导电网格的制备方法和薄膜传感器的制备方法技术

本公开提供一种导电网格的制备方法和薄膜传感器的制备方法，属于通讯技术领域。本公开的导电网格的制备方法包括：在衬底基板上形成第一介质层，并对第一介质层进行图案化，形成多个第一开槽；在形成有多个第一开槽的第一介质层背离衬底基板的一侧形成第二介质层，并对第二介质层进行图案化，形成多个第一限定部；将形成有多个第一开槽的第一介质层去除，并在形成有多个第一限定部的第二介质层背离衬底基板的一侧形成第三介质层，并对第三介质层进行处理，裸露出第一限定部背离衬底基板的表面；将第一限定部去除，形成位于第三介质层中的多个第二开槽；通过电镀工艺在第二开槽内形成导电材料，并通过构图工艺形成包括导电网格的图形。格的图形。格的图形。

【技术实现步骤摘要】
导电网格的制备方法和薄膜传感器的制备方法


[0001]本公开属于通信
，具体涉及一种导电网格的制备方法和薄膜传感器的制备方法。

技术介绍

[0002]目前，玻璃基半导体产业常用的微纳加工工艺线宽在2
‑
3μm左右。而某些薄膜显示及传感器件对微纳加工的线宽提出了更高的要求，比如透明微波器件等。对于透明微波器件通常采用导电网格作为信号的发射及接收单元，而导电网格的设置必然会导致透过率会有所下降，如何进一步提高透过率，成为下一步研究的重点。

