晶圆曝光方法和系统技术方案

本申请公开了一种晶圆曝光方法和系统。晶圆曝光方法包括如下步骤：在晶圆表面划分多个曝光单元，包括位于晶圆内部区域的完整曝光单元以及位于晶圆边缘区域的不完整曝光单元；获取待曝光光刻层的焦距能量矩阵表；获取经初始曝光条件曝光后的各完整曝光单元的图形形貌和线宽；根据焦距能量矩阵表修正各完整曝光单元的曝光条件，使其图形形貌和线宽符合规格；根据不完整曝光单元邻近的完整曝光单元修正后的曝光条件修正不完整曝光单元的曝光条件。本申请通过根据完整曝光单元的图形形貌和线宽对其曝光条件进行修正，并通过不完整曝光单元邻近的完整曝光单元的曝光条件修正不完整曝光单元曝光条件，可极大改善晶圆面内图形形貌和线宽均匀性。貌和线宽均匀性。貌和线宽均匀性。

【技术实现步骤摘要】
晶圆曝光方法和系统


[0001]本申请涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种晶圆曝光方法和系统。

技术介绍

[0002]光刻工艺是半导体制造过程中的关键工艺，光刻图形的关键尺寸越小，制造出来的芯片尺寸就越小。然而，随着图形关键尺寸的减小，光刻工艺的工艺窗口将大幅减小，从而使晶圆面内光刻图形的均匀性恶化，减小工艺容错率，导致无法满足生产需要。
[0003]随着半导体制造工艺的不断发展，第一代半导体(硅基半导体)、第二代半导体(砷化镓、磷化铟等化合物半导体)的制造逐渐倾向于采用更大尺寸的晶圆以降低产品成本。而更大的晶圆尺寸将带来诸如晶圆翘曲和平坦度变差等问题，这也将减小光刻工艺的工艺窗口，由此使晶圆面内光刻图形的均匀性恶化。此外，在第三代半导体(碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体)的光刻工艺中，由于其本身的透光率、折射率等问题也将减小光刻工艺的工艺窗口，使晶圆面内光刻图形的均匀性恶化，使得其无法满足生产需要。光刻图形的均匀性恶化将使图形的关键尺寸和形貌等参数在晶圆面内产生严重差异，造成产品性能差异大和低良率等问题。
>[0004]因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆曝光方法，其特征在于，包括如下步骤：在晶圆的表面划分多个曝光单元，所述曝光单元包括位于所述晶圆内部区域的完整曝光单元以及位于所述晶圆边缘区域的不完整曝光单元；获取待曝光光刻层的焦距能量矩阵表；获取经初始曝光条件曝光后的各所述完整曝光单元的图形形貌和线宽；根据所述焦距能量矩阵表修正各所述完整曝光单元的曝光条件，使所述完整曝光单元的图形形貌和线宽符合规格；根据所述不完整曝光单元邻近的所述完整曝光单元的修正后的曝光条件修正所述不完整曝光单元的曝光条件。2.根据权利要求1所述的晶圆曝光方法，其特征在于，在得到多个所述曝光单元的修正后的曝光条件后，对多个所述曝光单元进行分区，修正同一分区中各所述曝光单元的曝光条件，使同一分区中各所述曝光单元具有相同的曝光条件。3.根据权利要求1所述的晶圆曝光方法，其特征在于，通过对所述完整曝光单元中的工艺控制监控单元进行量测获得所述完整曝光单元的图形形貌和线宽。4.根据权利要求1所述的晶圆曝光方法，其特征在于，修正所述不完整曝光单元的曝光条件的方法包括：对所述不完整曝光单元邻近的所述完整曝光单元的多个曝光条件进行加权平均计算获得。5.根据权利要求1所述的晶圆曝光方法，其特征在于，修正所述不完整曝光单元的曝光条件的方法包括：通过所述不完整曝光单元到晶圆中心的多个所述完整曝光单元的多个曝光条件的线性变化趋势计算获得。6.根据权利要求1所述的晶圆曝光方法，其特征在于，在得到多个所述曝光单元的修正后的曝光条件后，还包括采用所述曝光条件对各所述曝光单元进行曝光，并获取所述完整曝光单元的图形形貌和线宽，以再次修正所述完整曝光单元和所述不完整曝光单元的曝光条件的步骤。7.根据权利要求6所述的晶圆曝光方法，其特征在于，在不同批次的产品的光刻曝光过程中，获取前一批次的所述完整曝光单元的图形形貌和线宽，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：郁发新，张立星，莫炯炯，开翠红，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：