导电网格的制备方法和薄膜传感器的制备方法技术

本公开提供一种导电网格的制备方法和薄膜传感器的制备方法，属于通讯技术领域。本公开的导电网格的制备方法包括：在衬底基板上形成第一介质层，并对第一介质层进行图案化，形成多个第一开槽；在形成有多个第一开槽的第一介质层背离衬底基板的一侧形成第二介质层，并对第二介质层进行图案化，形成多个第一限定部；将形成有多个第一开槽的第一介质层去除，并在形成有多个第一限定部的第二介质层背离衬底基板的一侧形成第三介质层，并对第三介质层进行处理，裸露出第一限定部背离衬底基板的表面；将第一限定部去除，形成位于第三介质层中的多个第二开槽；通过电镀工艺在第二开槽内形成导电材料，并通过构图工艺形成包括导电网格的图形。格的图形。格的图形。

【技术实现步骤摘要】
导电网格的制备方法和薄膜传感器的制备方法


[0001]本公开属于通信
，具体涉及一种导电网格的制备方法和薄膜传感器的制备方法。

技术介绍

[0002]目前，玻璃基半导体产业常用的微纳加工工艺线宽在2
‑
3μm左右。而某些薄膜显示及传感器件对微纳加工的线宽提出了更高的要求，比如透明微波器件等。对于透明微波器件通常采用导电网格作为信号的发射及接收单元，而导电网格的设置必然会导致透过率会有所下降，如何进一步提高透过率，成为下一步研究的重点。

技术实现思路

[0003]本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种导电网格的制备方法和薄膜传感器的制备方法。
[0004]第一方面，本公开实施例提供一种导电网格的制备方法，包括：
[0005]提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成第一介质层，并对所述第一介质层进行图案化，形成多个第一开槽；
[0006]在形成有多个所述第一开槽的第一介质层背离衬底基板的一侧形成第二介质层，并对所述第二介质层进行图案化，形成多个第一限定部，所述第一限定部为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导电网格的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成第一介质层，并对所述第一介质层进行图案化，形成多个第一开槽；在形成有多个所述第一开槽的第一介质层背离衬底基板的一侧形成第二介质层，并对所述第二介质层进行图案化，形成多个第一限定部，所述第一限定部为中空结构，且一个所述第一限定部的侧壁仅与一个所述第一开槽的侧壁相贴合；将所述形成有多个所述第一开槽的第一介质层去除，并在形成有多个第一限定部的第二介质层背离衬底基板的一侧形成第三介质层，并对所述第三介质层进行处理，裸露出所述第一限定部背离所述衬底基板的表面；将所述第一限定部去除，形成位于所述第三介质层中的多个第二开槽；通过电镀工艺在所述第二开槽内形成导电材料，并通过构图工艺形成包括导电网格的图形。2.根据权利要求1所述的导电网格的制备方法，其特征在于，所述通过电镀工艺在所述第二开槽内形成导电材料，包括：在所述第二介质层背离所述衬底基板的一侧形成导电膜层作为种子层；对所述种子层进行电镀，以使所述第二开槽内形成导电材料。3.根据权利要求2所述的导电网格的制备方法，其特征在于，所述第三介质层的材料包括光刻胶、OC胶或者PI胶。4.根据权利要求1所述的导电网格的制备方法，其特征在于，所述通过电镀工艺在...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟凡理，陈江博，李泽源，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：