一种固体继电器及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种固体继电器及其制造方法，包括以下步骤：S1：功率组件的制得工艺；S2：印制板组件的制得工艺；S3：组合封装通过步骤S1制得的所述功率组件和通过步骤S2制得的所述印制板组件形成一个整体；本发明专利技术提供的固体继电器的制造方法通过功率组件和印制板组件的分体加工组合提高生产效率，降低成本；本发明专利技术提供的固体继电器根据上述制造方法制得，可靠耐用；本发明专利技术提供的固体继电器内置驱动电路，适用交流电网终端控制，具有可靠性能保证，并能有效降低传导骚扰。能有效降低传导骚扰。能有效降低传导骚扰。

【技术实现步骤摘要】
一种固体继电器及其制造方法


[0001]本专利技术涉及继电器
，具体涉及一种固体继电器及其制造方法。

技术介绍

[0002]固体继电器，是由微电子电路，分立电子器件，电力电子功率器件组成的无触点开关，控制端与负载端的隔离用光电耦合或脉冲信号，固态继电器的输入端用微小的控制信号，达到直接驱动大电流负载。
[0003]通常，交流固体继电器采用半导体器件可控硅作为开关器件，使得固体继电器具有很高的开关寿命。
[0004]然而，现有固态继电器的制造方法，大多采用液态环氧灌封胶灌封的方法进行封装，这种方法制造的固态继电器的密封性、导热性、可靠性均受到一定程度的限制，且制造成本较高、生产效率较低，不适合大批量制造。
[0005]在本部分中公开的以上信息仅用于对本公开的专利技术构思的背景的理解，因此，以上信息可包含不构成现有技术的信息。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种固体继电器的制造方法，通过功率组件和印制板组件的分体加工组合提高生产效率，降低成本。
[0007]为达成上述目的，本专利技术的解决方案为：一种固体继电器的制造方法，包括以下步骤：
[0008]S1：功率组件的制得工艺；
[0009]S1.1：将可控硅按电极方向贴装在DBC板上进行焊接；
[0010]S1.2：对所述可控硅进行铝丝邦定；
[0011]S1.3：将所述DBC板与底板贴合；
[0012]S1.4：在所述DBC板上放置对应所述可控硅的门极引出片及主电极输出端子并焊接，同时将所述DBC板与所述底板焊接；
[0013]S1.5：在底板周围嵌套外壳；
[0014]S1.6：采用密封胶对底板与外壳进行密封；
[0015]S1.7：在可控硅表面灌封硅凝胶；
[0016]S2：印制板组件的制得工艺；
[0017]S2.1：对PCB板的焊盘上锡；
[0018]S2.2：将光伏输出光耦、NPN三极管、PNP三极管、二极管、稳压二极管及电阻放置到PCB板上对应的各个焊盘上进行回流焊接；
[0019]S2.3：将发光二极管D1、MOS管进行手工焊接；
[0020]S2.4：焊接对应的输入接线端子及输出接线端子；
[0021]S3：组合封装通过步骤S1制得的所述功率组件和通过步骤S2制得的所述印制板组
件形成一个整体；
[0022]S3.1：将所述印制板组件上的孔位对准相应的所述功率组件的门极引出片及主电极输出端子；
[0023]S3.2：进行按压使印制板组件在外壳上按压盖紧，
[0024]S3.3：将门极引出片及主电极输出端子的引脚，按压在印制板组件对应的焊盘上进行焊接；
[0025]S3.4：在印制板组件表面灌封覆盖一层环氧树脂胶；
[0026]S3.5：将盖板进行对准外壳，将盖板上的卡扣卡在外壳对应的卡槽，最后在输入接线端子及输出接线端子上安装垫片及螺钉锁附，形成一个整体。
[0027]进一步的，所述步骤S1.1、S1.4及S1.5在真空烧结炉环境下进行。
[0028]进一步的，所述步骤S1中可控硅为裸晶。
[0029]进一步的，步骤S2.1中采用丝网印刷进行刷锡膏上锡。
[0030]进一步的，步骤S2.3中所述发光二极管和所述MOS管为插接件，所述发光二极管和所述MOS管的塑封壳朝所述印制板底层贴平。
[0031]本专利技术的目的还在于提供一种固体继电器，由上述的一种固体继电器的制造方法所制得，具有可靠性能保证，并能有效降低传导骚扰。
[0032]一种固体继电器，包含驱动电路，用于交流电网，所述驱动电路包括：光伏MOSFET响应回路、可控硅自锁回路、放电回路及交流电网输出端口；所述输出端口连接交流电网及负载回路；所述光伏MOSFET响应回路用于在收到光驱动信号且所述输出端口间电压小于所述可控硅自锁回路开启电压时，导通所述交流电网输出端口；所述可控硅自锁回路用于在所述输出端口间电压大于或等于所述可控硅自锁回路开启电压时，导通所述输出端口；所述放电回路用于在收到光驱动信号后，对所述光伏MOSFET响应回路进行放电以关断所述光伏MOSFET响应回路。
[0033]进一步的，所述光伏MOSFET响应回路包括：光伏输出光耦U1、电阻R9和R10、MOS管F1和F2；所述交流电网输出端口包括交流电网的第一输出端口和第二输出端口；所述光伏输出光耦U1外接控制电路以获取光驱动信号；所述光伏输出光耦U1阳极与所述电阻R9和R10相连接；所述电阻R9连接所述MOS管F1的栅极，所述电阻R10连接所述MOS管F2的栅极；所述光伏输出光耦U1的阴极与所述MOS管F1的源极和MOS管F2的漏极相连接。
