一种基于二次外包策略的预制棒制备方法、装置及介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基于二次外包策略的预制棒制备方法、装置及介质，所述方法包括以下步骤：制备初始VAD烧结棒，对初始VAD烧结棒进行VAD测试，得到第一测试结果；基于第一测试结果对初始VAD烧结棒进行第一焊接处理，得到初始VAD芯棒；根据二次外包策略对初始VAD芯棒进行OVD循环外包处理，得到二次外包预制棒；本发明专利技术能够对于第一次外包过后得到的过长OVD烧结棒进行了充分利用，形成了一对多的产出逻辑，通过小数量的芯棒产出多数量的预制棒，且工艺流程稳定性强，提高了芯棒的利用率以及预制棒的生产效率，提高了预制棒的产出比值，降低了预制棒的生产成本，具有极高的便捷性，为光纤预制棒的生产制造提供新途径。预制棒的生产制造提供新途径。预制棒的生产制造提供新途径。

【技术实现步骤摘要】
一种基于二次外包策略的预制棒制备方法、装置及介质


[0001]本专利技术涉及光纤制造
，具体的，本专利技术应用于光纤预制棒制造领域，特别是涉及一种基于二次外包策略的预制棒制备方法、装置及介质。

技术介绍

[0002]在“光棒
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光纤
‑
光缆”产业链中，光纤预制棒是整个产业链中最关键的环节。光纤预制棒是光纤光缆的上游原材料，约占光纤总成本的65%
‑
70%。近年来受到市场环境变化等因素的影响，光纤预制棒的制造面临着原材料价格不断上涨、人力和动力成本的迅速增加等挑战；故为缓解此压力，国内外各大制造商均在寻找降低预制棒制造成本的途径，因此，提供一种能够降低预制棒制造成本的方法，迫在眉睫。
[0003]目前，现有技术中，生产光纤预制棒的汽相沉积工艺都已经发展为“两步法”（Two
‑
step Processes），即第一步生产芯棒以及第二步在芯棒上附加外包层，具体工艺流程为：在生产芯棒时，不仅要制造芯也必需制造部分包层，进而确保光纤的光学质量，随后，根据芯棒的大小把芯棒拉细成很多小芯棒，之后在芯棒上附加外包层，制成预制棒，同时，也可以根据预制棒和拉丝炉的大小，把预制棒选择拉细，现有的这种预制棒生产方法，为基于芯棒和预制棒间一对一的产出逻辑，产出比值相对固定，生产成本也难以降低，故在此基础之上，需要设计一种能够提高初始芯棒利用率，且提高生产效率并降低生产成本的光纤预制棒生产工艺。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于，针对现有技术中的上述问题，提供一种基于二次外包策略的预制棒制备方法、装置及介质，进而实现提高预制棒生产过程中，初始芯棒利用率，提高总体的生产效率并降低光纤预制棒的生产成本，为光纤预制棒的生产制造提供新途径。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术的具体技术方案如下：一方面，本专利技术提供一种基于二次外包策略的预制棒制备方法，包括：初始VAD步骤：制备初始VAD烧结棒，对所述初始VAD烧结棒进行VAD测试，得到第一测试结果；初始焊接步骤：基于所述第一测试结果对所述初始VAD烧结棒进行第一焊接处理，得到初始VAD芯棒；二次外包步骤：根据二次外包策略对所述初始VAD芯棒进行OVD循环外包处理，得到二次外包预制棒。
[0006]作为一种改进的方案，所述二次外包策略，包括：对所述初始VAD芯棒进行芯棒OVD外包处理，得到第一OVD烧结棒；对所述第一OVD烧结棒进行第二焊接处理，得到第一OVD芯棒；
对所述第一OVD芯棒再次进行所述芯棒OVD外包处理，得到所述二次外包预制棒。
[0007]作为一种改进的方案，所述芯棒OVD外包处理，包括：对所述初始VAD芯棒进行OVD沉积处理，得到第一OVD沉积体；对所述第一OVD沉积体进行OVD烧结处理，得到第一OVD烧结体；对所述第一OVD烧结体进行OVD退火处理，得到所述第一OVD烧结棒；或，对所述第一OVD芯棒进行OVD沉积处理，得到第二OVD沉积体；对所述第二OVD沉积体进行OVD烧结处理，得到第二OVD烧结体；对所述第二OVD烧结体进行OVD退火处理，得到所述二次外包预制棒。
[0008]作为一种改进的方案，所述第二焊接处理，包括：对所述第一OVD烧结棒进行对半分切，得到若干第二OVD烧结棒；对每个所述第二OVD烧结棒分别进行烧结棒两端第一尾柄焊接，得到若干第一焊接OVD烧结棒；对每个所述第一焊接OVD烧结棒分别进行拉伸处理，得到若干初始OVD芯棒；对若干所述初始OVD芯棒分别进行OVD测试；对若干所述初始OVD芯棒中通过所述OVD测试的初始OVD芯棒进行烧结棒两端第二尾柄焊接；设定经过所述烧结棒两端第二尾柄焊接的初始OVD芯棒为所述第一OVD芯棒。
[0009]作为一种改进的方案，所述制备初始VAD烧结棒，包括：基于VAD工艺平台进行VAD沉积处理，得到VAD沉积体；基于所述VAD工艺平台对所述VAD沉积体进行VAD烧结处理，得到VAD烧结体；基于所述VAD工艺平台对所述VAD烧结体进行VAD脱气处理，得到所述初始VAD烧结棒。
