存储器件、存储设备和存储器件制备方法技术

本公开涉及一种存储器件、存储设备和存储器件制备方法。其中，存储器件包括：第一电极部，所述第一电极部包括一个或多个鳍状部；存储材料部，所述存储材料部设于所述第一电极部上，且所述存储材料部的至少一部分覆盖所述一个或多个鳍状部中的每个鳍状部的顶表面和侧表面；以及第二电极部，所述第二电极部设于所述存储材料部上；其中，所述第一电极部、所述存储材料部和所述第二电极部依次堆叠。储材料部和所述第二电极部依次堆叠。储材料部和所述第二电极部依次堆叠。

【技术实现步骤摘要】
存储器件、存储设备和存储器件制备方法


[0001]本公开涉及存储
，更具体地，涉及一种存储器件、存储设备和存储器件制备方法。

技术介绍

[0002]存储器件是一种具有记忆功能的器件，其电学状态可以被控制，从而用于记录相应的数据。随着信息技术的快速发展，存储器件的应用越来越广泛，对其性能的需求也越来越高。因此，存在对现有的存储器件进行改进的需要。

技术实现思路

[0003]本公开的目的之一在于提供一种存储器件和存储器件制备方法，以通过增大存储器件的有效面积来改善存储器件的性能。
[0004]根据本公开的第一方面，提供了一种存储器件，包括：
[0005]第一电极部，所述第一电极部包括一个或多个鳍状部；
[0006]存储材料部，所述存储材料部设于所述第一电极部上，且所述存储材料部的至少一部分覆盖所述一个或多个鳍状部中的每个鳍状部的顶表面和侧表面；以及
[0007]第二电极部，所述第二电极部设于所述存储材料部上；
[0008]其中，所述第一电极部、所述存储材料部和所述第二电极部依次堆叠。
[0009]在一些实施例中，至少一个鳍状部的至少一个侧表面与底表面之间的夹角小于或等于90
°
。
[0010]在一些实施例中，相邻两个鳍状部之间的最小距离大于所述存储材料部与所述第二电极部的厚度之和的两倍，其中，所述相邻两个鳍状部处于同一个存储器件中或分别处于不同的存储器件中。
[0011]在一些实施例中，所述第一电极部和所述第二电极部中的至少一者包括钛、氮化钛、氮化钛硅、氮化钛铝、碳氮化钛、氮化钽、氮化钽硅、氮化钽铝、氮化钨、硅化钨、掺杂多晶硅和透明导电氧化物中的至少一者。
[0012]在一些实施例中，所述存储材料部包括相变存储材料。
[0013]在一些实施例中，所述存储材料部包括铁电材料。
[0014]在一些实施例中，所述铁电材料包括氧化锆、氧化铪、氧化钛、氧化铝、氧化镍和氧化铁中的至少一者。
[0015]在一些实施例中，所述存储器件的所述第一电极部被配置为经由位于电介质部内部的第一导电通孔电连接至第一金属布线层；以及
[0016]所述存储器件的所述第二电极部被配置为经由位于所述电介质部内部的第二导电通孔电连接至第二金属布线层，其中，所述第一金属布线层和所述第二金属布线层分别位于所述电介质部的相对两侧上。
[0017]在一些实施例中，多个存储器件的多个第一电极部被配置为经由同一个第一导电
通孔电连接至第一金属布线层；和/或
[0018]多个存储器件的多个第二电极部被配置为经由同一个第二导电通孔电连接至第二金属布线层。
[0019]根据本公开的第二方面，提供了一种存储设备，所述存储设备包括如上所述的存储器件。
[0020]根据本公开的第三方面，提供了一种存储器件制备方法，包括：
[0021]提供基底；
[0022]在所述基底上形成第一电极部，其中，所述第一电极部包括一个或多个鳍状部；
[0023]在所述第一电极部上形成存储材料部，其中，所述存储材料部的至少一部分覆盖所述一个或多个鳍状部中的每个鳍状部的顶表面和侧表面；以及
[0024]在所述存储材料部上形成第二电极部。
[0025]在一些实施例中，通过原子层沉积形成以下中的至少一者：
[0026]所述第一电极部的与所述存储材料部直接接触的部分；
[0027]所述第二电极部；
[0028]所述第二电极部的与所述存储材料部直接接触的部分；以及
[0029]所述存储材料部的至少一部分。
[0030]在一些实施例中，通过物理气相沉积形成以下中的至少一者：
[0031]所述第一电极部；
[0032]所述第一电极部的不与所述存储材料部直接接触的部分；
[0033]所述第二电极部；
[0034]所述第二电极部的不与所述存储材料部直接接触的部分；以及
[0035]所述存储材料部的至少一部分。
[0036]通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其他特征及其优点将会变得更为清楚。
附图说明
[0037]构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
