本发明专利技术涉及一种制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备，包括：打磨设备，设置在所述打磨设备内部一侧的夹取臂，设置在所述打磨设备内部另一侧的驱动电机，设置在所述驱动电机底端的打磨台，设置在所述打磨台底端的支撑台，且所述打磨台与所述支撑台相互不接触；所述打磨台内部的底端设置有凹槽，所述凹槽的内部固定连接有调节部；所述打磨台与所述支撑台之间设置有供料部，且所述供料部在所述打磨设备上呈转动连接设计；打磨设备在使用时，可以通过供料部将磷化铟衬底输送至打磨台与支撑台之间，在输送的过程中，供料部被压缩，进而供料部上的磷化铟衬底能够与调节部的底端面相接触，使得达到清理磷化铟衬底表面的效果。得达到清理磷化铟衬底表面的效果。得达到清理磷化铟衬底表面的效果。
【技术实现步骤摘要】
一种制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备及生产方法
[0001]本专利技术涉及磷化铟衬底
，具体而言，涉及一种制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备。
技术介绍
[0002]随着现在社会的发展，科技不断地进步，磷化铟技术得以迅速发展，磷化铟是一种重要的化合物半导体材料，其具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度高等诸多优点，磷化铟和砷化镓相比，电学等物理性质优势突出，在半导体光通信领域应用占据优势，因此逐渐成为主流半导体材料之一，未来，在数据中心、5G通信、可穿戴设备等新兴市场需求的带动下，磷化铟衬底市场规模将持续扩大，进一步促进下游应用领域的发展；但是通过磷化铟制成的衬底在生产的过程中往往需要提前对表面进行打磨，但是在打磨之前，磷化铟衬底表面会有一些灰尘和杂质，如果不及时对其表面进行清洗，在打磨的过程中有可能会损坏磷化铟衬底的表面，并且，在打磨的同时无法区别良品与次品；因此，需要一种新型的制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备进行替代。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的是提供一种制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备及生产方法。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备，包括：打磨设备，设置在所述打磨设备顶端一侧的打磨台，设置在所述打磨台底端的支撑台，且所述打磨台与所述支撑台相互不接触；所述打磨台内部的底端设置有凹槽，所述凹槽的内部固定连接有调节部；所述打磨台与所述支撑台之间设置有供料部，且所述供料部在所述打磨设备上呈转动连接设计；其中驱动所述供料部，所述供料部能够在所述打磨台与所述支撑台之间旋转，所述调节部能够压缩所述供料部，以使所述调节部能够刮式磷化铟衬底；反向驱动所述供料部，所述调节部能够抬起所述供料部，以使磷化铟衬底能够掉落至所述支撑台的内部。
[0005]进一步的，所述打磨设备内部的一侧设置有夹取臂，所述打磨设备内部的另一侧设置有驱动电机；其中所述夹取臂适于夹取磷化铟衬底。
[0006]进一步的，所述供料部包括设置在所述打磨台与所述支撑台之间的供料台，贯穿在所述供料台中间位置处的驱动轴，等间距环形开设在所述供料台边缘位置处的若干个磷化铟衬底槽，以及设置在若干个所述磷化铟衬底槽内部的磷化铟衬底架；其中驱动所述驱动轴，所述供料台能够在所述打磨设备上旋转，以使磷化铟衬底能够输送至所述打磨台打磨。
[0007]进一步的，所述供料部还包括开设在所述磷化铟衬底架一侧的升降槽，贯穿在所述升降槽内部顶端的升降杆，缠绕在所述升降杆外表面的伸缩弹簧，且所述伸缩弹簧与所述升降槽内壁的顶端固定连接；所述升降槽的内部转动连接有转动杆；其中驱动所述供料
台，所述调节部能够压缩所述升降杆，以使所述调节部能够刮式磷化铟衬底；反向驱动所述供料台，所述调节部能够抬起所述升降杆，以使磷化铟衬底能够掉落至所述支撑台的内部。
[0008]进一步的，所述升降杆的横截面呈T型设计；其中所述调节部适于压缩或抬升所述升降杆。
[0009]进一步的，所述调节部包括固定连接在所述凹槽内部的调节板，开设在所述调节板内部的弧形槽；其中所述弧形槽的横截面大于所述升降杆底端的横截面，所述弧形槽的横截面小于所述升降杆顶端的横截面。
[0010]进一步的，所述弧形槽与所述供料台之间呈同心设计。
[0011]进一步的，所述调节部还包括设置在所述调节板一侧的第一斜面，设置在所述调节板另一侧的第二斜面；其中驱动所述供料台，所述升降杆能够与所述第一斜面相抵触，以使所述调节板能够刮式磷化铟衬底；反向驱动所述供料台，所述升降杆能够与所述第二斜面相抵触，以使磷化铟衬底能够掉落至所述支撑台的内部。
[0012]进一步的，所述调节板的横截面呈平行四边形设计。
[0013]进一步的，所述打磨设备一侧的底端设置有第二传送带；所述支撑台内部的底端开设有限位滑道，所述限位滑道的内部开设有出料口；其中磷化铟衬底掉落至所述支撑台内部时，磷化铟衬底能够从所述出料口穿出至第二传送带上。
[0014]进一步的，所述打磨设备一侧的顶端设置有第一传送带，且所述第一传送带与所述供料台呈平行设计。
[0015]进一步的，将磷化铟衬底放置在第一传送带上，通过第一传送带传送磷化铟衬底至供料台；正向驱动供料台，使得供料台带动磷化铟衬底旋转至打磨台与支撑台之间，继续驱动供料台，升降杆抵触第一斜面，升降杆能够被压缩至下沉，通过升降杆挤压转动杆，以使磷化铟衬底能够被转动杆抬起且与调节板相摩擦；反向驱动供料台，升降杆抵触第二斜面，使得升降杆被抬升，通过转动杆反向方转动，磷化铟衬底能够从磷化铟衬底架的内部脱出，以使磷化铟衬底从出料口掉落至第二传送带。
