【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种硅薄膜太阳能电池，特别是一种P-i-N半导体层内具有不 同的结晶结构来达到不同能隙大小，用以提高其光的波长吸收范围。
技术介绍
目前，由于国际能源短缺，世界各国一直持续研发各种可行的替代能源， 其中又以太阳能发电的太阳能电池最为受到瞩目，太阳电池具有使用方便、取 之不尽、用之不竭、无废弃物、无污染、无转动部份、无噪音、可阻隔辐射热、 使用寿命长、尺寸可随意变化、与建筑物作结合及普及化等优点，因此利用太 阳能电池作为能源的取得的方式是一种非常有效的能源取得形式。在20世纪70年代，由美国贝尔实验室首先研制出的硅太阳能电池逐步发 展起来。随着太阳能电池的发展，如今太阳能电池有多种类型，典型的有单晶 硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池、化合物太阳能电池、 染料敏化太阳能电池等。硅(Silicon)是目前通用的太阳能电池中的原料的代表，在市场上又区分 为1.单结晶硅；2.多结晶硅；3.非结晶硅。目前最成熟的工业生产制造技 术和具有最大的市场占有率的是以单晶硅和非晶硅为主的光电板。原因是一、 单晶效率最高；二、非晶价格最便宜，且无需封装，生...
【技术保护点】
一种硅薄膜太阳能电池，其特征在于，其包含： 一基板； 一透明导电膜，形成于该基板上，用于取出电能与提升光电转换的效率； 一Ｐ型半导体层，该Ｐ型半导体层内具有镶埋纳米晶硅，形成于该透明导电膜上，用于产生空穴； 一本征半 导体层，该本征半导体层内具有镶埋微晶硅，形成于该Ｐ型半导体层上方，用于提高太阳能电池的电特性； 一Ｎ型半导体层，该Ｎ型半导体层内具有镶埋多晶硅，形成于该本征半导体层上方，用于产生电子； 一电极，形成于该Ｎ型半导体层上方，用于取出 电能与提升光电转换的效率。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：简永杰，杨茹媛，张育绮，田伟辰，
申请(专利权)人：东捷科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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