存储器件、存储设备和存储器件制备方法技术

本公开涉及一种存储器件、存储设备和存储器件制备方法。其中，存储器件包括：第一电极部，所述第一电极部包括一个或多个鳍状部；存储材料部，所述存储材料部设于所述第一电极部上，且所述存储材料部的至少一部分覆盖所述一个或多个鳍状部中的每个鳍状部的顶表面和侧表面；以及第二电极部，所述第二电极部设于所述存储材料部上；其中，所述第一电极部、所述存储材料部和所述第二电极部依次堆叠。储材料部和所述第二电极部依次堆叠。储材料部和所述第二电极部依次堆叠。

【技术实现步骤摘要】
存储器件、存储设备和存储器件制备方法


[0001]本公开涉及存储
，更具体地，涉及一种存储器件、存储设备和存储器件制备方法。

技术介绍

[0002]存储器件是一种具有记忆功能的器件，其电学状态可以被控制，从而用于记录相应的数据。随着信息技术的快速发展，存储器件的应用越来越广泛，对其性能的需求也越来越高。因此，存在对现有的存储器件进行改进的需要。

技术实现思路

[0003]本公开的目的之一在于提供一种存储器件和存储器件制备方法，以通过增大存储器件的有效面积来改善存储器件的性能。
[0004]根据本公开的第一方面，提供了一种存储器件，包括：
[0005]第一电极部，所述第一电极部包括一个或多个鳍状部；
[0006]存储材料部，所述存储材料部设于所述第一电极部上，且所述存储材料部的至少一部分覆盖所述一个或多个鳍状部中的每个鳍状部的顶表面和侧表面；以及
[0007]第二电极部，所述第二电极部设于所述存储材料部上；
[0008]其中，所述第一电极部、所述存储材料部和所述第二电极部依次堆叠。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器件，其特征在于，所述存储器件包括：第一电极部，所述第一电极部包括一个或多个鳍状部；存储材料部，所述存储材料部设于所述第一电极部上，且所述存储材料部的至少一部分覆盖所述一个或多个鳍状部中的每个鳍状部的顶表面和侧表面；以及第二电极部，所述第二电极部设于所述存储材料部上；其中，所述第一电极部、所述存储材料部和所述第二电极部依次堆叠。2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，至少一个鳍状部的至少一个侧表面与底表面之间的夹角小于或等于90
°
。3.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，相邻两个鳍状部之间的最小距离大于所述存储材料部与所述第二电极部的厚度之和的两倍，其中，所述相邻两个鳍状部处于同一个存储器件中或分别处于不同的存储器件中。4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一电极部和所述第二电极部中的至少一者包括钛、氮化钛、氮化钛硅、氮化钛铝、碳氮化钛、氮化钽、氮化钽硅、氮化钽铝、氮化钨、硅化钨、掺杂多晶硅和透明导电氧化物中的至少一者。5.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储材料部包括相变存储材料。6.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储材料部包括铁电材料。7.根据权利要求6所述的存储器件，其特征在于，所述铁电材料包括氧化锆、氧化铪、氧化钛、氧化铝、氧化镍和氧化铁中的至少一者。8.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件的所述第一电极部被配置为经由位于电介质部内部的第一导电通孔电连接至第一金属布线层；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜雪珂，张继伟，丁甲，郭秋生，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：