层叠体、层叠体的制造方法及半导体基板的制造方法技术

本发明专利技术提供用于向半导体基板扩散杂质扩散成分的、能够通过具备良好的成膜性的方法制造且能够使杂质扩散成分良好地扩散的层叠体、该层叠体的制造方法及使用了该层叠体的半导体基板的制造方法。该层叠体是用于向半导体基板扩散杂质扩散成分(A)的层叠体，包含被扩散半导体基板、胺化合物层与杂质扩散成分层，且胺化合物层与被扩散半导体基板的一个主面相接，杂质扩散成分层与胺化合物层的不与被扩散半导体基板相接的主面相接，胺化合物层包含胺化合物(B1)及/或胺化合物残基(B2)，该胺化合物(B1)包含2个以上的氮原子，且2个以上的氮原子中的至少1个构成氨基，该胺化合物残基(B2)具有1个以上的氨基，且经由共价键而与主面键合。合。合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠体、层叠体的制造方法及半导体基板的制造方法


[0001]本专利技术涉及用于向半导体基板扩散杂质扩散成分的层叠体、层叠体的制造方法、以及使用了层叠体的半导体基板的制造方法。

技术介绍

[0002]用于晶体管、二极管、太阳能电池等半导体元件的半导体基板通过在半导体基板上使磷或硼等杂质扩散成分扩散而制造。
[0003]作为在半导体基板使杂质扩散成分扩散的方法，存在将包含杂质扩散成分的杂质扩散剂组合物涂布于被扩散半导体基板的方法。例如，作为向硅掺杂的方法，公开有在硅基板的表面涂布包含磷酸的溶液来进行杂质(磷)的扩散的方法(例如参照专利文献1)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特表2011
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519477号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的技术问题
[0008]但是，在涂布专利文献1所记载那样的磷酸等磷化合物的溶液而进行杂质的扩散的情况下，存在成膜性差的问题。
[0009]此外，也可以考虑涂布硼酸等硼化合物的溶液来进行杂质(硼)的扩散，但除了成膜性的问题之外，还存在从成膜时起硼化合物容易向外部扩散而难以使杂质良好地扩散的问题。
[0010]从以上的实际情况来看，在使杂质扩散成分扩散的半导体基板的制造中，要求能够通过具备良好的成膜性的方法来制造，或者能够使杂质扩散成分良好地扩散。
[0011]本专利技术是鉴于上述技术问题而完成的，其目的在于，提供一种用于向半导体基板扩散杂质扩散成分的、能够通过具备良好的成膜性的方法制造且能够使杂质扩散成分良好地扩散的层叠体、该层叠体的制造方法、以及使用了该层叠体的半导体基板的制造方法。
[0012]用于解决上述技术问题的方案
[0013]本专利技术人等发现，利用如下层叠体能够解决上述技术问题，从而完成了本专利技术：该层叠体包含被扩散半导体基板、胺化合物层与杂质扩散成分层，且胺化合物层与被扩散半导体基板的一个主面相接，杂质扩散成分层与胺化合物层的不与被扩散半导体基板相接的主面相接，其中，胺化合物层包含胺化合物(B1)及/或胺化合物残基(B2)，该胺化合物(B1)包含2个以上的氮原子，且2个以上的氮原子中的至少1个构成氨基，该胺化合物残基(B2)具有1个以上的氨基，且经由共价键而与主面键合。更具体而言，本专利技术提供如下所述的方案。
[0014]本专利技术的第1方案是一种层叠体，是用于向半导体基板扩散杂质扩散成分(A)的层叠体，
[0015]所述层叠体包含被扩散半导体基板、胺化合物层与杂质扩散成分层，
[0016]所述胺化合物层与所述被扩散半导体基板的一个主面相接，
[0017]所述杂质扩散成分层与所述胺化合物层的不与所述被扩散半导体基板相接的主面相接，
[0018]所述胺化合物层包含胺化合物(B1)及/或胺化合物残基(B2)，该胺化合物(B1)包含2个以上的氮原子，且2个以上的所述氮原子中的至少1个构成氨基，该胺化合物残基(B2)具有1个以上的氨基，且经由共价键而与所述主面键合。
[0019]本专利技术的第2方案是一种层叠体的制造方法，是第1方案的层叠体的制造方法，包括：
[0020]含胺化合物的组合物涂布工序，在所述被扩散半导体基板上涂布包含所述胺化合物(B1)或赋予所述胺化合物残基(B2)的反应性胺化合物的含胺化合物的组合物；
