ITO薄膜以及透明导电性薄膜制造技术

提供一种ITO薄膜以及透明导电性薄膜，ITO薄膜在不进行退火处理的状态下提高非晶ITO膜的稳定性，电阻值随时间没有变化、提高防潮性和阻气性，并克服由弯曲引起的裂纹；透明导电性薄膜具有优异的导电性、透明性以及耐久性。本发明专利技术的ITO薄膜在具有挠性的基材的表面，形成有未进行退火处理的状态的非晶ITO膜，其特征在于，非晶ITO膜的膜厚在30nm～320nm的范围内，非晶ITO膜的表面电阻在9～105(Ω/

【技术实现步骤摘要】
ITO薄膜以及透明导电性薄膜
[0001]本专利技术申请是基于洛克技研工业株式会社的主题为“ITO薄膜以及透明导电性薄膜”的申请递交的分案申请，中国专利技术申请的申请号为201811344911.0，申请日为2018年11月13日。


[0002]本专利技术特别涉及适用于使用太阳能电池、有机EL显示器以及有机EL进行照明的ITO薄膜以及透明导电性薄膜。

技术介绍

[0003]透明导电性薄膜被用于触摸面板、太阳能电池、电磁波/静电屏蔽、紫外/红外线屏蔽，特别是在使用太阳能电池、有机EL显示器以及有机EL进行照明中，开始要求总透光率为90％且表面电阻为5～10(Ω/
□
)的性能。
[0004]然而,在专利文献1中公开了在不进行退火处理的状态下使用非晶ITO膜(实施例5以及比较例4)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本专利第6106756号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的技术问题
[0009]专利文献1通过使粒子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ITO薄膜，在具有挠性的基材的表面，形成有未进行退火处理的状态的非晶ITO膜，其特征在于，所述非晶ITO膜的膜厚在30nm～320nm的范围内，所述非晶ITO膜的表面电阻在9～105(Ω/
□
)的范围内。2.如权利要求1所述的ITO薄膜，其特征在于，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯作为所述基材。3.如权利要求1或者2所述的ITO薄膜，其特征在于，所述非晶ITO膜的膜密度为65％以上。4.如权利要求1～3的任一项所述的ITO薄膜，其特征在于，所述非晶ITO膜的表面平均粗糙度为9nm以下。5.如权利要求1～4的任一项所述的ITO薄膜，其特征在于，所述非晶ITO膜所含有的SnO2在2wt％～7wt％的范围内。6.一种透明导电性薄膜，在具有挠性的基材的表面形成有第一ITO膜，在所述第一ITO膜的表面形成有薄膜金属层，进而在所述薄膜金属层的表面形成有第二ITO膜，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：河添昭造，
申请(专利权)人：洛克技研工业株式会社，
类型：发明
国别省市：