一种提高WRe/TZM合金靶盘密度及密度均匀性的方法技术

技术编号:37715756 阅读:11 留言:0更新日期:2023-06-02 00:11
本发明专利技术公开了一种提高WRe/TZM合金靶盘密度及密度均匀性的方法,具体包括:制备两种WRe合金粉末并混合;制备两种TZM合金粉末并混合;压制混合后的WRe合金粉末与TZM合金粉末,得到WRe/TZM合金复合压坯;氢气保护,高温烧结得到WRe/TZM合金复合烧结坯;高温锻造得到WRe/TZM合金复合锻造坯;氢气保护,热处理得到WRe/TZM合金复合坯料;机械加工,得到WRe/TZM合金靶盘。采用本发明专利技术制造的WRe/TZM合金靶盘,其密度及密度均匀性均得到了提高,且不会出现靶面龟裂的缺陷,从而提高了CT球管用大容量旋转靶盘的性能和使用寿命。的性能和使用寿命。的性能和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种提高WRe/TZM合金靶盘密度及密度均匀性的方法


[0001]本专利技术涉及CT球管用大容量旋转靶盘制造
,具体是一种提高CT球管用大容量旋转靶盘的WRe/TZM合金靶盘密度及密度均匀性的方法。

技术介绍

[0002]CT球管用大容量旋转靶盘一般是由WRe/TZM金属靶盘和石墨靶盘连接而成的,其中的WRe/TZM合金靶盘用于产生X射线,石墨靶盘用于对WRe/TZM合金靶盘进行散热。
[0003]现有WRe/TZM合金靶盘制造方法:采用WRe合金粉末和TZM合金粉末作为原料,依次经压制成型、烧结、锻造、热处理,制造出WRe/TZM合金靶盘。
[0004]上述方法中,通常采用具有单一粉末颗粒尺寸峰值分布(粉末颗粒尺寸峰值一般为2

5um)的WRe合金粉末,和具有单一粉末颗粒尺寸峰值分布(粉末颗粒尺寸峰值一般为3

5um)的TZM合金粉末作为原料。制造时,首先制备WRe合金和TZM合金的复合压坯,然后对复合压坯进行烧结、锻造、热处理以及机械加工,由此得到WRe/TZM合金靶盘。
[0005]采用上述方法的不足之处在于:采用单一粉末颗粒尺寸峰值分布的粉末制备的WRe/TZM合金靶盘,由于WRe层与TZM层之间存在相结构的不匹配,因此会在WRe层与TZM层之间残存有较大的层间结合应力,从而会导致WRe层的密度不均匀、晶粒尺寸不均匀以及WRe层内有残余拉应力。
[0006]因此,会造成WRe/TZM合金靶盘在后期的钎焊以及使用过程中,在高温条件下,或者在高能电子束的轰击下,容易出现靶面龟裂的缺陷,从而影响CT机球管的射线性能,降低靶盘的使用寿命。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的是为了克服现有技术存在的缺陷和不足,提供一种提高WRe/TZM合金靶盘密度及密度均匀性的方法,用于制造WRe/TZM合金靶盘,能够提高WRe/TZM合金靶盘的密度及密度均匀性,且不会出现靶面龟裂的缺陷,以此来提高CT球管用大容量旋转靶盘的性能和使用寿命。
[0008]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:
[0009]一种提高WRe/TZM合金靶盘密度及密度均匀性的方法,其特征在于:具体包括以下步骤:
[0010]S1.制备粉末颗粒尺寸单一峰值为2.0um分布的WRe合金粉末,以及粉末颗粒尺寸单一峰值为3.5um分布的WRe合金粉末;
[0011]S2.将两种粉末颗粒尺寸单一峰值分布的WRe合金粉末进行混合,制备成粉末颗粒尺寸双峰分布的WRe合金粉末,其中碳含量<30ppm,氧含量<230ppm,待用;
[0012]S3.制备粉末颗粒尺寸单一峰值为2.5um分布的TZM合金粉末,以及粉末颗粒尺寸单一峰值为4.5um分布的TZM合金粉末;
[0013]S4.将两种粉末颗粒尺寸单一峰值分布的TZM合金粉末进行混合,制备成粉末颗粒
尺寸双峰分布的TZM合金粉末,其中碳含量为100

