一种降低电磁干扰的驱动电路及固体继电器制造技术

本实用新型专利技术公开一种降低电磁干扰的驱动电路及固体继电器，用于交流电网，包括：光伏MOSFET响应回路、可控硅自锁回路、滤波回路、放电回路及交流电网输出端口；交流电网输出端口连接交流电网及负载回路；光伏MOSFET响应回路用于在收到光驱动信号且输出端口间电压大于可控硅自锁回路开启电压时，导通输出端口；可控硅自锁回路用于在输出端口间电压小于或等于可控硅自锁回路开启电压时，配合光伏MOSFET响应回路导通输出端口；放电回路用于在收到光驱动信号，对光伏MOSFET响应回路进行放电以关断光伏MOSFET响应回路；本实用新型专利技术提供的固体继电器具有上述驱动电路的优点，在对EMI有要求的场合也能使用该固体继电器。求的场合也能使用该固体继电器。求的场合也能使用该固体继电器。

【技术实现步骤摘要】
一种降低电磁干扰的驱动电路及固体继电器


[0001]本技术涉及交流固体继电器
，尤其是指一种降低电磁干扰的驱动电路及固体继电器。

技术介绍

[0002]固体继电器是具有隔离功能的电子开关，是由半导体器件和无源元件组成，利用光电子和微电子技术实现输出端和输入端之间的电耦合和电隔离，其具有与逻辑电路兼容、开关速度快、抗干扰能力强、对外界干扰小、寿命长和工作可靠等优点。
[0003]通常，交流固体继电器采用半导体器件可控硅作为开关器件，使得固体继电器具有很高的开关寿命。
[0004]然而，可控硅由于其触发方式和维持电流等因素，导致用交流固体继电器控制的回路，其回路电流并不像电压那样平滑，而是有跳变，当回路电流降低至维持电流时，可控硅关断，回路电流瞬间变为零，导致较大的传导骚扰。
[0005]过大的传导骚扰会导致设备工作异常，致使在对EMI有要求的场合无法使用交流固体继电器。
[0006]在本部分中公开的以上信息仅用于对本公开的技术构思的背景的理解，因此，以上信息可包含不构成现有技术的信息。