[0010]作为一种改进的方案，所述第一测试结果包括：第一结果和第二结果；所述第一结果为VAD测试合格，所述第二结果为VAD测试未合格；所述对所述初始VAD烧结棒进行VAD测试，得到第一测试结果，包括：设置VAD测试合格参数；检测所述初始VAD烧结棒的烧结棒参数；比对所述烧结棒参数是否与所述VAD测试合格参数相匹配；若匹配，则生成所述第一结果；若非匹配，则生成所述第二结果。
[0011]作为一种改进的方案，所述基于所述第一测试结果对所述初始VAD烧结棒进行第一焊接处理，得到初始VAD芯棒，包括：识别所述第一测试结果；所述第一测试结果为所述第一结果时，对所述初始VAD烧结棒进行所述第一焊接处理，得到所述初始VAD芯棒。
[0012]作为一种改进的方案，所述第一焊接处理，包括：对所述初始VAD烧结棒进行烧结棒两端第一尾柄焊接，得到第一焊接VAD烧结棒；对所述第一焊接VAD烧结棒进行拉伸处理，得到第一拉伸VAD芯棒；对所述第一拉伸VAD芯棒进行烧结棒两端第二尾柄焊接，得到所述初始VAD芯棒。
[0013]另一方面，本专利技术还提供一种基于二次外包策略的预制棒制备装置，包括：控制器
模块、VAD模块、OVD模块、测试模块、焊接模块和拉伸模块；所述VAD模块用于制备初始VAD烧结棒，所述VAD模块通过所述测试模块对所述初始VAD烧结棒进行VAD测试，得到第一测试结果；所述VAD模块基于所述第一测试结果，并通过所述焊接模块和所述拉伸模块对所述初始VAD烧结棒进行第一焊接处理，得到初始VAD芯棒；所述OVD模块用于根据二次外包策略配合所述测试模块、所述焊接模块和所述拉伸模块对所述初始VAD芯棒进行OVD循环外包处理，得到二次外包预制棒；所述控制器模块用于控制所述VAD模块、所述OVD模块、所述测试模块、所述焊接模块和所述拉伸模块间进行相互配合。
[0014]另一方面，本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现所述基于二次外包策略的预制棒制备方法的步骤。
[0015]本专利技术技术方案的有益效果是：1、本专利技术所述的一种基于二次外包策略的预制棒制备方法，可以实现设计了双包层预制棒的制作流程，详细设计了具体的焊接次数、拉伸次数以及测试次数，且对于第一次外包过后得到的过长OVD烧结棒进行了充分利用，形成了一对多的产出逻辑，通过小数量的芯棒产出多数量的预制棒，且工艺流程稳定性强，提高了芯棒的利用率以及预制棒的生产效率，提高了预制棒的产出比值，极大的降低了预制棒的生产成本，整个工艺流程智能化可控，具有极高的便捷性和应用价值，弥补了现有技术的空缺，为光纤预制棒的生产制造提供新途径。
[0016]2、本专利技术所述的一种基于二次外包策略的预制棒制备装置，可以通过控制器模块、VAD模块、OVD模块、测试模块、焊接模块和拉伸模块的相互配合，进而实现智能化的运行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于二次外包策略的预制棒制备方法，其特征在于，包括以下步骤：初始VAD步骤：制备初始VAD烧结棒，对所述初始VAD烧结棒进行VAD测试，得到第一测试结果；初始焊接步骤：基于所述第一测试结果对所述初始VAD烧结棒进行第一焊接处理，得到初始VAD芯棒；二次外包步骤：根据二次外包策略对所述初始VAD芯棒进行OVD循环外包处理，得到二次外包预制棒。2.根据权利要求1所述的一种基于二次外包策略的预制棒制备方法，其特征在于：所述二次外包策略，包括：对所述初始VAD芯棒进行芯棒OVD外包处理，得到第一OVD烧结棒；对所述第一OVD烧结棒进行第二焊接处理，得到第一OVD芯棒；对所述第一OVD芯棒再次进行所述芯棒OVD外包处理，得到所述二次外包预制棒。3.根据权利要求2所述的一种基于二次外包策略的预制棒制备方法，其特征在于：所述芯棒OVD外包处理，包括：对所述初始VAD芯棒进行OVD沉积处理，得到第一OVD沉积体；对所述第一OVD沉积体进行OVD烧结处理，得到第一OVD烧结体；对所述第一OVD烧结体进行OVD退火处理，得到所述第一OVD烧结棒；或，对所述第一OVD芯棒进行OVD沉积处理，得到第二OVD沉积体；对所述第二OVD沉积体进行OVD烧结处理，得到第二OVD烧结体；对所述第二OVD烧结体进行OVD退火处理，得到所述二次外包预制棒。4.根据权利要求2所述的一种基于二次外包策略的预制棒制备方法，其特征在于：所述第二焊接处理，包括：对所述第一OVD烧结棒进行分切，得到若干第二OVD烧结棒；对每个所述第二OVD烧结棒分别进行端部焊接，得到若干第一焊接OVD烧结棒；对每个所述第一焊接OVD烧结棒分别进行拉伸处理，得到若干初始OVD芯棒；对若干所述初始OVD芯棒分别进行OVD测试；对若干所述初始OVD芯棒中通过所述OVD测试的初始OVD芯棒进行端部焊接；设定经过所述端部焊接的初始OVD芯棒为所述第一OVD芯棒。5.根据权利要求1所述的一种基于二次外包策略的预制棒制备方法，其特征在于：所述制备初始VAD烧结棒，包括：基于VAD工艺平台进行VAD沉积处理，得到VAD沉积体；基于所述VAD工艺平台对所述VAD沉积体进行VAD烧结处理，得到VAD烧结体；基于所述VAD工艺平台对所述VA...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈坤，段永威，孙林栋，骆小波，孙凡，靳守卿，庄明杰，郭佑胜，
申请(专利权)人：杭州永特信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：