一种MicroLED显示模组及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种Micro LED显示模组及制造方法，涉及LED显示模组技术领域，其中，Micro LED显示模组的制造方法包括以下步骤：在基片上形成定位结构，所述定位结构包括用于收容Micro LED芯片的斜面凹槽；将加工的侧面具有斜度的Micro LED芯片转移至斜面凹槽内。本发明专利技术可提高相应转移方式的转移精度，减少因偏移导致的不良，提高显示模块的直通率，并能避免像素间的串扰效应。像素间的串扰效应。像素间的串扰效应。

【技术实现步骤摘要】
一种Micro LED显示模组及制造方法


[0001]本专利技术涉及LED(light
‑
emitting diode，发光二极管)显示模组
，具体涉及一种Micro LED显示模组及制造方法。

技术介绍

[0002]Micro LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于Micro LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点,在显示方面与LCD、OLED相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。
[0003]Micro LED在一些移动设备如AR/VR、智能手表等应用有望成为主流的显示方式。世界上的LED产业链各环节都在为Micro LED的发展蓄力，以求在Micro LED产品的开发与量产成为先行者。然而目前Micro LED显示在制程与设计方面存在以下问题：
[0004](1)由于Micro LED尺寸较小(小于50μm)且现有转移设备的精度限制(弹性印模转移精度2μm、静电力/磁性吸附转移更是只有15μm，加上玻璃基板本身的制板精度2μm)，在芯片转移的过程中难免出现芯片偏移等不良的出现，影响着显示模块的直通率。
[0005](2)随着显示效果要求的越来越高，对于像素PPI的要求也越来越高，但是像素间距Pitch越小则像素间的串扰现象则明显。
[0006](3)Micro LED芯片由于其制程上的原因，相比于红管与蓝管，绿管的色纯度难以提高，对于目前DCI
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P3及以上的高色域要求比较难达到。
[0007](4)基于传统黑胶封装的LED显示设备，其黑度不能太高，否则会降低整屏的亮度，从而对比度也不能做得太高，这也是目前Micro LED显示追求较高视觉效果所遇到的问题。

