金属网格导电膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种金属网格导电膜及其制备方法和应用。所述金属网格导电膜，包括：基材层、自所述基材层的至少一个表面凹设形成的若干凹槽、填充于所述凹槽内的导电材料，若干所述凹槽相互连通呈网格状，所述凹槽的侧壁及底壁均呈平面状。本发明专利技术的金属网格导电膜及其制备方法，通过激光镭射形成凹槽或母版凹槽，使得所述凹槽的侧壁及底壁均呈平面状，在置入导电材料时，导电材料能够均匀地填充满整个所述凹槽，避免虚印或出现孔隙，提高整个导电网格的导电性能。的导电性能。的导电性能。

【技术实现步骤摘要】
金属网格导电膜及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及导电膜领域，尤其涉及一种金属网格导电膜及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]现有的金属网格导电膜的制造流程通常包括：制作凹版母模、制作凸版子模、压印凹版半成品和印刷银浆四个步骤，其中，制作凹版母模又包括在基材上涂布光阻/贴干膜、烘烤、贴光罩、曝光、显影、坚膜等步骤；制作凸版子模包括在基膜上涂UV胶、紫外固化以及压印等。凸版子模对涂覆有UV胶层的导电膜基材进行转印后得到凹版半成品，后再印刷导电银浆以成型金属网格导电膜。
[0003]金属网格导电膜的生产流程复杂、工序繁多；导电网格的高度、宽度无法做到精细化，且网格的侧壁很难达到平直，使得现有的金属网格导电膜，其光透过率和导电性能仍不够理想。
[0004]有鉴于此，有必要提供一种新的金属网格导电膜及其制备方法和应用，以解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种金属网格导电膜及其制备方法和应用。
[0006]为实现上述专利技术目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0007]一种金属网格导电膜，包括：基材层、自所述基材层的至少一个表面凹设形成的若干凹槽、填充于所述凹槽内的导电材料，若干所述凹槽相互连通呈网格状，所述凹槽的侧壁及底壁均呈平面状。
[0008]进一步地，所述凹槽的宽度与深度的比值介于1:1.5～1:5之间。
[0009]进一步地，所述凹槽的深度为10nm～30μm，宽度为10nm～20μm。
[0010]进一步地，所述基材层包括相对设置的第一表面和第二表面，所凹槽包括位于所述第一表面的第一凹槽、位于第二表面上的第二凹槽，所述第一凹槽与第二凹槽沿所述基材层的厚度方向对齐设置。
[0011]进一步地，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度之和不超过基材层厚度的三分之二。
[0012]进一步地，还包括位于所述基材层的至少一个表面的叠加层，所述叠加层包括UV胶层、位于UV胶层背离所述基材层的一侧的若干第三凹槽、位于所述第三凹槽内的导电材料，若干第三凹槽相互连通呈网格状。
[0013]进一步地，所述第三凹槽的宽度与深度的比值介于1:1.5～1:5之间；或所述第三凹槽的深度为10nm～30μm，宽度为10nm～20μm。
[0014]进一步地，所述第三凹槽与所述凹槽沿所述基材层的厚度方向对齐设置。
[0015]进一步地，所述导电材料包括导电金属浆料、或导电金属浆料与导电非金属浆料的混合物；其中
[0016]所述导电金属浆料包括银浆、或铜浆、或银包铜浆中的至少一种；或所述导电金属浆料包括球状、片状、树杈状或一维线状的金属粉；
[0017]所述导电非金属浆料包括碳纤维、碳纳米管、石墨烯等中的至少一种。
[0018]进一步地，所述导电材料还包括填充于所述凹槽底部的导电碳浆层。
[0019]进一步地，所述导电碳浆层的厚度不超过所述凹槽深度的1/5。
[0020]一种金属网格导电膜的制备方法，包括如下步骤：
[0021]S1提供导电膜基材；
[0022]S2采用激光在导电膜材的至少一个表面上镭射出若干凹槽，若干凹槽相互连通呈网格状；
[0023]S3向所述凹槽内填充导电材料，得到导电膜半成品；
[0024]S4烘烤导电膜半成品，得到金属网格导电膜。
[0025]所述的金属网格导电膜的制备方法所述金属网格导电膜的制备方法还包括：
[0026]在步骤S2之前，在所述基材层的表面涂覆保护层，所述保护层具有与所述凹槽相对应的贯穿孔；
[0027]在步骤S3之后，去除所述保护层。
[0028]所述的金属网格导电膜的制备方法所述保护层为UV胶或硬化层。
[0029]一种金属网格导电膜的制备方法，包括如下步骤：
[0030](1)凹版母模成型：提供母模基膜，采用激光在母模基膜的一表面上镭射出间隔设置的若干母模凹槽，若干母模凹槽相互连通呈网格状；
[0031](2)凸版子模成型：提供凸版基材，通过所述凹版母模形成凸版子模；
[0032](3)提供导电膜基材，在导电膜基材的至少一个表面上涂覆UV胶层，采用凸版子模，在所述UV胶层上压印形成凹槽；
[0033](4)向所述凹槽内填充导电材料，得到导电膜半成品；
[0034](5)烘烤导电膜半成品，得到金属网格导电膜。
[0035]进一步地，当所述凸版基材为硬质材料时，在所述凹版母模的母版凹槽内填充金属形成网格层；将金属网格层与凹版母模分离，得到凸版子模；
[0036]当凸版基材为软质材料时，在所述凸版基材上涂UV胶、紫外固化、通过凹版母模压印，得到凸版子模，其中固化程度为70％～80％。
