半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括有源区和隔离区；在衬底上形成浮栅极结构材料层；去除隔离区上的浮栅极结构材料层，在有源区上形成浮栅极结构，并在相邻浮栅极结构之间形成第一凹槽，所述第一凹槽暴露出隔离区表面；形成第二凹槽和侧墙结构，所述侧墙结构位于第一凹槽侧壁表面，所述第二凹槽位于所述第一凹槽底部的隔离区内；氧化所述侧墙结构和第二凹槽侧壁表面和底部表面，在第一凹槽侧壁表面形成第一内衬层，在第二凹槽侧壁表面和底部表面形成第二内衬层；形成第一内衬层和第二内衬层之后，在第一凹槽内和第二凹槽内形成隔离结构。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。构性能得到提升。构性能得到提升。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]快闪存储器(flash memory)，是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。
[0003]现有的快闪存储器形成过程还有待改善。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以改善现有的快闪存储器形成过程。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括有源区和隔离区；在衬底上形成浮栅极结构材料层；去除隔离区上的浮栅极结构材料层，在有源区上形成浮栅极结构，并在相邻浮栅极结构之间形成第一凹槽，所述第一凹槽暴露出隔离区表面；形成第二凹槽和侧墙结构，所述侧墙结构位于第一凹槽侧壁表面，所述第二凹槽位于所述第一凹槽底部的隔离区内；氧化所述侧墙结构和第二凹槽侧壁表面和底部表面，在第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括有源区和隔离区；在衬底上形成浮栅极结构材料层；去除隔离区上的浮栅极结构材料层，在有源区上形成浮栅极结构，并在相邻浮栅极结构之间形成第一凹槽，所述第一凹槽暴露出隔离区表面；形成第二凹槽和侧墙结构，所述侧墙结构位于第一凹槽侧壁表面，所述第二凹槽位于所述第一凹槽底部的隔离区内；氧化所述侧墙结构和第二凹槽侧壁表面和底部表面，在第一凹槽侧壁表面形成第一内衬层，在第二凹槽侧壁表面和底部表面形成第二内衬层；形成第一内衬层和第二内衬层之后，在第一凹槽内和第二凹槽内形成隔离结构。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二凹槽和侧墙结构的形成方法包括：在第一凹槽侧壁表面形成侧墙材料层；回刻蚀所述侧墙材料层，在第一凹槽侧壁表面形成初始侧墙结构；以所述初始侧墙结构为掩膜刻蚀所述隔离区，在隔离区内形成第二凹槽，并在第一凹槽侧壁表面形成侧墙结构，所述侧墙结构位于浮栅极结构侧壁表面。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述初始侧墙结构为掩膜刻蚀所述隔离区的工艺包括干法刻蚀工艺。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙结构的材料包括氮化硅；所述第一内衬层和第二内衬层的材料包括氧化硅。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，氧化所述侧墙结构和第二凹槽侧壁表面和底部表面的工艺包括原位水汽生成工艺；所述原位水汽生成工艺的参数包...

【专利技术属性】
技术研发人员：季爱艳，孙访策，曹子贵，黄冲，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：