一种空腔结构的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种空腔结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底的表面以下形成掺杂区域；在位于所述掺杂区域以内的所述衬底表面上形成释放通道；通过所述释放通道选择性去除下方所述掺杂区域中的所述衬底材料，形成空腔结构。本发明专利技术通过在衬底中形成掺杂区域，利用不同掺杂浓度区域之间存在的刻蚀选择比差异，对掺杂区域中的衬底材料进行选择性去除，可有效控制形成空腔结构时的空腔形貌及空腔深度等参数，获得理想的空腔结构形貌，并增强了工艺的可调性，具有工艺简单，可与业界现有工艺流程兼容的优点。流程兼容的优点。流程兼容的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种空腔结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路及MEMS制造工艺
，尤其涉及一种空腔结构的形成方法。

技术介绍

[0002]在微机电系统(MEMS)
，随着产品类型的不断丰富，多种含有可动部件的产品如压力传感器、加速度计、陀螺仪等，都需要形成悬空结构。另外，为提高器件微观区域的散热性能，空腔结构也成为某些半导体器件的必备要素。因此，空腔的形成已成为MEMS领域的关键技术之一。
[0003]常规的空腔形成方式，是在基底如硅衬底上形成相应的沟槽，然后通过键合形成封闭结构。但该工艺流程涉及半导体制造及封装的相关工艺步骤，一般需要在不同的生产环境进行，因而增加了工艺流程的复杂性。其中，硅衬底的图形化是空腔结构形成的关键技术和难点之一。湿法腐蚀是硅刻蚀的常用工艺，但对于特定晶向的硅衬底，会形成特定角度的刻蚀沟槽形貌，使得刻蚀形貌的调节较为困难。另外，干法刻蚀也是深硅刻蚀的通用技术之一，其主要通过工艺参数的调整，来调节纵向刻蚀深度及横向宽度，但这也使得空腔的具体尺寸易受到工艺参数波动的影响，且刻蚀形貌的可调性也不高。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种空腔结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底的表面以下形成掺杂区域；在位于所述掺杂区域以内的所述衬底表面上形成释放通道；通过所述释放通道选择性去除下方所述掺杂区域中的所述衬底材料，形成空腔结构。2.根据权利要求1所述的空腔结构的形成方法，其特征在于，采用离子注入方法，并退火，形成所述掺杂区域。3.根据权利要求2所述的空腔结构的形成方法，其特征在于，通过采用多次离子注入，并在每次离子注入时，在所述衬底表面上对应形成不同的注入掩膜层图形，以形成包括具有不同注入面积和注入深度的多个掺杂子区域的所述掺杂区域。4.根据权利要求2所述的空腔结构的形成方法，其特征在于，所述掺杂区域为N型掺杂区域。5.根据权利要求1所述的空腔结构的形成方法，其特征在于，采用离子注入方法，并省略退火，形成包括沿注入方向具有掺杂浓度...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟军，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：