[0038]参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：
[0039]图1示出了一种存储器件的截面结构示意图；
[0040]图2示出了根据本公开的一示例性实施例的存储器件的截面结构示意图；
[0041]图3示出了根据本公开的另一示例性实施例的存储器件的截面结构示意图；
[0042]图4示出了根据本公开的又一示例性实施例的存储器件的截面结构示意图；
[0043]图5示出了根据本公开的再一示例性实施例的存储器件的截面结构示意图；
[0044]图6示出了根据本公开的一示例性实施例的存储器件制备方法的流程示意图；
[0045]图7(a)至图7(j)示出了根据本公开的一具体示例的存储器件制备方法的过程示意图；
[0046]图8示出了根据本公开的另一具体示例的存储器件制备方法中形成第一电极部的过程示意图。
[0047]注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0048]为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的专利技术并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。此外，附图不必按比例绘制，一些特征可能被放大以示出具体组件的细节。
具体实施方式
[0049]现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应当注意，除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。
[0050]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本领域的技术人员将会理解，它们仅仅说明可以用来实施本公开的示例性方式，而不是穷尽的方式。
[0051]对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
[0052]图1示意性地示出了一种具有平面结构的存储器件(存储单元)的截面结构示意图，在图1中省略了用于将存储器件与外部电路电连接的部件等。如图1所示，该存储器件可以包括依次堆叠的第一电极层110
’
、存储材料层120
’
和第二电极层130
’
。这里，第一电极层110
’
、存储材料层120
’
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器件，其特征在于，所述存储器件包括：第一电极部，所述第一电极部包括一个或多个鳍状部；存储材料部，所述存储材料部设于所述第一电极部上，且所述存储材料部的至少一部分覆盖所述一个或多个鳍状部中的每个鳍状部的顶表面和侧表面；以及第二电极部，所述第二电极部设于所述存储材料部上；其中，所述第一电极部、所述存储材料部和所述第二电极部依次堆叠。2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，至少一个鳍状部的至少一个侧表面与底表面之间的夹角小于或等于90
°
。3.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，相邻两个鳍状部之间的最小距离大于所述存储材料部与所述第二电极部的厚度之和的两倍，其中，所述相邻两个鳍状部处于同一个存储器件中或分别处于不同的存储器件中。4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一电极部和所述第二电极部中的至少一者包括钛、氮化钛、氮化钛硅、氮化钛铝、碳氮化钛、氮化钽、氮化钽硅、氮化钽铝、氮化钨、硅化钨、掺杂多晶硅和透明导电氧化物中的至少一者。5.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储材料部包括相变存储材料。6.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储材料部包括铁电材料。7.根据权利要求6所述的存储器件，其特征在于，所述铁电材料包括氧化锆、氧化铪、氧化钛、氧化铝、氧化镍和氧化铁中的至少一者。8.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件的所述第一电极部被配置为经由位于电介质部内部的第一导电通孔电连接至第一金属布线层；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜雪珂，张继伟，丁甲，郭秋生，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：