[0037]进一步地，所述凹槽的宽度与深度的比值介于1:1.5～1:5之间；或所述凹槽的深度为10nm～30μm，宽度为10nm～20μm。
[0038]进一步地，所述金属网格导电膜的制备方法还包括：
[0039]得到金属网格导电膜后，在所述基材层设置有所述凹槽的至少一个表面上形成叠加层；
[0040]采用激光在所述叠加层背离所述基材层的表面镭射形成所述第三凹槽；
[0041]向所述第三凹槽内填充导电材料；
[0042]烘烤，得到金属网格导电膜。
[0043]进一步地，所述第三凹槽的宽度与深度的比值介于1:1.5～1:5之间；或所述第三凹槽的深度为10nm～30μm，宽度为10nm～20μm。
[0044]进一步地，所述第三凹槽与所述凹槽沿所述基材层的厚度方向对齐设置。
[0045]进一步地，填充导电材料包括：
[0046]向所述凹槽内填充导电碳浆，形成导电碳浆层；
[0047]在所述导电碳浆层的上侧填充所述导电金属浆料、或所述导电金属浆料与所述导电非金属浆料的混合物。
[0048]进一步地，所述导电金属浆料包括银浆、或铜浆、或银包铜浆中的至少一种；或所述导电金属浆料包括球状、片状、树杈状或一维线状的金属粉；所述导电非金属浆料包括碳纤维、碳纳米管、石墨烯等中的至少一种；所述导电碳浆层的厚度不超过所述凹槽深度的1/5
。
[0049]如上项所述的金属网格导电膜可以应用在触控屏中。
[0050]本专利技术的有益效果是：本专利技术的金属网格导电膜及其制备方法，通过激光镭射形成凹槽或母版凹槽，使得所述凹槽的侧壁及底壁均呈平面状，在置入导电材料时，导电材料能够均匀地填充满整个所述凹槽，避免虚印或出现孔隙，提高整个导电网格的导电性能。
附图说明
[0051]图1为本专利技术一较佳实施例的金属网格导电膜的结构示意图；
[0052]图2为本专利技术一较佳实施例的金属网格导电膜的结构示意图；
[0053]图3为本专利技术一较佳实施例的金属网格导电膜的结构示意图。
[0054]其中，100
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金属网格导电膜，1
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属网格导电膜，其特征在于，包括：基材层、自所述基材层的至少一个表面凹设形成的若干凹槽、填充于所述凹槽内的导电材料，若干所述凹槽相互连通呈网格状，所述凹槽的侧壁及底壁均呈平面状。2.如权利要求1所述的金属网格导电膜，其特征在于：所述凹槽的宽度与深度的比值介于1:1.5～1:5之间。3.如权利要求1所述的金属网格导电膜，其特征在于：所述凹槽的深度为10nm～30μm，宽度为10nm～20μm。4.如权利要求1所述的金属网格导电膜，其特征在于：所述基材层包括相对设置的第一表面和第二表面，所凹槽包括位于所述第一表面的第一凹槽、位于第二表面上的第二凹槽，所述第一凹槽与第二凹槽沿所述基材层的厚度方向对齐设置。5.如权利要求4所述的金属网格导电膜，其特征在于：所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度之和不超过基材层厚度的三分之二。6.如权利要求1所述的金属网格导电膜，其特征在于：还包括位于所述基材层的至少一个表面的叠加层，所述叠加层包括UV胶层、位于UV胶层背离所述基材层的一侧的若干第三凹槽、位于所述第三凹槽内的导电材料，若干第三凹槽相互连通呈网格状。7.如权利要求6所述的金属网格导电膜，其特征在于：所述第三凹槽的宽度与深度的比值介于1:1.5～1:5之间；或所述第三凹槽的深度为10nm～30μm，宽度为10nm～20μm。8.如权利要求6所述的金属网格导电膜，其特征在于：所述第三凹槽与所述凹槽沿所述基材层的厚度方向对齐设置。9.如权利要求1～8任意一项所述的金属网格导电膜，其特征在于：所述导电材料包括导电金属浆料、或导电金属浆料与导电非金属浆料的混合物；其中所述导电金属浆料包括银浆、或铜浆、或银包铜浆中的至少一种；或所述导电金属浆料包括球状、片状、树杈状或一维线状的金属粉；所述导电非金属浆料包括碳纤维、碳纳米管、石墨烯等中的至少一种。10.如权利要求1～8任一项所述的金属网格导电膜，其特征在于：所述导电材料还包括填充于所述凹槽底部的导电碳浆层。11.如权利要求10所述的金属网格导电膜，其特征在于：所述导电碳浆层的厚度不超过所述凹槽深度的1/5。12.一种金属网格导电膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1提供导电膜基材；S2采用激光在导电膜材的至少一个表面上镭射出若干凹槽，若干凹槽相互连通呈网格状；S3向所述凹槽内填充导电材料，得到导电膜半成品；S4烘烤导电膜半成品，得到金属网格导电膜。13.如权利要求12所述的金属网格导电膜的制备方法，其特征在于：所述金属网格导电膜的制备方法还包括：在步骤S2之前，在所述基材层的表面涂覆保护层，所述保护层具有与所述凹槽相对应的贯穿孔；在步骤S3之后，去除所述保护层。
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈春明，朱记莲，彭颖杰，陈游扬，张火，姜锴，潘克菲，徐晔，
申请(专利权)人：苏州诺菲纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：