ITO薄膜以及透明导电性薄膜制造技术

提供一种ITO薄膜以及透明导电性薄膜，ITO薄膜在不进行退火处理的状态下提高非晶ITO膜的稳定性，电阻值随时间没有变化、提高防潮性和阻气性，并克服由弯曲引起的裂纹；透明导电性薄膜具有优异的导电性、透明性以及耐久性。本发明专利技术的ITO薄膜在具有挠性的基材的表面，形成有未进行退火处理的状态的非晶ITO膜，其特征在于，非晶ITO膜的膜厚在30nm～320nm的范围内，非晶ITO膜的表面电阻在9～105(Ω/

【技术实现步骤摘要】
ITO薄膜以及透明导电性薄膜
[0001]本专利技术申请是基于洛克技研工业株式会社的主题为“ITO薄膜以及透明导电性薄膜”的申请递交的分案申请，中国专利技术申请的申请号为201811344911.0，申请日为2018年11月13日。


[0002]本专利技术特别涉及适用于使用太阳能电池、有机EL显示器以及有机EL进行照明的ITO薄膜以及透明导电性薄膜。

技术介绍

[0003]透明导电性薄膜被用于触摸面板、太阳能电池、电磁波/静电屏蔽、紫外/红外线屏蔽，特别是在使用太阳能电池、有机EL显示器以及有机EL进行照明中，开始要求总透光率为90％且表面电阻为5～10(Ω/
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)的性能。
[0004]然而,在专利文献1中公开了在不进行退火处理的状态下使用非晶ITO膜(实施例5以及比较例4)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本专利第6106756号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的技术问题
[0009]专利文献1通过使粒子散布而形成透明导电薄膜层上的透明金属氧化物层,通过减少透明金属氧化物层对透明导电薄膜层的覆盖率,使透明导电薄膜暴露在粒子之间,由此能够不降低透明性而大幅度增加透明导电薄膜层与透明金属氧化物层上的金属电极间的导电性，能够提高折射率匹配性或耐擦伤性。
[0010]因此，实施例5中，在ITO膜上形成了二氧化硅的情况下，具有较高的透明性，但是比较例4中,在ITO膜上没有形成二氧化硅，透明性较低，耐擦伤性也会出现问题。
[0011]另外，在专利文献1中，为了实现I TO膜的低电阻化，将I TO膜的厚度增加至90nm，同时为了提高I TO膜的稳定性，使SnO2含量为10wt％。
[0012]本专利技术的目的是提供一种I TO薄膜，在不进行退火处理的情况下提高非晶I TO膜的稳定性，电阻值随时间没有变化，提高防潮性和阻气性，并克服由弯曲引起的裂纹；还提供一种具有优异的导电性、透明性以及耐久性的透明导电性薄膜。
[0013]用于解决上述技术问题的方案
[0014]技术方案1所述的本专利技术的I TO薄膜，在具有挠性的基材的表面，形成有未进行退火处理的状态的非晶I TO膜，其特征在于，所述非晶I TO膜的膜厚在30nm～320nm的范围内，所述非晶I TO膜的表面电阻在9～105(Ω/
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)的范围内。
[0015]技术方案2所述的本专利技术，其特征在于，在技术方案1所述的I TO薄膜中，使用聚对
苯二甲酸乙二醇酯作为所述基材。
[0016]技术方案3所述的本专利技术，其特征在于，在技术方案1或者2所述的I TO薄膜中，所述非晶I TO膜的膜密度为65％以上。
[0017]技术方案4所述的本专利技术，其特征在于，在技术方案1～3的任一项所述的I TO薄膜中，所述非晶I TO膜的表面平均粗糙度为9nm以下。
[0018]技术方案5所述的本专利技术，其特征在于，在技术方案1～4的任一项所述的I TO薄膜中，所述非晶I TO膜所含有的SnO2在2wt％～7wt％的范围内。
[0019]技术方案6所述的本专利技术的透明导电性薄膜，在具有挠性的基材的表面形成有第一I TO膜，在所述第一I TO膜的表面形成有薄膜金属层，进而在所述薄膜金属层的表面形成有第二I TO膜，其特征在于，所述第一I TO膜为未经退火处理状态下的非晶I TO膜；所述第二I TO膜为未进行所述退火处理的状态的非晶I TO膜，膜厚在30nm～320nm的范围内，所述非晶I TO膜的表面电阻在9～105(Ω/
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)的范围内。
[0020]技术方案7所述的本专利技术，其特征在于，在技术方案6所述的透明导电性薄膜中，所述薄膜金属层是厚度为10nm～20nm的Ag层。
