一种表面工程改性二维碳化钛忆阻器及其制备和应用制造技术

本发明专利技术属于二进制数据存储技术领域，具体涉及一种表面工程改性二维碳化钛忆阻器及其制备和应用。该表面工程改性二维碳化钛忆阻器，包括导电基底层、金属电极层以及设置在所述导电基底层与金属电极层之间的功能薄膜层；所述功能薄膜层包括改性二维碳化钛层和设置在所述改性二维碳化钛层两侧表面的氧化石墨烯层，所述改性二维碳化钛层为天青石蓝改性二维碳化钛层。本发明专利技术通过表面工程修饰解决了二维碳化钛类金属导电性问题，扩宽了其在数据存储领域的应用；采用叠层结构的策略解决了单层结构二维碳化钛忆阻器的性能不稳定的问题，有望应用于存储领域。望应用于存储领域。望应用于存储领域。

【技术实现步骤摘要】
一种表面工程改性二维碳化钛忆阻器及其制备和应用


[0001]本专利技术属于二进制数据存储
，具体涉及一种表面工程改性二维碳化钛忆阻器及其制备和应用。

技术介绍

[0002]传统的闪存设备难以满足未来人工智能时代对信息存储技术的要求，忆阻器由于其结构简单、可扩展性好以及存算一体的潜力，引起了学术界和工业界的极大兴趣，能够满足超高密度信息存储的需求。忆阻器通常由金属/绝缘体/金属(MIM)三层结构组成，表现出电阻切换行为，从而实现数据写入和存储。由于其工作电压低、开关速度快、优异的耐久性以及与传统互补金属氧化物半导体的兼容性，忆阻器正成为下一代可扩展的非易失性存储技术。
[0003]二维纳米材料因其独特的结构和光电性能，相比三维体材料具有显著的优势。它们的平面结构赋予了其与传统晶圆半导体技术出色的兼容性。近年来，二维纳米材料在纳米电子器件领域取得了很大的进展。二维碳化钛(MXenes)是一种由过渡金属碳化物组成的具有多个原子层的二维(2D)纳米材料。但是由于其具有类似金属导电性的电导率，限制了它在半导体电子器件领域的发展。近年来，MX本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种表面工程改性二维碳化钛忆阻器，其特征在于，包括导电基底层、金属电极层以及设置在所述导电基底层与金属电极层之间的功能薄膜层；所述功能薄膜层包括改性二维碳化钛层和设置在所述改性二维碳化钛层两侧表面的氧化石墨烯层，所述改性二维碳化钛层为天青石蓝改性二维碳化钛层。2.如权利要求1所述的表面工程改性二维碳化钛忆阻器，其特征在于，所述金属电极层为金属电极阵列。3.一种权利要求1或2所述的表面工程改性二维碳化钛忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，S1：在导电基底层表面涂布氧化石墨烯悬浮液，真空干燥形成第一氧化石墨烯层；S2：在所述第一氧化石墨烯层表面涂布二维碳化钛和天青石蓝的混合液，真空干燥形成改性二维碳化钛层；S3：在所述改性二维碳化钛层表面涂布氧化石墨烯悬浮液，真空干燥形成第二氧化石墨烯层；S4：在第二氧化石墨烯层表面溅射形成金属电极层，得到所述表面工程改性二维碳化钛忆阻器。4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述氧化石墨烯悬浮液的浓度为0.8～1.2mg/mL。5.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李阳，张程，凌松涛，马春兰，徐峥，
申请(专利权)人：苏州科技大学，
类型：发明
国别省市：