一种用于磷化铟晶体制备装置的退火机构制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于磷化铟晶体制备装置的退火机构，包括：平台、制备组件以及设置在平台顶部的退火组件；制备组件包括上箱体与下箱体，上箱体与下箱体通过铰接件配合连接，上箱体与下箱体内部合围空间设置有制备筒，制备筒内部设置有制备腔，制备腔内侧沿周向设置有若干个加热管，制备组件一侧设置有退火口；平台顶部设置有第一滑道与第二滑道，第一滑道与第二滑道平行设置，第一滑道与第二滑道上均配合连接有卡块，卡块能够沿第一滑道与第二滑道滑动，卡块顶部设置有底座，底座顶部设置有复数个支架，复数个支架对称设置，至少一个支架上配合连接转动杆，转动杆一端连接有连接盘，连接盘一侧设置有第一退火管与第二退火管，第一退火管与第二退火管一端均连接至退火头，退火头上设置有若干个退火孔。头上设置有若干个退火孔。头上设置有若干个退火孔。

【技术实现步骤摘要】
一种用于磷化铟晶体制备装置的退火机构


[0001]本专利技术涉及一种退火机构，尤其涉及一种用于磷化铟晶体制备装置的退火机构。

技术介绍

[0002]磷化铟是一种化学物质，是沥青光泽的深灰色晶体，用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法，并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延，多采用In
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PCl3
‑
H2系统的歧化法，在该工艺中用铟(99.9999％)和三氯化磷(99.999％)之间的反应来生长磷化铟层。气相外延将石英反应管放在双温区电炉中，已净化的高纯氢气经计量通入，氢气也用来稀释三氯化磷，此时彭泡器保持在0℃，通过反应管内的氢气线速度为14cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。在第一阶段，将盛有铟的石英舟放在电炉中源区，通入氢气并加热到700～850℃，再用氢气将三氯化磷引入，在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。在第二阶段，铟源保持在原位置不加热，单晶衬底放在电炉的第二加温区后，在氢气氛下加热到600～750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管内对衬底进行气相腐蚀，清洗衬底表面。再将氢气直接引入反应管，并把源加热到它的过饱和温度(在操作中此温度比衬底晶体的温度高100℃)。然后通过氢气鼓泡将三氯化磷引入，这时磷蒸气与在源区生成的一氯化铟反应，在衬底上淀积生长出磷化铟层。当外延生长完成后，向系统中通入纯氢气，将两个温区冷却到室温，取出产物，制得磷化铟成品，退火是一种金属热处理工艺，指的是将金属缓慢加热到一定温度，保持足够时间，然后以适宜速度冷却。目的是降低硬度，改善切削加工性；消除残余应力，稳定尺寸，减少变形与裂纹倾向；细化晶粒，调整组织，消除组织缺陷。准确的说，退火是一种对材料的热处理工艺，包括金属材料、非金属材料。而且新材料的退火目的也与传统金属退火存在异同。