[0021]技术方案8所述的本专利技术，其特征在于，在技术方案6或者7所述的透明导电性薄膜中，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯作为所述基材。
[0022]技术方案9所述的本专利技术，其特征在于，在技术方案6～8的任一项所述的透明导电性薄膜中，所述第二I TO膜的膜密度为65％以上。
[0023]技术方案10所述的本专利技术，其特征在于，在技术方案6～9的任一项所述的透明导电性薄膜中，所述第二I TO膜的表面平均粗糙度为9nm以下。
[0024]技术方案11所述的本专利技术，其特征在于，在技术方案6～10的任一项所述的透明导电性薄膜中，所述第二I TO膜所含有的SnO2在2wt％～7wt％的范围内。
[0025]专利技术效果
[0026]根据本专利技术，能够提供一种电阻值随时间没有变化、提高防潮性和阻气性、克服因弯曲引起的裂纹的I TO薄膜。
[0027]此外，根据本专利技术，能够提供一种具有优异的导电性、透明性以及耐久性的透明导电性薄膜。
附图说明
[0028]图1是表示使用实施例1与比较例1的霍尔数的测量结果的表。
[0029]图2是表示使用实施例2与比较例1的直径1.0mm的弯曲试验结果的图。
[0030]图3是表示使用实施例2与比较例1的无负荷弯曲试验结果的图。
[0031]图4是表示使用实施例2的80℃保存特性结果的图表。
[0032]图5是表示使用实施例2的60℃、90％RH保存特性结果的图表。
[0033]图6是表示使用实施例2在
‑
30℃和80℃下的热循环测试结果的图表。
[0034]图7是表示使用实施例3、比较例2、比较例3的耐热性结果的表。
[0035]图8是表示使用实施例3、比较例2、比较例3的50℃温水深度试验结果的表。
[0036]图9是表示使用实施例3、比较例2、比较例3的60℃～80℃温水深度试验结果的表。
[0037]图10是表示使用实施例3、比较例2、比较例3的大气中常温放置试验结果的表。
[0038]图11是使用实施例3与比较例3的无负荷弯曲试验结果的图。
[0039]图12是实施例1和比较例1的I TO薄膜表面的显微镜照片。
[0040]图13是表示在图12中示出的试验片的表面粗糙度的测量结果的图表。
具体实施方式
[0041]根据本专利技术的第1实施方式的I TO薄膜，非晶I TO膜的膜厚在30nm～320nm的范围内，非晶I TO膜的表面电阻在9～105(Ω/
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)的范围内。根据本实施方式，通过使非晶I TO膜具有高密度，能够提高稳定性，能够提供一种电阻随时间没有变化、提高防潮性和阻气性、克服因弯曲引起的裂纹的I TO薄膜。
[0042]本专利技术的第2实施方式，是在第1实施方式的I TO薄膜中，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯作为基材。根据本实施方式，聚对苯二甲酸乙二醇酯具有优异的挠性以及透明性，适合于形成非晶I TO膜。
[0043]本专利技术的第3实施方式，是在第1或者第2实施方式的I TO薄膜中，非晶I TO本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ITO薄膜，在具有挠性的基材的表面，形成有未进行退火处理的状态的非晶ITO膜，其特征在于，所述非晶ITO膜的膜厚在30nm～320nm的范围内，所述非晶ITO膜的表面电阻在9～105(Ω/
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)的范围内。2.如权利要求1所述的ITO薄膜，其特征在于，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯作为所述基材。3.如权利要求1或者2所述的ITO薄膜，其特征在于，所述非晶ITO膜的膜密度为65％以上。4.如权利要求1～3的任一项所述的ITO薄膜，其特征在于，所述非晶ITO膜的表面平均粗糙度为9nm以下。5.如权利要求1～4的任一项所述的ITO薄膜，其特征在于，所述非晶ITO膜所含有的SnO2在2wt％～7wt％的范围内。6.一种透明导电性薄膜，在具有挠性的基材的表面形成有第一ITO膜，在所述第一ITO膜的表面形成有薄膜金属层，进而在所述薄膜金属层的表面形成有第二ITO膜，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：河添昭造，
申请(专利权)人：洛克技研工业株式会社，
类型：发明
国别省市：