技术实现思路

[0007]本技术的目的在于提供一种降低电磁干扰的驱动电路及固体继电器，通过实现继电器功能的同时增加滤波电路，使其具有可靠性能保证，并能有效降低传导骚扰。
[0008]为达成上述目的，本技术的解决方案为：一种降低电磁干扰的驱动电路，用于交流电网，其特征在于，包括：光伏MOSFET响应回路、可控硅自锁回路、放电回路及交流电网输出端口；所述输出端口连接交流电网及负载回路；所述光伏MOSFET响应回路用于在收到光驱动信号且所述输出端口间电压小于所述可控硅自锁回路开启电压时，导通所述交流电网输出端口；所述可控硅自锁回路用于在所述输出端口间电压大于或等于所述可控硅自锁回路开启电压时，导通所述输出端口；所述放电回路用于在收到光驱动信号后，对所述光伏MOSFET响应回路进行放电以关断所述光伏MOSFET响应回路。
[0009]进一步的，所述光伏MOSFET响应回路包括：光伏输出光耦U1、电阻R9和R10、MOS管F1和F2；所述交流电网输出端口包括交流电网的第一输出端口和第二输出端口；所述光伏输出光耦U1外接控制电路以获取光驱动信号；所述光伏输出光耦U1阳极与所述电阻R9和R10相连接；所述电阻R9连接所述MOS管F1的栅极，所述电阻R10连接所述MOS管F2的栅极；所述光伏输出光耦U1的阴极与所述MOS管F1的源极和MOS管F2的漏极相连接。
[0010]进一步的，所述可控硅自锁回路包括：NPN三极管Q1、二极管D2、单向可控硅Q3和Q4、电阻R3、R4、R5、R6和R7；所述光伏输出光耦U1的阳极与所述NPN三极管Q1的集电极相连接；所述光伏输出光耦U1的阴极与所述电阻R3的、所述二极管D2的阳极、所述NPN三极管Q1
的发射极相连接；所述单向可控硅Q3的阴极与所述单向可控硅Q4的阳极、所述第一输出端口、电阻R4和R6相连接；所述单向可控硅Q3的阳极与所述第二输出端口、单向可控硅Q4的阴极、所述电阻R5和R7相连接；所述单向可控硅Q3的门极与所述电阻R6的、所述MOS管F1的漏极相连接；所述单向可控硅Q4的门极与所述电阻R7的2端、所述MOS管F2的源极相连接；所述电阻R4和R5分别于与电阻R3、所述二极管D2的阴极、所述NPN三极管Q1的基极相连接，所述第一输出端口通过电阻R6与MOS管F1的漏极相连接,所述第二输出端口通过电阻R7与所述MOS管F2的源极相连接。
[0011]进一步的，所述放电回路包括：PNP三极管Q2、二极管D6、电阻R2和R13；所述PNP三极管Q2的基极与所述二极管D6的阳极、所述电阻R13和R2、所述光伏输出光耦U1的阳极相连接；所述PNP三极管Q2的发射极与所述二极管D6的阴极、所述电阻R13、所述NPN三极管Q1的集电极相连；所述PNP三极管Q2的集电极与所述电阻R2、所述光伏输出光耦U1的阴极相连接。
[0012]进一步的，还包括滤波回路，所述滤波回路用于抵消所述光伏MOSFET响应回路、所述可控硅自锁回路及所述放电回路中电流跳变引起的传导骚扰。
[0013]进一步的，所述滤波回路包括：稳压二极管D3和D4；所述稳压二极管D3的阳极与所述第一输出端口相连接；所述稳压二极管D3的阴极与所述MOS管F1的漏极相连接；所述稳压二极管D4的阳极与所述第二输出端口相连接；所述稳压二极管D4的阴极与所述MOS管F2的源极相连接。
[0014]所述滤波回路还包括：双向TVS管T1；所述双向TVS管T1一端与所述单向可控硅Q3的门极相连接，所述双向TVS管T1另一端与所述单向可控硅Q4的门极相连接。
[0015]所述滤波回路还包括：压敏电阻MOV1；所述压敏电阻MOV1的一端与所述单向可控硅Q3的阴极相连接,所述压敏电阻MOV1的另一端与所述单向可控硅Q4的阴极相连接。
[0016]所述滤波回路还包括：电容C2和电阻R14，所述电容C2的一端与所述单向可控硅Q3的阴极相连接；所述电容C2的另一端与所述电阻R14相连接；所述电阻R14与所述单向可控硅Q4的阴极相连接。
[0017]本技术还提供一种固体继电器，包括壳体、PCB板、DBC板、控制电路和所述的一种降低电磁干扰的驱动电路，PCB板和DBC板安装在壳体内，控制电路和驱动电路设置在PCB板和DBC板上。
[0018]进一步的，所述控制电路包括输入端口、控制光伏回路及指示灯回路；所述输入端口接收外部电压动作；所述控制光伏回路用于响应外部电压动作对所述光伏MOSFET响应回路提供光驱动信号；所述指示灯回路用于指示工作状态。
[0019]进一步的，所述输入端口包括第一输入端口和第二输入端口；所述控制光伏回路包括二极管D5、电容C1、电阻R1、R8和R12；所述指示灯回路包括发光二极管D1和电阻R11；所述二极管D5的阳极与所述第一输入端口相连接；所述二极管D5的阴极与所述发光二极管D1的阳极、所述电阻R12、所述电容C1、所述光伏输出光耦U1的阳极相连接；所述发光二极管D1的阴极与所述电阻R11相连接；所述电阻R12与所述电容C1、所述光伏输出光耦U1的阴极、所述电阻R1相连接；所述电阻R1与所述电阻R8相连接；所述第二输入端口与所述述电阻R8、R11相连接。
[0020]采用上述方案后，本技术的增益效果在于：
[0021]1、本技术提供的驱动电路采用光伏MOSFET响应回路实现在交流电网在没有达到可控硅自锁回路的触发条件时导通连接交流电网的输出端口。
[0022]2、本技术提供的驱动电路采用可控硅自锁回路实现交流电网在达到可控硅自锁回路的触发条件时配合光伏MOSFET响应回路实现导通连接交流电网的输出端口。
[0023]3、本技术提供的驱动电路采用MOSFET放电回路进行快速放电使交流电网的输出端口快速关断。
[0024]4、本技术提供的驱动电路采用滤波回路降本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低电磁干扰的驱动电路，用于交流电网，其特征在于，包括：光伏MOSFET响应回路、可控硅自锁回路、放电回路及交流电网输出端口；所述输出端口连接交流电网及负载回路；所述光伏MOSFET响应回路用于在收到光驱动信号且所述输出端口间电压小于所述可控硅自锁回路开启电压时，导通所述交流电网输出端口；所述可控硅自锁回路用于在所述输出端口间电压大于或等于所述可控硅自锁回路开启电压时，导通所述输出端口；所述放电回路用于在收到光驱动信号后，对所述光伏MOSFET响应回路进行放电以关断所述光伏MOSFET响应回路。2.如权利要求1所述的一种降低电磁干扰的驱动电路，其特征在于：所述光伏MOSFET响应回路包括：光伏输出光耦U1、电阻R9和R10、MOS管F1和F2；所述交流电网输出端口包括交流电网的第一输出端口和第二输出端口；所述光伏输出光耦U1外接控制电路以获取光驱动信号；所述光伏输出光耦U1阳极与所述电阻R9和R10相连接；所述电阻R9连接所述MOS管F1的栅极，所述电阻R10连接所述MOS管F2的栅极；所述光伏输出光耦U1的阴极与所述MOS管F1的源极和MOS管F2的漏极相连接。3.如权利要求2所述的一种降低电磁干扰的驱动电路，其特征在于：所述可控硅自锁回路包括：NPN三极管Q1、二极管D2、单向可控硅Q3和Q4、电阻R3、R4、R5、R6和R7；所述光伏输出光耦U1的阳极与所述NPN三极管Q1的集电极相连接；所述光伏输出光耦U1的阴极与所述电阻R3的、所述二极管D2的阳极、所述NPN三极管Q1的发射极相连接；所述单向可控硅Q3的阴极与所述单向可控硅Q4的阳极、所述第一输出端口、电阻R4和R6相连接；所述单向可控硅Q3的阳极与所述第二输出端口、单向可控硅Q4的阴极、所述电阻R5和R7相连接；所述单向可控硅Q3的门极与所述电阻R6的、所述MOS管F1的漏极相连接；所述单向可控硅Q4的门极与所述电阻R7的2端、所述MOS管F2的源极相连接；所述电阻R4和R5分别于与电阻R3、所述二极管D2的阴极、所述NPN三极管Q1的基极相连接，所述第一输出端口通过电...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴盛源，林育超，
申请(专利权)人：库顿电子科技厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：