一种易结晶的ITO电容膜镀膜工艺制造技术

技术编号:37713761 阅读:11 留言:0更新日期:2023-06-02 00:08
本发明专利技术提供一种易结晶的ITO电容膜镀膜工艺,包括以下步骤:步骤S1:选择低温镀膜室,低温镀膜室内设置有SiOx镀膜区以及ITO镀膜区,其中x为常数,且0≦x≦2,将PET基材放入放卷室内;步骤S2:向SiOx镀膜区通入一定量的氩气,采用电压控制模式,向ITO镀膜区分别通入氩气和氧气的混合气体,并通过气体反应控制器控制氧气通入量,控制氧气通入量在气体总通入量中的占比为1.5~5%,步骤S3:将PET基材在低温镀膜室的放卷室内依次经过SiOx镀膜区、ITO镀膜区;步骤S4:对镀膜完成后的PET基材进行收取,本发明专利技术通过控制合适的镀膜速度、控制氧气通入量在气体总通入量中的占比、ITO靶溅射功率和ITO靶材中In2O3和SnO2的比例,缩短加热老化时间。缩短加热老化时间。缩短加热老化时间。

【技术实现步骤摘要】
一种易结晶的ITO电容膜镀膜工艺


[0001]本专利技术涉及电容膜镀膜
,尤其涉及一种易结晶的ITO电容膜镀膜工艺。

技术介绍

[0002]镀膜:当光线进入不同传递物质时(如由空气进入玻璃),大约有5%会被反射掉,在光学瞄准镜中有许多透镜和折射镜,整个加起来可以让入射光线损失达30%至40%。现代光学透镜通常都镀有单层或多层氟化镁的增透膜,单层增透膜可使反射减少至1.5%,多层增透膜则可让反射降低至0.25%,所以整个瞄准镜如果加以适当镀膜,光线透穿率可达95%。镀了单层增透膜的镜片通常是蓝紫色或是红色,镀多层增透膜的镜片则呈淡绿色或暗紫色,在ITO电容膜镀膜过程中需要利用低温喷溅技术。
[0003]低温磁控溅射技术是一种当下大规模应用于生产的镀膜技术,低温磁控溅射具有成膜速率高,基片温度低,可实现大面积镀膜等优点,因此多数柔性导电膜是用此种技术生产的,但是,运用低温磁控溅射技术生产出来的膜存在着膜质松散、电阻均匀性与稳定性较差的缺点。
[0004]现有技术中,当下filmsensor触控膜功能片主要应用于手机、工控等领域,市场前景广阔,ITO电容膜是filmsensor的主要关键材料。因低温磁控溅射镀的ITO电容膜为非结晶膜,电阻稳定性差,现有成熟的低温磁控溅射技术镀的ITO电容膜为非结晶型,稳定性差,目前处理方式是增加一道加热老化工序,需在130~150℃温度下,加热老化1个小时后,达到结晶型的ITO电容膜,电阻基本稳定,以满足客户使用要求,增大加热老化的时间,降低电容膜镀膜的生产效率,因此本专利技术提出了一种易结晶的ITO电容膜镀膜工艺。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的不足,本专利技术目的是提供一种易结晶的ITO电容膜镀膜工艺,本专利技术通过控制合适的镀膜速度、控制氧气通入量在气体总通入量中的占比、ITO靶溅射功率和ITO靶材中In2O3和SnO2的比例,在老化温度不变的前提下,缩短加热老化时间,达到满足客户要求的ITO电容膜。
[0006]为了实现上述目的,本专利技术是通过如下的技术方案来实现:一种易结晶的ITO电容膜镀膜工艺,包括以下步骤:
[0007]步骤S1:选择低温镀膜室,低温镀膜室内设置有SiOx镀膜区以及ITO镀膜区,其中x为常数,且0≦x≦2,将PET基材放入放卷室内;
[0008]步骤S2:向SiOx镀膜区通入一定量的氩气,采用电压控制模式,设定SiOx镀膜区功率在10~30kw之间,ITO镀膜区功率在6~20kw之间,向ITO镀膜区分别通入氩气和氧气的混合气体,并通过气体反应控制器控制氧气通入量,控制氧气通入量在气体总通入量中的占比为1.5~5%,即O2/(Ar+O2)=1.5~5%;
[0009]步骤S3:将PET基材在低温镀膜室的放卷室内依次经过SiOx镀膜区、ITO镀膜区,在SiOx镀膜区、ITO镀膜区移动速度在1.5~6m/min;
[0010]步骤S4:对镀膜完成后的PET基材进行收取。
[0011]进一步地,所述步骤S1中,PET基材为透明PET膜或带有IM涂层的PET膜等透明塑料薄膜基材,PET基材厚度在5μm~200μm之间。
[0012]进一步地,所述在SiOx镀膜区和ITO镀膜区均设置有ITO靶材,ITO靶材由In2O3和SnO2构成,其中In2O3占总体比例在90~97%之间,SnO2占总体比例在10~3%之间。
[0013]进一步地,所述步骤S1中,低温镀膜室外部设置有放卷室以及收卷室,所述放卷室和收卷室内部均安装有用于PET基材进行传动的导向辊,所述收卷室内设置有用于对PET基材进行收集的收卷辊,低温镀膜室内安装有用于对PET基材进行导向的导向辊以及主辊,收卷室内设置有用于带动收卷辊转动传动件,传动件带动收卷辊转动,收卷辊对PET基材产生拉力,使PET基材顺着导向辊移动。
[0014]进一步地,所述传动件为微型电机,收卷辊由收卷套与传动轴构成,所述传动轴与微型电机相连,所述传动轴与收卷套卡接连接,所述微型电机为PLC控制器相连,PLC控制器型号:S7

