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本公开涉及一种存储器件、存储设备和存储器件制备方法。其中，存储器件包括：第一电极部，所述第一电极部包括一个或多个鳍状部；存储材料部，所述存储材料部设于所述第一电极部上，且所述存储材料部的至少一部分覆盖所述一个或多个鳍状部中的每个鳍状部的顶表...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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