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本发明属于二进制数据存储技术领域，具体涉及一种表面工程改性二维碳化钛忆阻器及其制备和应用。该表面工程改性二维碳化钛忆阻器，包括导电基底层、金属电极层以及设置在所述导电基底层与金属电极层之间的功能薄膜层；所述功能薄膜层包括改性二维碳化钛层和设...
该专利属于苏州科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州科技大学授权不得商用。

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