具有粘性；和/或，限位结构具有弹性。
[0017]在本专利技术的一实施例中，限位结构的材质为光刻胶，限位结构的厚度为0.5μm至50μm，限位结构呈网格状。
[0018]为解决上述技术问题，本专利技术采用的又一个技术方案是：提供一种转移装置。该转移装置包括第一临时基板；该转移装置还包括键合层，键合层与第一临时基板层叠设置；该转移装置还包括外延层，外延层设于键合层背离第一临时基板的一侧；其中，外延层为整层结构，且外延层用于形成微发光器件。
[0019]本专利技术的有益效果是：区别于现有技术，本专利技术提供一种转移装置及显示面板的制备方法。在该制备方法中，在生长基板背离第一临时基板的一侧照射激光，即进行激光剥离工艺，以将外延层转移至第一临时基板。换言之，本专利技术外延层在形成微发光器件之前先转移至第一临时基板，如此在激光剥离工艺中外延层能够遮挡激光，避免激光照射到第一临时基板上的键合层，因而能够减少键合层受激光影响的程度，进而能够提高激光剥离工艺的良率。
附图说明
[0020]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。此外，这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本专利技术构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本专利技术的概念。
[0021]图1是本专利技术显示面板的制备方法一实施例的流程示意图；
[0022]图2是本专利技术显示面板的制备方法另一实施例的流程示意图；
[0023]图3a
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3g是图2所示制备方法中各步骤的结构示意图；
[0024]图4是本专利技术转移装置一实施例的结构示意图；
[0025]图5是本专利技术转移装置另一实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0026]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术的实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0027]请参阅图1，图1是本专利技术显示面板的制备方法一实施例的流程示意图。
[0028]S101：在生长基板上形成外延层。
[0029]在本实施例中，与制作微发光器件有关的部分结构形成于生长基板，与制作微发光器件有关的剩余结构在其它制程环节形成。具体地，在生长基板上形成外延层，外延层用于后续形成微发光器件。
[0030]S102：将外延层与第一临时基板上的键合层键合。
[0031]在本实施例中，外延层形成微发光器件之前，先将外延层整层转移至第一临时基板。第一临时基板上形成有键合层，键合层用于临时键合生长基板上的外延层。具体地，为将外延层与生长基板剥离，需要将生长基板和第一临时基板接合，使得外延层与第一临时基板上的键合层键合，以便后续进行激光剥离工艺。
[0032]S1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在生长基板上形成外延层；将所述外延层与第一临时基板上的键合层键合；在所述生长基板背离所述第一临时基板的一侧照射激光，以将所述外延层转移至所述第一临时基板；对所述外延层进行图案化处理，以形成至少两个微发光器件；将所述第一临时基板上的所述微发光器件转移至驱动背板。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述外延层进行图案化处理，以形成至少两个微发光器件的步骤包括：利用刻蚀气体对所述外延层进行图案化处理，以形成至少两个外延单元；在各所述外延单元上形成电极，以形成所述微发光器件；优选地，所述刻蚀气体的蚀刻深度截止于所述键合层朝向所述外延层的表面。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述键合层的材质为聚酰亚胺。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述外延层进行图案化处理，以形成至少两个微发光器件的步骤包括：对所述外延层进行图案化处理，以形成至少两个外延单元；在各所述外延单元背离所述第一临时基板的一侧形成电极，其中所述外延单元及其上的电极组成所述微发光器件；所述将所述第一临时基板上的所述微发光器件转移至驱动背板的步骤包括：将所述第一临时基板上的所述微发光器件直接转移至所述驱动背板。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述将所述第一临时基板上的所述微发光器件直接转移至所述驱动背板的步骤包括：提供至少两个第一临时基板，其中不同第一临时基板上的所述微发光器件的发光色不同；将各第一临时基板上的所述微发光器件直接转移至所述驱动背板。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述外延层进行图案化处理，以形成至少两个微发光器件的步骤包括：对所述外延层进行图案化处理，以形成至少两个外延...

【专利技术属性】
技术研发人员：董小彪，盛翠翠，李蒙蒙，高文龙，林佳桦，钱先锐，葛泳，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：