一种快速芯片薄片制备工艺制造技术

本发明专利技术涉及芯片薄片制备领域，特别是一种快速芯片薄片制备工艺，其特征在于，所述制备方法至少包括一下步骤：步骤一：磷扩散，具体为：选择片厚在180

【技术实现步骤摘要】
一种快速芯片薄片制备工艺


[0001]本专利技术涉及芯片薄片制备领域，特别是一种快速芯片薄片制备工艺。

技术介绍

[0002]原FR、HER、SF芯片在制备时都会选择片厚在270 um
ꢀ‑
400 um之间，而阻值在10
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40Ω之间的硅片进行扩散，这是因为磷扩后在硅片的另一面会形成反渗，为了保证棚扩不受磷源反渗的影响，必须在另一面附硼前利用吹砂减去相应的反渗层，必须保证除去40
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60 um的层厚，由于吹砂多遍才能去掉磷的高温扩散反渗吸附层，然而多遍吹砂会造成破片率大增，所以原硅片必须保证片厚在270微米以上。
[0003]传统芯片制备工艺流程为清洗—附磷源（涂磷源）—高温扩磷—出炉—分片—吹砂（除去磷源给硅片另一面的污染）—清洗—附硼源（涂硼源）—高温扩硼—出炉—吹砂—清洗—扩铂金—出炉—吹砂—清洗—镍烧结—划片—晶粒完成—芯片出货。此工艺成熟但是制备繁琐，仅喷砂一道工序消耗电能（压缩空气）巨大，给制备工艺增加三分之一的成本，而且破片率会增加几个百分点。在扩铂金时会造成VF与TRR的参数难以把控，特别在3A，5A，6A，10A及以上规格产品合格率会大打折扣，本专利技术就完美地解决了此类问题。
[0004]在进行装舟工艺时需要使用到石英舟，石英舟在搬运时需要使用舟叉进行搬运，现有的舟叉末端大多缺少挡体，导致石英舟极易从舟叉上滑落。部分设有挡体的舟叉，为便于舟叉插入石英舟上的套筒，挡体直径需小于套筒直径，而舟叉的插杆部分有小于挡体直径，导致舟叉与套筒间隙过大，搬运时稳定性差，且取出舟叉时，挡体容易造成干扰，影响工作效率。