技术实现思路

[0003]本专利技术克服了现有技术的不足，提供一种用于磷化铟晶体制备装置的退火机构。
[0004]为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案为：一种用于磷化铟晶体制备装置的退火机构，包括：平台、制备组件以及设置在平台顶部的退火组件；
[0005]所述制备组件包括上箱体与下箱体，所述上箱体与所述下箱体通过铰接件配合连接，所述上箱体与下箱体内部合围空间设置有制备筒，所述制备筒内部设置有制备腔，所述制备腔内侧沿周向设置有若干个加热管，所述制备组件一侧设置有退火口；
[0006]所述平台顶部设置有第一滑道与第二滑道，所述第一滑道与第二滑道平行设置，所述第一滑道与第二滑道上均配合连接有卡块，所述卡块能够沿所述第一滑道与第二滑道滑动，所述卡块顶部设置有底座，所述底座顶部设置有复数个支架，复数个支架对称设置，至少一个所述支架上配合连接转动杆，所述转动杆一端连接有连接盘，所述连接盘一侧设置有第一退火管与第二退火管，所述第一退火管与第二退火管一端均连接至退火头，所述退火头上设置有若干个退火孔。
[0007]本专利技术一个较佳实施例中，所述平台一侧设置有操作面板，所述操作面板上设置有显示屏，所述显示屏能够显示制备腔内的画面，所述平台一侧设置有急停按钮。
[0008]本专利技术一个较佳实施例中，所述支架与所述底座之间通过筋连接。
[0009]本专利技术一个较佳实施例中，所述支架一侧设置有固定机构，所述固定机构顶部抵持至所述转动杆底部，所述转动杆能够转动。
[0010]本专利技术一个较佳实施例中，所述退火头能够探入所述退火口，所述连接盘的尺寸不大于所述退火口。
[0011]本专利技术一个较佳实施例中，所述制备筒一端设置有联轴器，所述联轴器贯穿所述制备组件，所述联轴器一端设置有转动机构，所述转动机构能够带动所述制备筒旋转。
[0012]本专利技术一个较佳实施例中，所述平台底部四角均设置有支脚，所述支脚与所述平台之间设置有减震机构。
[0013]本专利技术一个较佳实施例中，所述上箱体一侧设置有把手。
[0014]本专利技术一个较佳实施例中，所述操作面板上设置有若干个按键，若干个按键阵列分布。
[0015]本专利技术一个较佳实施例中，所述平台顶部沿平台边缘设置有护板。
[0016]本专利技术解决了
技术介绍
中存在的缺陷，本专利技术具备以下有益效果：
[0017](1)通过将制备装置进行集成至平台上，减少制备装置占用空间，且能够通过平台上的操作面板对制备装置进行控制，此外还可以通过显示屏实时显示制备筒内的制备情况，能够更加直观的观测磷化铟晶体形成过程，方便使用人员通过控制退火机构实时调整制备筒内的制备温度。
[0018](2)退火组件通过卡块配合连接在第一滑道与第二滑道上，通过卡块带动退火头探头制备筒进行退火操作，通过灵活控制第一退火管与第二退火管以及退火孔进行灵活调整退火头位于制备筒的位置，以及通过旋转杆调整退火头转动角度。
[0019](3)平台底部四角设置有支脚，通过支脚上的减震机构能够防止在制备装置运行过程中，因装置本身结构造成的震动影响制备效果或制备筒转动，防止制备筒转动过程中因震动造成的制备筒离心力不稳的情况发生。
附图说明
[0020]下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。
[0021]图1示出了本专利技术用于磷化铟晶体的制备装置的退火机构局部立体结构示意图；
[0022]图2示出了退火机构局部放大示意图；
[0023]图3示出了制备组件局部剖视图；
[0024]图中：1、转动机构，2、上箱体，3、把手，4、铰接件，5、退火口，6、退火头，7、转动杆，8、支架，9、第一滑道，10、按键，11、操作面板，12、显示屏，13、急停按钮，14、支脚，15、平台，16、下箱体，17、护板，18、退火孔，19、第一退火管，20、第二退火管，21、连接盘，22、
[0025]固定机构，23、第二滑道，24、底座，25、筋，26、卡块。
具体实施方式
[0026]为了能够更清楚地理解本专利技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实
施方式对本专利技术进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本专利技术的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
[0028]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术保护范围的限制。此外，术语本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于磷化铟晶体制备装置的退火机构，包括：平台、制备组件以及设置在平台顶部的退火组件；其特征在于，所述制备组件包括上箱体与下箱体，所述上箱体与所述下箱体通过铰接件配合连接，所述上箱体与下箱体内部合围空间设置有制备筒，所述制备筒内部设置有制备腔，所述制备腔内侧沿周向设置有若干个加热管，所述制备组件一侧设置有退火口；所述平台顶部设置有第一滑道与第二滑道，所述第一滑道与第二滑道平行设置，所述第一滑道与第二滑道上均配合连接有卡块，所述卡块能够沿所述第一滑道与第二滑道滑动，所述卡块顶部设置有底座，所述底座顶部设置有复数个支架，复数个支架对称设置，至少一个所述支架上配合连接转动杆，所述转动杆一端连接有连接盘，所述连接盘一侧设置有第一退火管与第二退火管，所述第一退火管与第二退火管一端均连接至退火头，所述退火头上设置有若干个退火孔。2.根据权利要求1所述的一种用于磷化铟晶体制备装置的退火机构，其特征在于，所述平台一侧设置有操作面板，所述操作面板上设置有显示屏，所述显示屏能够显示制备腔内的画面，所述平台一侧设置有急停按钮。3.根据权利要求1所述的一种用于磷化铟晶体制备装置的退火机构，其特征在于，所述支架与...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘功寰，
申请(专利权)人：苏州中砥半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：