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本发明公开了一种空腔结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底的表面以下形成掺杂区域；在位于所述掺杂区域以内的所述衬底表面上形成释放通道；通过所述释放通道选择性去除下方所述掺杂区域中的所述衬底材料，形成空腔结构。本发明通过在衬底中形成掺杂区...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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