技术实现思路

[0005]针对上述情况，为克服现有技术之缺陷，本专利技术提供了一种快速芯片薄片制备工艺，其解决的技术方案是，一种快速芯片薄片制备工艺，其特征在于，所述制备方法至少包括一下步骤：步骤一：磷扩散，具体为：选择片厚在180
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260 um之间，阻值在5
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40Ω之间的单晶硅研磨片，对选择的单晶硅研磨片进行表面清洗，之后对单晶硅研磨片磷面附磷纸，在超薄片时需要对单晶硅研磨片另一面附中性纸，之后对芯片进行装舟并在加热炉中进行高温扩磷3
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6小时，得到扩磷片，之后将扩磷片出炉降温。
[0006]步骤二：吹砂，具体为：将步骤一得到的扩磷片出炉降温后泡酸分片，分片之后清洗烘干，单面（即附中性纸面）吹砂2遍使得扩磷片减薄片厚10
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15um，得到减薄扩磷片。
[0007]步骤三：硼扩散，具体为：对步骤二中的减薄扩磷片进行清洗，之后磷面对磷面，然后对步骤二中的吹砂面附硼纸，之后进行装舟并进加热炉扩硼10
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30小时，得到扩硼片。
[0008]步骤四：扩铂，具体为：对步骤三中的扩硼片出炉后进行分片，之后清洗硼面并对硼面吹砂一遍，之后清洗烘干并进入扩铂间进行涂铂源，铂源按工艺配比而成由工艺工程制配，将铂源涂在硼面（经清洗吹砂清洗烘干）进炉扩铂。
[0009]作为优选，还包括一种快速芯片薄片制备用石英舟舟叉，所述石英舟舟叉包括横向布置的握柄，握柄右端同轴固定连接有插杆，插杆内设有挡体装置，握柄内设有用于触发挡体装置的触发装置。
[0010]作为优选，所述挡体装置包括插杆内开设有横向布置的长槽，长槽左端贯穿至握柄内部，长槽内横向滑动配合有长杆，长杆右端为第一楔形面，长杆左端为与触发装置滑动配合的第二楔形面，插杆内开设有与长槽右端连通的竖槽，竖槽内属相滑动配合有与第一楔形面滑动配合的第一楔形块，插杆内开设有与竖槽左侧连通的第一容纳槽，楔形块左端固定连接有与第一容纳槽竖向滑动配合的第一连接块，第一连接块下端固定连接有第一弹簧的上端，第一弹簧的下端与第一容纳槽下底面固定连接。
[0011]作为优选，所述握柄内开设有与长槽上侧连通的第二容纳槽，长杆固定连接有与第二容纳槽横向滑动配合的第二连接块，第二连接块连接有第二弹簧的左端，第二弹簧的右端与第二容纳槽右侧壁固定连接。
[0012]作为优选，所述触发装置包括握柄外缘面上侧开设的横槽，横槽下底面开设有两沿横向间隔布置的插槽，滑槽竖向滑动配合有触发块，触发块下端固定连接有两与插槽一一对应且竖向滑动配合的插接杆，两插接杆下端分别固定连接有第三弹簧的上端，各所述第三弹簧的下端均与其对应侧插槽下底面固定连接，横槽下底面开设有与长槽左端连通的直槽，直槽内竖向滑动配合有与第二楔形面滑动配合的第二楔形块，第二楔形块上端与触发块固定连接。
[0013]作为优选，所述握柄的左右两端分别均同轴套固有大多边形块和小多边形块。
[0014]本专利技术有益效果是：本专利技术在使用时选择片厚在180
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260 um之间，阻值在5
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40Ω之间的单晶硅研磨片进行制片，较传统的制片方式不仅节省了生产成本，提高了生产效率，还增加了制片时选择片厚的范围。本专利技术在扩磷时，中性纸可以吸附90%的高温扩散反渗层，且高温扩磷时间可以从传统的10小时减少到3
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6小时，节省耗电量100度左右。本专利技术大大减少了吹砂次数，降低了破片率。在扩铂时，由于片源薄可以不考虑VF值，直接测试TRR值，控制在目标规格书最大值下就可以，因后面封装企业在封装酸洗时会让芯片面积缩小一点，相对的TRR会减小一点，以确保产品的合格率。
[0015]设有的挡体装置中的第二楔形块初始时位于竖槽内，在触发装置被触发即触发块被按压下移进入横槽中时，触发装置将通过第二楔形面使得挡体装置进行动作，并迫使第二楔形块伸出竖槽，可以与石英舟套筒的端面抵接进行限位。
附图说明
[0016]图1为本专利技术主剖立体视图。
[0017]图2为本专利技术主剖立体视图中A区域的放大图。
[0018]图3为本专利技术主剖立体视图中B区域的放大图。
[0019]图4为本专利技术主剖断面视图。
[0020]图5为本专利技术第一视角立体视图。
[0021]附图标记1.握柄，2.插杆，3.长槽，4.长杆，5.第一楔形面，6.第二楔形面，7.竖槽，8.第一楔
形块，9.第一容纳槽，10.第一连接块，11.第一弹簧，12.第二容纳槽，13.第二连接块，14.第二弹簧，15.横槽，16.插槽，17.触发块，18.插接杆，19.第三弹簧，20.直槽，21.第二楔形块，22. 小多边形块，23.大多边形块。
具体实施方式
[0022]以下结合附图1
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5对本专利技术的具体实施方式做出进一步详细说明。
[0023]实施例一，其解决的技术方案是，步骤一：磷扩散，具体为：选择片厚在180
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260 um之间，阻值在5
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40Ω之间的单晶硅研磨片，对选择的单晶硅研磨片进行表面清洗，之后对单晶硅研磨片磷面附磷纸，在超薄片时需要对单晶硅研磨片另一面附中性纸，之后对芯片进行装舟并在加热炉中进行高温扩磷3
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6小时，得本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种快速芯片薄片制备工艺，其特征在于，所述制备方法至少包括一下步骤：步骤一：磷扩散，具体为：选择片厚在180
‑
260 um之间，阻值在5
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40Ω之间的单晶硅研磨片，对选择的单晶硅研磨片进行表面清洗，之后对单晶硅研磨片磷面附磷纸，在超薄片时需要对单晶硅研磨片另一面附中性纸，之后对芯片进行装舟并在加热炉中进行高温扩磷3
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6小时，得到扩磷片，之后将扩磷片出炉降温；步骤二：吹砂，具体为：将步骤一得到的扩磷片出炉降温后泡酸分片，分片之后清洗烘干，单面（即附中性纸面）吹砂2遍使得扩磷片减薄片厚10
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15um，得到减薄扩磷片；步骤三：硼扩散，具体为：对步骤二中的减薄扩磷片进行清洗，之后磷面对磷面，然后对步骤二中的吹砂面附硼纸，之后进行装舟并进加热炉扩硼10
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30小时，得到扩硼片；步骤四：扩铂，具体为：对步骤三中的扩硼片出炉后进行分片，之后清洗硼面并对硼面吹砂一遍，之后清洗烘干并进入扩铂间进行涂铂源，铂源按工艺配比而成由工艺工程制配，将铂源涂在硼面（经清洗吹砂清洗烘干）进炉扩铂。2.根据权利要求1所述一种快速芯片薄片制备工艺，其特征在于，还包括一种快速芯片薄片制备用石英舟舟叉，所述石英舟舟叉包括横向布置的握柄（1），握柄（1）右端同轴固定连接有插杆（2），插杆（2）内设有挡体装置，握柄（1）内设有用于触发挡体装置的触发装置；所述挡体装置包括插杆（2）内开设有横向布置的长槽（3），长槽（3）左端贯穿至握柄（1）内部，长槽（3）内横向滑动配合有长杆（4），长杆（4）右端为第一楔形面（5），...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗军，叶斌，
申请(专利权)人：新县锝福矽晶电子有限公司，
类型：发明
国别省市：