400ppm,氧含量<230ppm,待用;
[0014]S5.将由所述步骤S2和S4分别对应制备成的WRe合金粉末和TZM合金粉末,压制成WRe/TZM合金复合压坯;
[0015]S6.采用氢气保护,对所述的WRe/TZM合金复合压坯进行高温烧结,得到WRe/TZM合金复合烧结坯;
[0016]S7.对所述的WRe/TZM合金复合烧结坯进行高温锻造,得到WRe/TZM合金复合锻造坯;
[0017]S8.采用氢气保护,对所述的WRe/TZM合金复合锻造坯进行热处理,得到WRe/TZM合金复合坯料;
[0018]S9.采用机械加工,将所述的WRe/TZM合金复合坯料加工至规定的尺寸,得到WRe/TZM合金靶盘。
[0019]进一步的,所述的步骤S1和S3中,两种粉末颗粒尺寸单一峰值分布的WRe合金粉末均采用液

液法制备而成,两种粉末颗粒尺寸单一峰值分布的TZM合金粉末均采用液

固法制备而成。
[0020]进一步的,采用液

液法制备两种粉末颗粒尺寸单一峰值分布的WRe合金粉末的方法为:
[0021]首先,采用钨酸铵和铼酸铵作为原料,按照WRe合金中的钨和铼的比例计算所需的各成分重量,将玻璃料杯放置在温度为80

90℃的水浴中,再向玻璃料杯中加入纯净水,分别配制钨酸铵溶液和铼酸铵溶液,并进行充分搅拌,直至钨酸铵和铼酸铵完全溶解,然后将铼酸铵溶液倒入钨酸铵溶液中,继续搅拌,直至水分蒸干,将玻璃料杯从水浴中取出,自然冷却至室温,得到固体颗粒;
[0022]然后,将固体颗粒送入烘箱,在120℃的温度下烘干,直至水分完全蒸干为止,取出后,用钨棒进行破碎,再用120目的标准筛过筛,得到粉末,待用;
[0023]制备单一峰值为2.0um分布的WRe合金粉末时,将过筛后的粉末装入烧舟中,每个烧舟装1000

5000g的粉末;然后,将装有粉末的烧舟送入氢气还原炉中,在800

920℃下还原3

5h,经冷却后过筛,得到单一峰值为2.0um分布的WRe合金粉末;
[0024]制备单一峰值为3.5um分布的WRe合金粉末时,将过筛后的粉末装入烧舟中,每个烧舟装1000

5000g的粉末;然后,将装有粉末的烧舟送入氢气还原炉中,在950

1100℃下还原1

3h,经冷却后过筛,得到单一峰值为3.5um分布的WRe合金粉末;
[0025]采用液

固法制备两种粉末颗粒尺寸单一峰值分布的TZM合金粉末的方法为:
[0026]首先,采用钼酸铵、钛粉、锆粉、石墨粉作为原料,按照TZM合金中钼、钛、锆和石墨的比例计算所需的各成分重量,将玻璃料杯放置在温度为80

90℃的水浴中,再向玻璃料杯中加入纯净水,然后加入钼酸铵,进行充分搅拌,直至钼酸铵完全溶解,随后依次将钛粉、锆粉、石墨粉倒入钼酸铵溶液中,不断搅拌,直至水分蒸干,将玻璃料杯从水浴中取出,自然冷却至室温,得到固体颗粒;
[0027]然后,将固体颗粒送入烘箱,在120℃的温度下烘干,直至水分完全蒸干为止,取出后,用钼棒进行破碎,再用120目标准筛过筛,得到粉末,待用;
[0028]制备单一峰值为2.5um分布的TZM合金粉末时,将过筛后的粉末装入烧舟中,每个烧舟装1000

3000g的粉末;然后,将装有粉末的烧舟送入氢气还原炉中,在600

800℃下还
原3

5h,经冷却后过筛,得到单一峰值为2.5um分布的TZM合金粉末;
[0029]制备单一峰值为4.5um分布的TZM合金粉末时,将过筛后的粉末装入烧舟中,每个烧舟装1000

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高WRe/TZM合金靶盘密度及密度均匀性的方法,其特征在于:具体包括以下步骤:S1.制备粉末颗粒尺寸单一峰值为2.0um分布的WRe合金粉末,以及粉末颗粒尺寸单一峰值为3.5um分布的WRe合金粉末;S2.将两种粉末颗粒尺寸单一峰值分布的WRe合金粉末进行混合,制备成粉末颗粒尺寸双峰分布的WRe合金粉末,其中碳含量<30ppm,氧含量<230ppm,待用;S3.制备粉末颗粒尺寸单一峰值为2.5um分布的TZM合金粉末,以及粉末颗粒尺寸单一峰值为4.5um分布的TZM合金粉末;S4.将两种粉末颗粒尺寸单一峰值分布的TZM合金粉末进行混合,制备成粉末颗粒尺寸双峰分布的TZM合金粉末,其中碳含量为100