[0016]本专利技术的有益效果是，本专利技术的打磨设备在使用的过程中，可以通过供料部将磷化铟衬底输送至打磨台与支撑台之间，在输送的过程中，供料部能够与调节部之间相互抵触，供料部被压缩，进而供料部上的磷化铟衬底能够与调节部的底端面相接触，使得达到清理磷化铟衬底表面的效果；并且，当磷化铟衬底在打磨台的下方被打磨结束后，如果磷化铟衬底属于良品，可直接反向驱动供料部，通过供料部与调节部相接触，供料部被抬升，进而磷化铟衬底能够从供料部中掉至第二传送带上，二次品则会跟随供料部继续旋转输送至夹取臂下方被夹走。
附图说明
[0017]下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。
[0018]图1是本专利技术的一种制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备的优选实施例的立体图；图2是本专利技术的一种制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备的优选实施例的立体剖面图；
图3是本专利技术的图2中A处的优选实施例的结构放大图；图4是本专利技术的供料部的优选实施例的立体剖面图；图5是本专利技术的图4中B处的优选实施例的结构放大图；图6是本专利技术的调节部的优选实施例的立体；图7是本专利技术的调节部的优选实施例的主视剖面图。
[0019]图中：打磨设备1、夹取臂11、驱动电机12；第一传送带2、第二传送带3；打磨台4、凹槽41；支撑台5、限位滑道51、出料口52；供料部6、供料台61、驱动轴611、磷化铟衬底槽612、磷化铟衬底架62、升降槽63、升降杆631、转动杆632、伸缩弹簧633；调节部7、调节板71、弧形槽711、第一斜面72、第二斜面73。
具体实施方式
[0020]现在结合附图对本专利技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本专利技术的基本结构，因此其仅显示与本专利技术有关的构成。
实施例一
[0021]在磷化铟衬底中，需要提高表面的平坦度以有助于与提高器件性能直接相关的结构的小型化和复杂化，因此需要通过抛光来决定衬底表面的平坦度；但是衬底表面的平坦度不仅受到抛光条件的影响，而且还受到衬底特性的影响，进而上述衬底可应用掺杂钛元素的磷化铟化合物半导体材料。
[0022]请参阅图1
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7，制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备，包括：打磨设备1，夹取臂11，驱动电机本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备，其特征在于，包括：打磨设备（1），设置在所述打磨设备（1）顶端一侧的打磨台（4），设置在所述打磨台（4）底端的支撑台（5），且所述打磨台（4）与所述支撑台（5）相互不接触；所述打磨台（4）内部的底端设置有凹槽（41），所述凹槽（41）的内部固定连接有调节部（7）；所述打磨台（4）与所述支撑台（5）之间设置有供料部（6），且所述供料部（6）在所述打磨设备（1）上呈转动连接设计；其中驱动所述供料部（6），所述供料部（6）能够在所述打磨台（4）与所述支撑台（5）之间旋转，所述调节部（7）能够压缩所述供料部（6），以使所述调节部（7）能够刮式磷化铟衬底；反向驱动所述供料部（6），所述调节部（7）能够抬起所述供料部（6），以使磷化铟衬底能够掉落至所述支撑台（5）的内部。2.如权利要求1所述的一种制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备，其特征在于，所述打磨设备（1）内部的一侧设置有夹取臂（11），所述打磨设备（1）内部的另一侧设置有驱动电机（12）；其中所述夹取臂（11）适于夹取磷化铟衬底。3.如权利要求2所述的一种制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备，其特征在于，所述供料部（6）包括设置在所述打磨台（4）与所述支撑台（5）之间的供料台（61），贯穿在所述供料台（61）中间位置处的驱动轴（611），等间距环形开设在所述供料台（61）边缘位置处的若干个磷化铟衬底槽（612），以及设置在若干个所述磷化铟衬底槽（612）内部的磷化铟衬底架（62）；其中驱动所述驱动轴（611），所述供料台（61）能够在所述打磨设备（1）上旋转，以使磷化铟衬底能够输送至所述打磨台（4）打磨。4.如权利要求3所述的一种制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备，其特征在于，所述供料部（6）还包括开设在所述磷化铟衬底架（62）一侧的升降槽（63），贯穿在所述升降槽（63）内部顶端的升降杆（631），缠绕在所述升降杆（631）外表面的伸缩弹簧（633），且所述伸缩弹簧（633）与所述升降槽（63）内壁的顶端固定连接；所述升降槽（63）的内部转动连接有转动杆（632）；其中驱动所述供料台（61），所述调节部（7）能够压缩所述升降杆（631），以使所述调节部（7）能够刮式磷化铟衬底；反向驱动所述供料台（61），所述调节部（7）能够抬起所述升降杆（631），以使磷化铟衬底能够掉落至所述支撑台（5）的内部。5.如权利要求4所述的一种制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备，其特征在于，所述升降杆（631）的横截面呈T型设计；其中所述调节部（7）适于压缩或抬升所述升降杆（631）。6.如权利要求5所述的一种制...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘功寰，李存，顾正伟，
申请(专利权)人：苏州中砥半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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