一种抗光衰的LED封装工艺及结构制造技术

本申请提供的一种抗光衰的LED封装工艺及结构，通过先在装配后的支架杯壁以及LED芯片上涂覆保护涂层，待干燥后再在保护涂层上涂覆KSF荧光胶层，最后在KSF荧光胶层上设置封装胶层，不仅可以防止芯片和键合线与有害元素产生化学反应，使内部材料性能降低，导致LED整体亮度维持率变低，可增强材料的密封性，减少有害元素入侵，以达到提高抗光衰的能力，由于密封性较强，可防止KSF荧光胶层遇潮气发黑等情况，解决了使用KSF荧光粉对于潮气敏感的问题，提高了整体的光通量维持率。高了整体的光通量维持率。高了整体的光通量维持率。

【技术实现步骤摘要】
一种抗光衰的LED封装工艺及结构


[0001]本专利技术涉及LED封装
，尤其是涉及一种抗光衰的LED封装工艺及结构。

技术介绍

[0002]现在对LED封装产品的性能要求越来越高，LED产品在正常使用的情况下，容易发热或者密封性变差导致外部有害元素入侵，从而LED内部支架，芯片和键合线与有害元素产生化学反应，使内部材料性能降低，导致LED整体亮度维持率变低，另外，KSF荧光粉体易遇潮气氧化变黑，因此亟需一种可提高LED封装结构的密封性，以达到抗光衰能力的LED封装结构。

技术实现思路

[0003]本专利技术为了解决KSF荧光粉体易遇潮气氧化变黑，而现有的封装结构密封性能较差的技术问题，提供一种密封性较好，能提高亮度维持率的抗光衰的LED封装工艺。
[0004]为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：
[0005]一种抗光衰的LED封装工艺，包括以下步骤：
[0006]S1、一次点胶：将有机硅材料均匀的覆盖于装配后的支架杯壁以及LED芯片表面，烘干燥后，形成保护涂层；
>[0007]S2、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗光衰的LED封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、一次点胶：将有机硅材料均匀的覆盖于装配后的支架杯壁以及LED芯片表面，烘干燥后，形成保护涂层；S2、二次点胶：将KSF荧光粉末与封装胶水混合均匀，涂覆至步骤S1所形成的保护涂层上侧，以转速1000～2000r/min的速率，离心2～3min，干燥后形成荧光粉层；S3、三次点胶：向步骤S2形成的荧光粉层上添加封装胶水，干燥后即形成抗光衰的LED封装结构。2.根据权利要求1所述的抗光衰的LED封装工艺，其特征在于：所述步骤S1中的有机硅材料，按质量百分比计，由以下组分组成：3.根据权利要求1所述的抗光衰的LED封装工艺，其特征在于：步骤S2中，当色温为2700K时，所述KSF荧光粉末与所述封装胶水的比例为1:1.2。4.根据权利要求1所述的抗光衰的LED封装工艺，其特征在于：步骤S2中，当色温为6500K时，所述KSF荧光粉末与所述封装胶水的比例为3:1。5.根据权利要求1所述的抗光衰的LED封装工艺，其特征在于：步骤S3中，所述封装胶水内还分散...

【专利技术属性】
技术研发人员：皮保清，贺雪昭，赵云峰，扶小荣，徐亚辉，
申请(专利权)人：中山市木林森电子有限公司，
类型：发明
国别省市：