一种用于磷化铟晶体的制备装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于磷化铟晶体的制备装置，包括：平台、以及设置在平台顶部的制备组件；所述制备组件包括上箱体与下箱体，所述上箱体与所述下箱体通过铰接件配合连接，所述上箱体与下箱体内部合围空间设置有制备筒，所述制备筒内部设置有制备腔，所述制备腔内侧沿周向设置有若干个加热管；所述制备筒一端设置有联轴器，所述联轴器贯穿所述制备组件，所述联轴器一端设置有转动机构，所述转动机构能够带动所述制备筒旋转；所述平台一侧设置有操作面板，所述操作面板上设置有显示屏，所述显示屏能够显示制备腔内的画面。能够显示制备腔内的画面。能够显示制备腔内的画面。

【技术实现步骤摘要】
一种用于磷化铟晶体的制备装置


[0001]本专利技术涉及一种制备装置，尤其涉及一种用于磷化铟晶体的制备装置。

技术介绍

[0002]磷化铟是一种化学物质，是沥青光泽的深灰色晶体，用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法，并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延，多采用In
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PCl3
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H2系统的歧化法，在该工艺中用铟(99.9999％)和三氯化磷(99.999％)之间的反应来生长磷化铟层。气相外延将石英反应管放在双温区电炉中，已净化的高纯氢气经计量通入，氢气也用来稀释三氯化磷，此时彭泡器保持在0℃，通过反应管内的氢气线速度为14cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。在第一阶段，将盛有铟的石英舟放在电炉中源区，通入氢气并加热到700～850℃，再用氢气将三氯化磷引入，在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。在第二阶段，铟源保持在原位置不加热，单晶衬底放在电炉的第二加温区后，在氢气氛下加热到600～750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于磷化铟晶体的制备装置，包括：平台、以及设置在平台顶部的制备组件；其特征在于，所述制备组件包括上箱体与下箱体，所述上箱体与所述下箱体通过铰接件配合连接，所述上箱体与下箱体内部合围空间设置有制备筒，所述制备筒内部设置有制备腔，所述制备腔内侧沿周向设置有若干个加热管；所述制备筒一端设置有联轴器，所述联轴器贯穿所述制备组件，所述联轴器一端设置有转动机构，所述转动机构能够带动所述制备筒旋转；所述平台一侧设置有操作面板，所述操作面板上设置有显示屏，所述显示屏能够显示制备腔内的画面。2.根据权利要求1所述的一种用于磷化铟晶体的制备装置，其特征在于，所述平台一侧设置有急停按钮。3.根据权利要求1所述的一种用于磷化铟晶体的制备装置，其特征在于，所述平台底部四角均设置有支脚，所述支脚与所述平台之间设置有减震机构。...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘功寰，
申请(专利权)人：苏州中砥半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：