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本发明涉及一种用于磷化铟晶体的制备装置，包括：平台、以及设置在平台顶部的制备组件；所述制备组件包括上箱体与下箱体，所述上箱体与所述下箱体通过铰接件配合连接，所述上箱体与下箱体内部合围空间设置有制备筒，所述制备筒内部设置有制备腔，所述制备腔内...
该专利属于苏州中砥半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州中砥半导体材料有限公司授权不得商用。

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