晶圆缺陷定位方法技术

本公开提供了一种晶圆缺陷定位方法，该方法包括：通过晶圆的缺陷检测的初检结果文件得到晶粒标记点和缺陷在初检坐标系下的初检坐标；根据初检坐标的坐标分布，将晶圆划分为多个分区，各个分区包括指定数量的关键点，关键点包括晶粒标记点和/或缺陷；分别计算每个分区的关键点的转换矩阵，转换矩阵用于在初检坐标系和复检坐标系之间的坐标转换；对于任一所述分区，基于该分区的关键点的转换矩阵得到该分区中除关键点外任一点的转换矩阵；以及通过缺陷的转换矩阵将缺陷的初检坐标转换成在复检坐标系下的复检坐标。该晶圆缺陷定位方法可以降低初检设备和复检设备存在的非线性误差对晶圆缺陷定位的影响，实现缺陷的精确定位。实现缺陷的精确定位。实现缺陷的精确定位。

【技术实现步骤摘要】
晶圆缺陷定位方法


[0001]本公开的实施例涉及一种晶圆缺陷定位方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造过程中，需要对晶圆进行缺陷检测。通常先使用初检设备进行缺陷初检，再使用复检设备进行缺陷复检，初检设备和复检设备可以为光学检测设备或电子束检测设备。完成初检后，初检设备可提供初检结果文件。当使用复检设备对晶圆进行缺陷复检时，复检设备需要解析初检结果文件得到初检坐标系下的缺陷坐标，并将初检坐标系下的缺陷坐标通过坐标转换算法转换为复检坐标系下的坐标，基于复检设备坐标系的坐标移动复检设备中的运动台，以在复检设备的视场中定位缺陷。

