一种平板型整流管芯片的制备工艺制造技术

技术编号:37673059 阅读:27 留言:0更新日期:2023-05-26 04:36
本发明专利技术公开一种平板型整流管芯片的制备工艺,依据产品电参数要求,选择被扩散硅片类别,进行硅片高温涂敷杂质源操作,完成涂敷杂质源的硅片移至干净的真空烘箱中烘干待用,进行硅片扩散操作,对已经扩散的硅片进行处理,硅片扩散片电火花线切割操作,用铝箔做焊料,进行芯片整体成型焊接操作,芯片阴极表面镀铝膜,分别进行镀铝膜和铝膜合金操作;将制备平板型ZP整流管芯片硅片扩散片的4次扩散减少为2次,使硅片扩散对少子寿命的影响降到了最小,以N2保护扩散取代传统的开管无保护扩散,提升了扩散全过程的工艺卫生水平;解决了表面无金属镀层的、制备平板型ZP整流管芯片的硅片无法实施电火花线切割的技术难题。实施电火花线切割的技术难题。实施电火花线切割的技术难题。

【技术实现步骤摘要】
一种平板型整流管芯片的制备工艺


[0001]本专利技术属于芯片加工
,更具体的是一种平板型整流管芯片的制备工艺。

技术介绍

[0002]电力电子芯片按将其封装成器件的工艺分类,可分为“螺栓型”芯片和“平板型”芯片两大类。前者指以焊接工艺把导线焊接在芯片的电极上向器件外部引出的那类芯片,该类芯片通常平均通态电流不大于200A;后者指先将外引导线固定在表面光滑平整的金属压块(如铜块)上,再将金属压块以一定的压力压在芯片的电极上向器件外部引出,该类芯片通常平均通态电流不小于200A。“螺栓型”芯片和“平板型”芯片各有很多种类型,比如常见的“平板型”芯片就有平板ZP整流芯片、平板KP晶闸管芯片、平板KS双向晶闸管芯片等等

[0003]平板型ZP整流管芯片主要技术指标有:阻断电压(V
RRM
);正向平均电流(I
F(AV)
);通态峰值电压(V
F
);反向重复峰值电流(I
RRM
)等。通态峰值电压(压降)是反映芯片品质的关键电参数,其数值越小越好。理论研究表明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平板型整流管芯片的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,依据产品电参数要求,选择被扩散硅片类别,进行硅片高温涂敷杂质源操作,完成涂敷杂质源的硅片移至干净的真空烘箱中烘干待用,进行硅片扩散操作,对已经扩散的硅片进行处理;步骤二,硅片扩散片电火花线切割操作,用热探针测出已扩散硅片的N面或P面,硅片的N面或P面朝同一方向重叠,根据硅片厚度确定硅片片数,每隔5—10片硅片,夹一张直径略大于硅片直径的铝箔,将重叠好的硅片用夹具固定在数控电火花线切割机床的坐标工作台上,校正切入点,启动线切割机床,调整切割电流,切下的芯片,用洗衣粉溶液清洗,再经过自来水冲洗和酒精脱水后烘干待用;步骤三,用铝箔做焊料,进行芯片整体成型焊接操作;步骤四,芯片阴极表面镀铝膜,分别进行镀铝膜和铝膜合金操作;步骤五,芯片台面造型操作;步骤六,芯片台面酸洗造型;步骤七,芯片台面保护,即表面钝化和硅橡胶涂抹操作;步骤八,对芯片进行电参数检测操作。2.根据权利要求1所述的一种平板型整流管芯片的制备工艺,其特征在于,选择被扩散硅片类别时,对选择的硅片进行超声清洗去砂操作,硅片煮洗后浸泡王水,后用去离子水冲洗,再用热去离子水冲洗,进行烘干操作后,装入烧杯内储存,用滤纸盖住杯口放入160℃烘箱加热待用。3.根据权利要求2所述的一种平板型整流管芯片的制备工艺,其特征在于,进行硅片高温涂敷杂质源操作,从烘箱中取出达到热平衡的装载硅片的烧杯,将其置于160℃的加热装置上进行保温,从烧杯中取出硅片,且每次取1片,将硅片放在涂源装置的卡座上,启动并调节调速电机,使其转速在每分钟100转左右,左手执滴管,从事先配置的液态杂质源杯中吸取液态杂质源,滴若干滴在旋转的硅片的表面上,右手执毛笔将液态杂质源均匀的涂敷于硅片上。4.根据权利要求1所述的一种平板型整流管芯片的制备工艺,其特征在于,进行硅片扩散操作时,进行硅片扩散工艺温度曲线的设计,扩散炉通电预热,当扩散炉温度达200℃时,向石英管内通入N2(1.5L/min),完成涂敷杂质源的硅片装入石英舟,当扩散炉温度达300℃时,将石英舟置于石英管口预热,当扩散炉温度达800℃时,石英舟推入扩散炉的恒温区,当扩散炉温度达1250℃时,保持恒温30

36小时,扩散炉按扩散工艺温度曲线进行降温操作,当扩散炉温度降至400℃时,关闭N2输入,当扩散炉温度降至200℃时,断电、硅片出炉。5.根据权利要求1所述的一种平板型整流管芯片的制备工艺,其特征在于,对已经扩散的硅片进行处理操作时,已扩散的硅片用HF浸泡24

48小时后,用自来水对其进行冲洗,再进行喷砂操作,除去硅片表面玻璃体,利用超声波清洗除去硅片表面金刚砂,对硅片取样测参数,进入二次扩散清洗,重复上述的扩散工艺流程,二次扩散的硅片经过超声波清洗后,烘干待用。6.根据权利要求1所述的一种平板型整流管芯片的制备工艺,其特征在于,芯片阴极表面镀铝膜操作时,镀铝膜工艺流程,计算芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员:洪忠健洪藏华
申请(专利权)人:黄山市恒悦电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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