技术实现思路

[0003]本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种导电网格的制备方法和薄膜传感器的制备方法。
[0004]第一方面，本公开实施例提供一种导电网格的制备方法，包括：
[0005]提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成第一介质层，并对所述第一介质层进行图案化，形成多个第一开槽；
[0006]在形成有多个所述第一开槽的第一介质层背离衬底基板的一侧形成第二介质层，并对所述第二介质层进行图案化，形成多个第一限定部，所述第一限定部为中空结构，且一个所述第一限定部的侧壁仅与一个所述第一开槽的侧壁相贴合；将所述形成有多个所述第一开槽的第一介质层去除，并在形成有多个第一限定部的第二介质层背离衬底基板的一侧形成第三介质层，并对所述第三介质层进行处理，裸露出所述第一限定部背离所述衬底基板的表面；
[0007]将所述第一限定部去除，形成位于所述第三介质层中的多个第二开槽；
[0008]通过电镀工艺在所述第二开槽内形成导电材料，并通过构图工艺形成包括导电网格的图形。
[0009]可选地，所述通过电镀工艺在所述第二开槽内形成导电材料，包括：
[0010]在所述第二介质层背离所述衬底基板的一侧形成导电膜层作为种子层；
[0011]对所述种子层进行电镀，以使所述第二开槽内形成导电材料。
[0012]可选地，所述第三介质层的材料包括光刻胶、OC胶或者PI胶。
[0013]可选地，所述通过电镀工艺在所述第二开槽内形成导电材料，包括：
[0014]在所述衬底基板上形成第一介质层的步骤之前，在所述衬底基板上形成一层导电膜层作为种子层；
[0015]对所述种子层进行电镀，以使所述第二开槽内形成所述导电材料。
[0016]可选地，所述第三介质层的材料包括正性光刻胶、负性光刻胶或者PI胶。
[0017]可选地，所述第二介质层的材料包括氮化硅或氧化硅。
[0018]可选地，形成所述导电网格后还包括：
[0019]在所述导电网格背离所述衬底基板的一侧形成钝化层。
[0020]可选地，所述第一介质层的厚度为2
‑
5μm。
[0021]可选地，所述第一限定部的侧壁厚度为不大于1.5μm。
[0022]第二方面，本公开实施提供一种薄膜传感器的制备方法，其包括上述的导电网格的制备方法。
附图说明
[0023]图1为一种示例性的薄膜传感器的结构示意图；
[0024]图2为图1所示的薄膜传感器沿A
‑
A＇方向上的截面结构示意图；
[0025]图3为本公开实施提供的一种导电网格的制备方法的流程图；
[0026]图4a为本公开实施例的导电网格的制备方法的步骤S11所形成的中间产品的俯视图；
[0027]图4b为本公开实施例的导电网格的制备方法的步骤S13所形成的中间产品的俯视图；
[0028]图4c为本公开实施例的导电网格的制备方法的步骤S14所形成的中间产品的俯视图；
[0029]图4d为本公开实施例的导电网格的制备方法的步骤S17所形成的中间产品的俯视图；
[0030]图5为本公开实施提供的另一种导电网格的制备方法的流程图；
[0031]图6为本公开实施提供的又一种导电网格的制备方法的流程图；
[0032]图7为本公开实施提供的再一种导电网格的制备方法的流程图。
具体实施方式
[0033]为使本领域技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开作进一步详细描述。
[0034]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0035]需要说明的是，“构图工艺”和“图案化”是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，“构图工艺”和“图案化”也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。
[0036]图1为一种示例性的薄膜传感器的结构示意图；图2为图1所示的薄膜传感器沿A
‑
A＇方向上的截面结构示意图，如图1和图2所示，该薄膜传感器包括：衬底基板100，衬底基板100具有相对设置的第一表面和第二表面，即上表面和下表面；第一导电层101和第二导电层102分别位于衬底基板100的第一表面和第二表面。以薄膜传感器为透明天线为例，其中，第一导电层101可以为辐射层，第二导电层102可以为接地层。其中，辐射层可作为天线结构的接收单元，也可用于天线结构发射单元。
[0037]为了保证第一导电层101和第二导电层102具有良好的光线透过率，第一导电层101和第二导电层102需进行图案化处理，例如，第一导电层101可以采用金属材料制成的网格线构成，第二导电层102也可以采用金属材料制成的网格线构成。可以理解的是，第一导电层101和第二导电层102还可以采用其他图案的结构构成，例如，菱形、三角形等图案的块状电极，在此不再一一列举。由图1可以看出，在衬底基板100的两个表面上并非整面均设置有第一导电层101和第二导电层102，即网格线。对于任一网格线则是由电连接的导电网格构成。由于导电网格的材料以及形成工艺，导致导电网格的线宽较宽，严重影响薄膜传感器的光线透过率，从而影响用户的使用体验。
[0038]在此还需要说明的是，上述的导电网格也不局限于应用在天线结构中，还可以用于触控面板中，作为触控电极。当然，导电网格还可以用于各种金属线中，在此不再一一列举。
[0039]为了解决上述的技术问题，在本公开实施例中提供过一种导电网格的制备方法和薄膜传感器的制备方法。在本公本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导电网格的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成第一介质层，并对所述第一介质层进行图案化，形成多个第一开槽；在形成有多个所述第一开槽的第一介质层背离衬底基板的一侧形成第二介质层，并对所述第二介质层进行图案化，形成多个第一限定部，所述第一限定部为中空结构，且一个所述第一限定部的侧壁仅与一个所述第一开槽的侧壁相贴合；将所述形成有多个所述第一开槽的第一介质层去除，并在形成有多个第一限定部的第二介质层背离衬底基板的一侧形成第三介质层，并对所述第三介质层进行处理，裸露出所述第一限定部背离所述衬底基板的表面；将所述第一限定部去除，形成位于所述第三介质层中的多个第二开槽；通过电镀工艺在所述第二开槽内形成导电材料，并通过构图工艺形成包括导电网格的图形。2.根据权利要求1所述的导电网格的制备方法，其特征在于，所述通过电镀工艺在所述第二开槽内形成导电材料，包括：在所述第二介质层背离所述衬底基板的一侧形成导电膜层作为种子层；对所述种子层进行电镀，以使所述第二开槽内形成导电材料。3.根据权利要求2所述的导电网格的制备方法，其特征在于，所述第三介质层的材料包括光刻胶、OC胶或者PI胶。4.根据权利要求1所述的导电网格的制备方法，其特征在于，所述通过电镀工艺在...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟凡理，陈江博，李泽源，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：