技术实现思路

[0008]针对现有技术中存在的缺陷，本专利技术第一方面提供一种Micro LED显示模组的制造方法，可提高相应转移方式的转移精度，减少因偏移导致的不良，提高显示模块的直通率，并能避免像素间的串扰效应。
[0009]为达到以上目的，本专利技术采取的技术方案是：
[0010]一种Micro LED显示模组的制造方法，该方法包括以下步骤：
[0011]在基片上形成定位结构，所述定位结构包括用于收容Micro LED芯片的斜面凹槽；
[0012]将加工的侧面具有斜度的Micro LED芯片转移至斜面凹槽内。
[0013]一些实施例中，所述在基片上形成定位结构，所述定位结构包括用于收容Micro LED芯片的斜面凹槽，包括：
[0014]所述基片包括依次设置的玻璃基板、腐蚀自停止层和牺牲材料层，在所述基片的牺牲材料层上设置抗腐蚀层，并对所述抗腐蚀层进行图形化处理，以形成相应的抗腐蚀掩膜；
[0015]按照所述抗腐蚀掩膜对牺牲材料层进行腐蚀；
[0016]去除牺牲材料层上的抗腐蚀掩膜，得到具有斜面凹槽的定位结构。
[0017]一些实施例中，在基片上形成定位结构之后，还包括：
[0018]在斜面凹槽的相对的两个斜面上设置反射层材料。
[0019]一些实施例中，所述反射层材料为银镜或铝膜。
[0020]一些实施例中，在将加工的侧面具有斜度的Micro LED芯片转移至斜面凹槽内之后，还包括：
[0021]将R、G量子点墨水注入到定位结构的斜面凹槽内，与蓝管配合实现全彩化显示。
[0022]一些实施例中，采用注射或打印的方式将R、G量子点墨水注入到定位结构的斜面凹槽内。
[0023]一些实施例中，在将R、G量子点墨水注入到定位结构的斜面凹槽内之后，还包括：
[0024]将定位结构以外的部位采用黑胶流平封装或喷墨处理；
[0025]将整体进行透明封装。
[0026]一些实施例中，通过UV胶或硅胶进行透明封装。
[0027]一些实施例中，通过静电转移、磁性吸附或流体组装的方式将Micro LED芯片转移至定位结构的斜面凹槽内。
[0028]本专利技术第二方面提供了一种Micro LED显示模组，其根据上述的制造方法制得。
[0029]与现有技术相比，本专利技术的优点在于：
[0030]本专利技术中的Micro LED显示模组的制造方法，其通过Micro LED芯片与定位结构相配合，提高相应转移方式的转移精度，减少因偏移导致的不良，提高显示模块的直通率；设置相应的定位结构，避免像素间的串扰效应，同时在定位结构上设置银镜等反射结构，可提高显示模块的亮度；采用量子点材料的全彩化方案，可提高RGB三色的色纯度，使显示满足高色域的要求；显示模组只有B
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LED，光衰一致，只需出厂矫正，无需后期矫正；先黑胶封装后透明封装，提高黑度的同时避免亮度的损失，有利于提高对比度。
附图说明
[0031]图1是本专利技术实施例中Micro LED显示模组的制造方法的流程图；
[0032]图2是常规的Micro LED芯片结构示意图；
[0033]图3是本专利技术实施例中侧面具有斜度的Micro LED芯片结构示意图；
[0034]图4是本专利技术实施例中基片的结构示意图；
[0035]图5是本专利技术实施例中抗腐蚀层按照相应的掩膜进行图形化处理的示意图；
[0036]图6是本专利技术实施例中按照抗腐蚀掩膜对牺牲材料层进行腐蚀的示意图；
[0037]图7是本专利技术实施例中去除牺牲材料层上的抗腐蚀掩膜后的结构示意图；
[0038]图8是本专利技术实施例中制作反射层后的结构示意图；
[0039]图9是本专利技术实施例中进行常规TFT阵列构建的示意图；
[0040]图10是本专利技术实施例中将Micro LED转移到定位结构中的示意图；
[0041]图11是本专利技术实施例中中将Micro LED转移后进行定位配合的示意图；
[0042]图12是本专利技术实施例中将R、G量子点墨水注入到定位结构中的示意图；
[0043]图13是本专利技术实施例中采用黑胶流平封装或喷墨处理的示意图；
[0044]图14是本专利技术实施例中整体进行透明封装的示意图。
具体实施方式
[0045]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0046]参见图1所示，本专利技术实施例公开了一种Micro LED显示模组的制造方法，该方法包括以下步骤：
[0047]S1.在基片上形成定位结构，所述定位结构包括用于收容Micro LED芯片的斜面凹槽。
[0048]值得说明的是，本专利技术实施例中的基片包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Micro LED显示模组的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：在基片上形成定位结构，所述定位结构包括用于收容Micro LED芯片的斜面凹槽；将加工的侧面具有斜度的Micro LED芯片转移至斜面凹槽内。2.根据权利要求1所述的一种Micro LED显示模组的制造方法，其特征在于：所述在基片上形成定位结构，所述定位结构包括用于收容Micro LED芯片的斜面凹槽，包括：所述基片包括依次设置的玻璃基板、腐蚀自停止层和牺牲材料层，在所述基片的牺牲材料层上设置抗腐蚀层，并对所述抗腐蚀层进行图形化处理，以形成相应的抗腐蚀掩膜；按照所述抗腐蚀掩膜对牺牲材料层进行腐蚀；去除牺牲材料层上的抗腐蚀掩膜，得到具有斜面凹槽的定位结构。3.根据权利要求1所述的一种Micro LED显示模组的制造方法，其特征在于，在基片上形成定位结构之后，还包括：在斜面凹槽的相对的两个斜面上设置反射层材料。4.根据权利要求3所述的一种Micro LED显示模组的制造方法，其特征在于：所述反射层材料为银镜或铝膜。5.根据权利要求1所述的一种M...

【专利技术属性】
技术研发人员：文波，谢宗贤，林远彬，李碧波，吴瑕，
申请(专利权)人：湖北芯映光电有限公司，
类型：发明
国别省市：