[0021]含杂质扩散成分的组合物涂布工序，在所述含胺化合物的组合物涂布工序之后，涂布包含所述杂质扩散成分(A)的含杂质扩散成分的组合物。
[0022]本专利技术的第3方案是一种半导体基板的制造方法，包括扩散工序，通过对第1方案的层叠体进行加热而使所述杂质扩散成分(A)向所述被扩散半导体基板扩散。
[0023]专利技术效果
[0024]根据本专利技术，能够提供一种用于向半导体基板扩散杂质扩散成分的、能够通过具备良好的成膜性的方法制造且能够使杂质扩散成分良好地扩散的层叠体、该层叠体的制造方法、以及使用了该层叠体的半导体基板的制造方法。
附图说明
[0025]图1是示出层叠体的结构例的示意图。
[0026]图2是说明使用了层叠体的半导体基板的制造方法例的示意图。
具体实施方式
[0027]《层叠体及层叠体的制造方法》
[0028]本专利技术的层叠体是用于向半导体基板扩散杂质扩散成分(A)的层叠体。层叠体包含被扩散半导体基板、胺化合物层与杂质扩散成分层。胺化合物层与被扩散半导体基板的一个主面相接。杂质扩散成分层与胺化合物层的不与被扩散半导体基板相接的主面相接。胺化合物层包含胺化合物(B1)及/或胺化合物残基(B2)，该胺化合物(B1)包含2个以上的氮原子，且2个以上的氮原子中的至少1个构成氨基，该胺化合物残基(B2)具有1个以上的氨基，且经由共价键而与主面键合。
[0029]使用图1对层叠体进行说明。图1是示出层叠体的结构例的示意图。
[0030]如图1所示，层叠体1具有被扩散半导体基板2、与被扩散半导体基板2的上侧的主面相接的胺化合物层3、以及与胺化合物层3的不与被扩散半导体基板2相接的主面相接的杂质扩散成分层4。
[0031]另外，在图1中，示出还具有与杂质扩散成分层4的不与胺化合物层3相接的主面相接的第2胺化合物层5，且第2胺化合物层5是层叠体1的最表层的层叠体，但层叠体1只要具有胺化合物层3与杂质扩散成分层4即可，也可以不具有第2胺化合物层5。
[0032]<被扩散半导体基板>
[0033]被扩散半导体基板2是使杂质扩散成分(A)扩散的对象。
[0034]作为被扩散半导体基板2，能够没有特别限制地使用以往作为使杂质扩散成分扩散的对象而使用的各种基板。作为被扩散半导体基板2，典型地可使用硅基板。硅基板可根据杂质扩散成分(A)的种类，从n型硅基板、p型硅基板中适当选择。
[0035]硅基板等半导体基板大多具备表面自然氧化而形成的自然氧化膜。例如，硅基板大多具备主要由SiO2构成的自然氧化膜。因此，也可以将使用氢氟酸的水溶液等去除了半导体基板表面的自然氧化膜的半导体基板用作被扩散半导体基板2。
[0036]被扩散半导体基板2也可以在设置有胺化合物层3的主面具有具备凸部与凹部的立体结构。作为具备凸部和凹部的立体结构，例如可例举纳米级的微小的图案。图案的形状没有特别限定，典型地，可例举截面的形状为矩形的直线状或曲线状的线或槽、孔洞形状。
[0037]<与被扩散半导体基板的上侧的主面相接的胺化合物层>
[0038]与被扩散半导体基板2的上侧的主面相接的胺化合物层3包含胺化合物(B1)及/或胺化合物残基(B2)。
[0039]胺化合物(B1)是包含2个以上的氮原子且2个以上的氮原子中的至少1个构成氨基的胺化合物。氨基可以是伯氨基、仲氨基和叔氨基中的任一种。另外，胺化合物(B1)优选为低分子量的化合物，例如分子量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种层叠体，是用于向半导体基板扩散杂质扩散成分(A)的层叠体，其特征在于，所述层叠体包含被扩散半导体基板、胺化合物层与杂质扩散成分层，所述胺化合物层与所述被扩散半导体基板的一个主面相接，所述杂质扩散成分层与所述胺化合物层的不与所述被扩散半导体基板相接的主面相接，所述胺化合物层包含胺化合物(B1)及/或胺化合物残基(B2)，所述胺化合物(B1)包含2个以上的氮原子，且2个以上的所述氮原子中的至少1个构成氨基，所述胺化合物残基(B2)具有1个以上的氨基，且经由共价键而与所述主面键合。2.如权利要求1所述的层叠体，其特征在于，所述胺化合物(B1)或赋予所述胺化合物残基(B2)的反应性胺化合物包含直链状或支链状的脂肪族胺化合物。3.如权利要求1或2所述的层叠体，其特征在于，所述胺化合物(B1)或赋予所述胺化合物残基(...

【专利技术属性】
技术研发人员：久保慧辅，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：