用于晶圆级封装的共晶键合方法技术

本发明专利技术提供一种用于晶圆级封装的共晶键合方法，所述共晶键合方法包括：提供一第一晶圆，于所述第一晶圆上形成第一膜层，所述第一膜层包含第一金属和第二金属，并且所述第一膜层的最表层由所述第一金属构成，所述第一金属与所述第二金属相比具有更强的抗氧化性；提供一第二晶圆，于所述第二晶圆上形成第二膜层，所述第二膜层的表层由所述第一金属构成；使所述第一膜层和所述第二膜层中的所述第一金属与所述第二金属之间发生共晶键合，以形成所述第一金属和所述第二金属组成的共晶键合层。本发明专利技术可减轻共晶键合工艺中氧化膜的形成，可提高键合结构的质量，并且有利于键合条件和结果的可控性。的可控性。的可控性。

【技术实现步骤摘要】
用于晶圆级封装的共晶键合方法


[0001]本专利技术属于半导体工艺领域中键合技术，特别是涉及一种用于晶圆级封装的共晶键合方法。

技术介绍

[0002]微机电系统(Micro
‑
Electro Mechanical System；MEMS)的飞速发展对芯片键合技术和器件封装工艺提出了越来越高的要求。目前，MEMS的键合技术正在朝着低温、无助焊剂的方向发展，其中共晶键合技术由于具有键合速度快、操作温度低、机械强度高、及可采用倒装键合等特点，尤其是基于铝及锗的共晶键合技术具有与CMOS兼容、对键合界面的粗糙度不敏感等优势，经常用于晶圆级封装中。特别地，在用于加速度计、陀螺仪以及压力传感器等MEMS传感器的晶圆级封装中，共晶键合技术已成为MEMS器件开发和运用的关键技术。
[0003]然而，在诸如铝、锌之类的共晶键合工艺中常用的材料存在化学性质比较活泼，容易在表面会形成氧化膜，此种氧化膜会在后续的共晶键合工艺中阻止键合金属间的互溶，从而造成对键合质量的影响，使键合条件和结果的可控性变差。在现有的解决方案中，通常是在执行键合工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆级封装的共晶键合方法，其特征在于，所述共晶键合方法包括步骤：提供一第一晶圆，于所述第一晶圆上形成第一膜层，所述第一膜层包含第一金属和第二金属，并且所述第一膜层的最表层由所述第一金属构成，所述第一金属与所述第二金属相比具有更强的抗氧化性；提供一第二晶圆，于所述第二晶圆上形成第二膜层，所述第二膜层的表层由所述第一金属构成；使所述第一膜层的键合面与所述第二膜层的键合面对准并接触，以及使所述第一膜层和所述第二膜层中的所述第一金属与所述第二金属之间发生共晶键合，以形成所述第一金属和所述第二金属组成的共晶键合层。2.根据权利要求1所述的共晶键合方法，其特征在于：所述第一金属包括锗、锡、铂或金中的一种，所述第二金属包括铝、铜、锌、钛或铬中的一种。3.根据权利要求1所述的共晶键合方法，其特征在于，所述共晶键合方法还包括：在使所述第一金属与所述第二金属之间发生共晶键合之前，通过等离子体刻蚀工艺图形化所述第一膜层和所述第二膜层的至少一者，以在所述第一晶圆上形成多个第一图形化区段或/及在所述第二晶圆上形成多个第二图形化区段。4.根据权利要求1所述的共晶键合方法，其特征在于，所述共晶键合方法还包括：在使所述第一金属与所述第二金属之间发生共晶键合之前，通过等离子体刻蚀工艺图形化所述第一膜层和所述第二膜层，在所述第一晶圆上形成多个第一图形化区段和在所述第二晶圆上形成多个第二图形化区段，每个第一图形化区段与相应的第二图形化区段对准。5.根据权利要求1所述的共晶键合方法，其特征在于，所述第一膜层是第一金属层和第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭鑫林，季宇成，郭松，冯刘昊东，陈朔，王诗男，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：