技术实现思路

[0003]本公开的目的在于提供一种晶圆缺陷定位方法，通过对晶圆进行分区，分别获得各个分区关键点的转换矩阵，进而得到分区内任一点的转换矩阵，进而实现晶圆缺陷的精确定位。
[0004]本公开至少一个实施例提供一种晶圆缺陷定位方法，该方法包括：通过晶圆的缺陷检测的初检结果文件得到晶粒标记点和缺陷在初检坐标系下的初检坐标；根据初检坐标的坐标分布，将晶圆划分为多个分区，其中，各个分区包括指定数量的关键点，关键点包括晶粒标记点和/或缺陷；分别计算每个分区的关键点的转换矩阵，其中，转换矩阵用于在初检坐标系和复检坐标系之间的坐标转换；对于任一分区，基于该分区的关键点的转换矩阵得到该分区中除关键点外任一点的转换矩阵；以及通过缺陷的转换矩阵将缺陷的初检坐标转换成在复检坐标系下的复检坐标。
[0005]例如，在本公开至少一个实施例提供的晶圆缺陷定位方法中，关键点位于分区的边线上，关键点的数量为至少三个，且至少三个关键点非位于同一直线上。
[0006]例如，在本公开至少一个实施例提供的晶圆缺陷定位方法中，根据初检坐标的坐标分布，将晶圆划分为多个分区，包括：根据晶粒标记点和缺陷的初检坐标确定多个多边形单元，使多边形单元的任一顶点为晶粒标记点或缺陷，以将晶圆划分为将顶点作为关键点的分区，其中，各个分区的顶点的数量为指定数量。
[0007]例如，在本公开至少一个实施例提供的晶圆缺陷定位方法中，分别计算每个分区的关键点的转换矩阵，包括：对于任一顶点，选择与该顶点相邻的至少两个晶粒标记点和/或缺陷；获取该顶点以及所选择的晶粒标记点和/或缺陷在复检坐标系下的复检坐标；以及通过该顶点以及所选择的晶粒标记点和/或缺陷的初检坐标和复检坐标，计算该顶点的转换矩阵。
[0008]例如，在本公开至少一个实施例提供的晶圆缺陷定位方法中，选择与该顶点相邻的至少两个晶粒标记点和/或缺陷，包括：在选择与该顶点相邻的至少两个晶粒标记点的情况下，选择与该顶点所在晶粒相邻的至少两个晶粒中的晶粒标记点；在选择与该顶点相邻
的至少两个缺陷时，选择与该顶点靠近的至少两个缺陷；在选择与该顶点相邻的至少两个晶粒标记点和缺陷的情况下，在与该顶点所在晶粒相邻的至少一个晶粒中选取晶粒标记点，在与该顶点靠近的至少一个缺陷中选择缺陷。
[0009]例如，在本公开至少一个实施例提供的晶圆缺陷定位方法中，获取该顶点以及所选择的晶粒标记点和/或缺陷在复检坐标系下的复检坐标，包括：将该顶点以及所选择的晶粒标记点和/或缺陷移动至复检设备的视野中心，得到该顶点以及所选择的晶粒标记点和/或缺陷在复检坐标系下的复检坐标；通过该顶点以及所选择的晶粒标记点和/或缺陷的初检坐标和复检坐标，计算该顶点的转换矩阵，包括：通过该顶点以及所选择的晶粒标记点和/或缺陷的初检坐标和复检坐标，基于线性转换算法计算该顶点的转换矩阵。
[0010]例如，在本公开至少一个实施例提供的晶圆缺陷定位方法中，多边形单元为矩形单元。
[0011]例如，在本公开至少一个实施例提供的晶圆缺陷定位方法中，基于该分区的关键点的转换矩阵，通过线性插值算法得到该分区中除关键点外任一点的转换矩阵。
[0012]例如，在本公开至少一个实施例提供的晶圆缺陷定位方法中，线性插值算法为二维线性插值算法；每个分区与相邻的分区具有公共边，多个分区形成的整体区域包含所有的晶粒。
[0013]本公开至少一个实施例还提供另一种晶圆缺陷定位方法，包括：使用上述的晶圆缺陷定位方法获取第一晶圆上缺陷对应的第一转换矩阵，在第一晶圆上选择第一标志点并获取第一标志点在复检坐标系的第一坐标，第一标志点为至少三个晶粒标记点；获取第二晶圆上与第一晶圆的第一标志点相同位置的第二标志点在复检坐标系的第二坐标，其中，第二晶圆与第一晶圆经相同初检设备进行初检且第二晶圆为第一晶圆的同类晶圆；根据第一坐标和第二坐标获取第一晶圆和第二晶圆上片后二者的坐标偏差，根据坐标偏差和第一转换矩阵获取第二晶圆上缺陷的转换矩阵，根据第二晶圆上缺陷的转换矩阵获取对应的复检坐标。
[0014]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
[0015]本公开的晶圆缺陷定位方法具有如下有益效果：
[0016]该晶圆缺陷定位方法可以降低初检设备和复检设备存在的非线性误差对晶圆缺陷定位的影响，实现晶圆缺陷的精确定位。
附图说明
[0017]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显。
[0018]图1为本公开至少一个实施例提供的一种晶圆缺陷定位方法的示意性流程图；
[0019]图2为本公开至少一个实施例提供的步骤S103的示意性流程图；
[0020]图3为本公开至少一个实施例提供的一种晶圆划分的示例性示意图；
[0021]图4为通过二维线性插值算法计算转换矩阵的示例性示意图；
[0022]图5为本公开至少一个实施例提供的晶圆缺陷定位设备的示意框图；
[0023]图6为本公开一些实施例提供的一种电子设备的示意框图。
具体实施方式
[0024]为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0025]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、臼左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0026]现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆缺陷定位方法，其特征在于，包括：通过晶圆的缺陷检测的初检结果文件得到晶粒标记点和缺陷在初检坐标系下的初检坐标；根据所述初检坐标的坐标分布，将所述晶圆划分为多个分区，其中，各个所述分区包括指定数量的关键点，所述关键点包括所述晶粒标记点和/或所述缺陷；分别计算每个所述分区的关键点的转换矩阵，其中，所述转换矩阵用于在所述初检坐标系和复检坐标系之间的坐标转换；对于任一所述分区，基于该分区的关键点的转换矩阵得到该分区中除关键点外任一点的转换矩阵；以及通过所述缺陷的转换矩阵将所述缺陷的初检坐标转换成在所述复检坐标系下的复检坐标。2.根据权利要求1所述的晶圆缺陷定位方法，其特征在于，所述关键点位于所述分区的边线上，所述关键点的数量为至少三个，且至少三个所述关键点非位于同一直线上。3.根据权利要求1所述的晶圆缺陷定位方法，其特征在于，根据所述初检坐标的坐标分布，将所述晶圆划分为多个分区，包括：根据所述晶粒标记点和所述缺陷的初检坐标确定多个多边形单元，使所述多边形单元的任一顶点为所述晶粒标记点或所述缺陷，以将所述晶圆划分为将所述顶点作为关键点的分区，其中，各个所述分区的顶点的数量为指定数量。4.根据权利要求3所述的晶圆缺陷定位方法，其特征在于，分别计算每个所述分区的关键点的转换矩阵，包括：对于任一顶点，选择与该顶点相邻的至少两个晶粒标记点和/或缺陷；获取该顶点以及所选择的晶粒标记点和/或缺陷在所述复检坐标系下的复检坐标；以及通过该顶点以及所选择的晶粒标记点和/或缺陷的初检坐标和复检坐标，计算该顶点的转换矩阵。5.根据权利要求4所述的晶圆缺陷定位方法，其特征在于，选择与该顶点相邻的至少两个晶粒标记点和/或缺陷，包括：在选择与该顶点相邻的至少两个晶粒标记点的情况下，选择与该顶点所在晶粒相邻的至少两个晶粒中的晶粒标记点；在选择与该顶点相邻的至少两个缺陷时，选择与该顶点靠近的至少两个缺陷；在选择与该顶点相邻的至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：缪晖华，
申请(专利权)人：上海精测半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：