200。
[0015]进一步地,所述收卷室设置有用于PET基膜校正的校正件,所述校正件包括传动架、固定架以及传动校准膜,所述传动架和固定架内部均设置有可沿其内部上下移动的升降导轴,升降导轴上安装有导膜轮,传动架和固定架内部均安装有校准膜卷辊,校准膜卷辊上缠绕有绕过两组导膜轮的传动校准膜,所述传动架和固定架内侧安装有压力传感器,所述传动校准膜一端缠绕在传动架内部的校准膜卷辊上,另一端缠绕在固定架内侧校准膜卷辊上。
[0016]进一步地,所述传动架内部安装有第一校准马达,所述第一校准马达与传动架内部的校准膜卷辊相连,所述固定架内部安装有第二校准马达,第二校准马达与固定架内部的校准膜卷辊相连,所述第一传动马达和第二传动马达均连接有PLC控制器,所述压力传感器数据连接有PLC控制器。
[0017]进一步地,所述升降导轴两端设置有开设在固定架和传动架内部的支撑槽,所述升降导轴可沿所述支撑槽上下滑动,所述支撑槽内部安装有支撑弹簧,所述支撑弹簧顶部与升降导轴两端相连,升降导轴连接端设置有连接头,所述升降导轴通过轴承与连接头转动连接,连接头表面开设有与支撑弹簧相连的嵌入槽,所述升降导轴上设置有用于推动其向下移动的弧形贴合架,所述弧形贴合架内螺纹连接有升降螺杆,一组所述升降螺杆穿过固定架安装有带轮,另一组所述升降螺杆与安装在传动架的传动马达相连,所述传动架上固定有安装台,所述传动马达安装在安装台内部,所述传动马达上安装有带轮,两组带轮之间通过皮带相连,所述传动马达与PLC控制器相连。
[0018]进一步地,所述弧形贴合架与导膜轮连接处设置为与其贴合的弧形面,弧形面上设置有滑动导轮,所述滑动导轮内部设置为弹性结构,滑动导轮表面为橡胶材料制成,内部填充有膨胀棉,表面贴合处设置为光滑结构。
[0019]进一步地,步骤S2中,在低温镀膜室上设置有连接有位于SiOx镀膜区和ITO镀膜区的单向阀,单向阀进气口与用于通入低温镀膜室内的喷嘴密封连接,氩气的流量控制可以通过以下公式计算:
[0020]气体流量Q根据喷嘴直径D选择,得出以下公式:Q=(0.8~1.2)D,
[0021]其中,D较小Q取下限,D较大Q取上限;
[0022]喷嘴直径根据钨极直径选择:D=2d+4,喷嘴直径选定后,调节氩气流量。
[0023]钨极直径是指关系到焊接电流的允许使用值,焊接时,所选用的电流超过这个许用值,钨极就会发热、熔化或挥发,引起电弧不稳定和焊缝夹钨。
[0024]喷嘴是焊枪的气体保护来源,喷嘴形状对气流运动的影响很大,常用的喷嘴形状有圆柱形和圆锥形两种。
[0025]进一步地,所述步骤S4中,镀膜完成后PET基材表面SiOx膜层为0.5~100nm,PET基材表面ITO膜层为10~50nm。
[0026]本专利技术的有益效果:
[0027]1.本专利技术通过控制合适的镀膜速度、本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种易结晶的ITO电容膜镀膜工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:选择低温镀膜室,低温镀膜室内设置有SiOx镀膜区以及ITO镀膜区,将PET基材放入放卷室内;步骤S2:向SiOx镀膜区通入一定量的氩气,采用电压控制模式,设定SiOx镀膜区功率在10~30kw之间,ITO镀膜区功率在6~20kw之间,向ITO镀膜区分别通入氩气和氧气的混合气体,并通过气体反应控制器控制氧气通入量,控制氧气通入量在气体总通入量中的占比为1.5~5%;步骤S3:将PET基材在低温镀膜室的放卷室内依次经过SiOx镀膜区、ITO镀膜区,在SiOx镀膜区、ITO镀膜区移动速度在1.5~6m/min;步骤S4:对镀膜完成后的PET基材进行收取。2.根据权利要求1所述的一种易结晶的ITO电容膜镀膜工艺,其特征在于,所述步骤S1中,PET基材为透明PET膜或带有IM涂层的PET膜等透明塑料薄膜基材,PET基材厚度在5μm~200μm之间。3.根据权利要求1所述的一种易结晶的ITO电容膜镀膜工艺,其特征在于,所述在SiOx镀膜区和ITO镀膜区均设置有ITO靶材,ITO靶材由In2O3和SnO2构成,其中In2O3占总体比例在90~97%之间,SnO2占总体比例在10~3%之间。4.根据权利要求1所述的一种易结晶的ITO电容膜镀膜工艺,其特征在于,所述步骤S1中,低温镀膜室外部设置有放卷室以及收卷室,所述放卷室和收卷室内部均安装有用于PET基材进行传动的导向辊,所述收卷室内设置有用于对PET基材进行收集的收卷辊,低温镀膜室内安装有用于对PET基材进行导向的导向辊以及主辊,收卷室内设置有用于带动收卷辊转动传动件,传动件带动收卷辊转动,收卷辊对PET基材产生拉力,使PET基材顺着导向辊移动。5.根据权利要求4所述的一种易结晶的ITO电容膜镀膜工艺,其特征在于,所述收卷室设置有用于PET基膜校正的校正件,所述校正件包括传动架(1)、固定架(9)以及传动校准膜(10),所述传动架(1)和固定架(9)内部均设置有可沿其内部上下移动的升降导轴(15),升降导轴(15)上安装有导膜轮(5),传动架(1)和固定架(9)内部均安装有校准膜卷辊(12),校准膜卷辊(12)上缠绕有绕过两组导膜轮(5)的传动校准膜(10),所述传动架(1)和固定架(9)内侧安装有压力传感器(7),所述传动校准膜(10)一端缠绕在传动架(1)内部的校准膜卷辊(12)上,另一端缠绕在固定架(9)内侧校准膜卷辊(12)上。6.根据权利要求5所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员:甄元石尉士民
申请(专利权)人:深圳市端天科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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