[0034]进一步的，所述可控硅自锁回路包括：NPN三极管Q1、二极管D2、单向可控硅Q3和Q4、电阻R3、R4、R5、R6和R7；所述光伏输出光耦U1的阳极与所述NPN三极管Q1的集电极相连接；所述光伏输出光耦U1的阴极与所述电阻R3的、所述二极管D2的阳极、所述NPN三极管Q1的发射极相连接；所述单向可控硅Q3的阴极与所述单向可控硅Q4的阳极、所述第一输出端口、电阻R4和R6相连接；所述单向可控硅Q3的阳极与所述第二输出端口、单向可控硅Q4的阴极、所述电阻R5和R7相连接；所述单向可控硅Q3的门极与所述电阻R6的、所述MOS管F1的漏极相连接；所述单向可控硅Q4的门极与所述电阻R7的2端、所述MOS管F2的源极相连接；所述电阻R4和R5分别于与电阻R3、所述二极管D2的阴极、所述NPN三极管Q1的基极相连接，所述第一输出端口通过电阻R6与MOS管F1的漏极相连接,所述第二输出端口通过电阻R7与所述MOS管F2的源极相连接。
[0035]进一步的，所述放电回路包括：PNP三极管Q2、二极管D6、电阻R2和R13；所述PNP三
极管Q2的基极与所述二极管D6的阳极、所述电阻R13和R2、所述光伏输出光耦U1的阳极相连接；所述PNP三极管Q2的发射极与所述二极管D6的阴极、所述电阻R13、所述NPN三极管Q1的集电极相连；所述PNP三极管Q2的集电极与所述电阻R2、所述光伏输出光耦U1的阴极相连接。
[0036]进一步的，还包括滤波回路，所述滤波回路用于抵消所述光伏MOSFET响应回路、所述可控硅自锁回路及所述放电回路中电流跳变引起的传导骚扰。
[0037]进一步的，所述滤波回路包括：稳压二极管D3和D4；所述稳压二极管D3的阳极与所述第一输出端口相连接；所述稳压二极管D3的阴极与所述MOS管F1的漏极相连接；所述稳压二极管D4的阳极与所述第二输出端口相连接；所述稳压二极管D4的阴极与所述MOS管F2的源极相连接；所述滤波回路还包括：双向TVS管T1；所述双向TVS管T1一端与所述单向可控硅Q3的门极相连接，所述双向TVS管T1另一端与所述单向可控硅Q4的门极相连接；所述滤波回路还包括：压敏电阻MOV1；所述压敏电阻MOV1的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种固体继电器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：功率组件的制得工艺；S1.1：将可控硅按电极方向贴装在DBC板上进行焊接；S1.2：对所述可控硅进行铝丝邦定；S1.3：将所述DBC板与底板贴合；S1.4：在所述DBC板上放置对应所述可控硅的门极引出片及主电极输出端子并焊接，同时将所述DBC板与所述底板焊接；S1.5：在底板周围嵌套外壳；S1.6：采用密封胶对底板与外壳进行密封；S1.7：在可控硅表面灌封硅凝胶；S2：印制板组件的制得工艺；S2.1：对PCB板的焊盘上锡；S2.2：将光伏输出光耦、NPN三极管、PNP三极管、二极管、稳压二极管及电阻放置到PCB板上对应的各个焊盘上进行回流焊接；S2.3：将发光二极管D1、MOS管进行手工焊接；S2.4：焊接对应的输入接线端子及输出接线端子；S3：组合封装通过步骤S1制得的所述功率组件和通过步骤S2制得的所述印制板组件形成一个整体；S3.1：将所述印制板组件上的孔位对准相应的所述功率组件的门极引出片及主电极输出端子；S3.2：进行按压使印制板组件在外壳上按压盖紧，S3.3：将门极引出片及主电极输出端子的引脚，按压在印制板组件对应的焊盘上进行焊接；S3.4：在印制板组件表面灌封覆盖一层环氧树脂胶；S3.5：将盖板进行对准外壳，将盖板上的卡扣卡在外壳对应的卡槽，最后在输入接线端子及输出接线端子上安装垫片及螺钉锁附，形成一个整体。2.如权利要求1所述的一种固体继电器的制造方法，其特征在于，所述步骤S1.1、S1.4及S1.5在真空烧结炉环境下进行。3.如权利要求1所述的一种固体继电器的制造方法，其特征在于，所述步骤S1中可控硅为裸晶。4.如权利要求1所述的一种固体继电器的制造方法，其特征在于，步骤S2.1中采用丝网印刷进行刷锡膏上锡。5.如权利要求1所述的一种固体继电器的制造方法，其特征在于，步骤S2.3中所述发光二极管和所述MOS管为插接件，所述发光二极管和所述MOS管的塑封壳朝所述印制板底层贴平。6.一种固体继电器，其特征在于，由上述权利要求1
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5任一项所述的一种固体继电器的制造方法所制得由上述的一种固体继电器的制造方法所制得，包含驱动电路，用于交流电网，所述驱动电路包括：光伏MOSFET响应回路、可控硅自锁回路、放电回路及交流电网输出端口；所述输出端口连接交流电网及负载回路；所述光伏MOSFET响应回路用于在收到光驱
动信号且所述输出端口间电压小于所述可控硅自锁回路开启电压时，导通所述交流电网输出端口；所述可控硅自锁回路...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴盛源，林育超，
申请(专利权)人：库顿电子科技厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：