400ppm,氧含量<230ppm,待用;S5.将由所述步骤S2和S4分别对应制备成的WRe合金粉末和TZM合金粉末,压制成WRe/TZM合金复合压坯;S6.采用氢气保护,对所述的WRe/TZM合金复合压坯进行高温烧结,得到WRe/TZM合金复合烧结坯;S7.对所述的WRe/TZM合金复合烧结坯进行高温锻造,得到WRe/TZM合金复合锻造坯;S8.采用氢气保护,对所述的WRe/TZM合金复合锻造坯进行热处理,得到WRe/TZM合金复合坯料;S9.采用机械加工,将所述的WRe/TZM合金复合坯料加工至规定的尺寸,得到WRe/TZM合金靶盘。2.根据权利要求1所述的一种提高WRe/TZM合金靶盘密度及密度均匀性的方法,其特征在于:所述的步骤S1和S3中,两种粉末颗粒尺寸单一峰值分布的WRe合金粉末均采用液

液法制备而成,两种粉末颗粒尺寸单一峰值分布的TZM合金粉末均采用液

固法制备而成。3.根据权利要求2所述的一种提高WRe/TZM合金靶盘密度及密度均匀性的方法,其特征在于:采用液

液法制备两种粉末颗粒尺寸单一峰值分布的WRe合金粉末的方法为:首先,采用钨酸铵和铼酸铵作为原料,按照WRe合金中的钨和铼的比例计算所需的各成分重量,将玻璃料杯放置在温度为80

90℃的水浴中,再向玻璃料杯中加入纯净水,分别配制钨酸铵溶液和铼酸铵溶液,并进行充分搅拌,直至钨酸铵和铼酸铵完全溶解,然后将铼酸铵溶液倒入钨酸铵溶液中,继续搅拌,直至水分蒸干,将玻璃料杯从水浴中取出,自然冷却至室温,得到固体颗粒;然后,将固体颗粒送入烘箱,在120℃的温度下烘干,直至水分完全蒸干为止,取出后,用钨棒进行破碎,再用120目的标准筛过筛,得到粉末,待用;制备单一峰值为2.0um分布的WRe合金粉末时,将过筛后的粉末装入烧舟中,每个烧舟装1000

5000g的粉末;然后,将装有粉末的烧舟送入氢气还原炉中,在800

920℃下还原3

5h,经冷却后过筛,得到单一峰值为2.0um分布的WRe合金粉末;制备单一峰值为3.5um分布的WRe合金粉末时,将过筛后的粉末装入烧舟中,每个烧舟装1000

5000g的粉末;然后,将装有粉末的烧舟送入氢气还原炉中,在950

1100℃下还原1

3h,经冷却后过筛,得到单一峰值为3.5um分布的WRe合金粉末;采用液

固法制备两种粉末颗粒尺寸单一峰值分布的TZM合金粉末的方法为:首先,采用钼酸铵、钛粉、锆粉、石墨粉作为原料,按照TZM合金中钼、钛、锆和石墨的比
例计算所需的各成分重量,将玻璃料杯放置在温度为80

90℃的水浴中,再向玻璃料杯中加入纯净水,然后加入钼酸铵,进行充分搅拌,直至钼酸铵完全溶解,随后依次将钛粉、锆粉、石墨粉倒入钼酸铵溶液中,不断搅拌,直至水分蒸干,将玻璃料杯从水浴中取出,自然冷却至室温,得到固体颗粒;然后,将固体颗粒送入烘箱,在120℃的温度下烘干,直至水分完全蒸干为止,取出后,用钼棒进行破碎,再用120目标准筛过筛,得到粉末,待用;制备单一峰值为2.5um分布的TZM合金粉末时,将过筛后的粉末装入烧舟中,每个烧舟装1000

3000g的粉末...

【专利技术属性】
技术研发人员:仇治勤王涛方兴权袁江胜杨波张意胡忠娟徐林朱晓峰唐开龙罗建军时晓明
申请(专利权)人:安庆瑞迈特科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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