绝缘体上半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种绝缘体上半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：获取晶圆；所述晶圆包括衬底和衬底上的绝缘层；对所述绝缘层进行图案化处理，形成相互连通并将所述衬底露出的沟槽阵列，所述沟槽阵列将所述绝缘层分割为多个块状结构；在所述衬底和绝缘层上形成外延层，所述外延层覆盖所述衬底和所述半导体层。本发明专利技术通过沟槽阵列将绝缘层分割为多个块状结构，可以减小绝缘层对衬底的应力。并且外延层与衬底连接在一起，可以进一步减小晶圆的应力，还可以将衬底电位从晶圆上表面引出。还可以将衬底电位从晶圆上表面引出。还可以将衬底电位从晶圆上表面引出。

【技术实现步骤摘要】
绝缘体上半导体结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种绝缘体上半导体结构，还涉及一种绝缘体上半导体结构的制造方法。

技术介绍

[0002]SOI(Silicon on Insulator)指绝缘体上硅技术。SOI工艺技术是一种全介质隔离技术，其将器件做在顶层硅膜上，顶层硅膜和衬底之间有一层氧化层作为隔离。该技术彻底消除了传统体硅工艺的闩锁效应，寄生电容小，具有高速、低功耗、高集成度以及高可靠性等优点。因此，SOI衬底越来越广泛的应用在集成电路工艺中，其体内埋氧层(BOX)的存在使工艺可靠性得到大大的提升。
[0003]然而，随着集成器件的耐压的提升，需要埋氧层厚度和埋氧层上的顶层硅厚度相应地增厚，这样会引来埋氧层、顶层硅以及顶层硅在深槽(deep trench)刻蚀工艺时的应力损伤。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要提供一种晶圆的应力较小的绝缘体上半导体结构的制造方法。
[0005]一种绝缘体上半导体结构的制造方法，包括：获取晶圆；所述晶圆包括衬底和衬底上的绝缘层；对所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种绝缘体上半导体结构的制造方法，包括：获取晶圆；所述晶圆包括衬底和衬底上的绝缘层；对所述绝缘层进行图案化处理，形成相互连通并将所述衬底露出的沟槽阵列，所述沟槽阵列将所述绝缘层分割为多个块状结构；在所述衬底和绝缘层上形成外延层，所述外延层覆盖所述衬底和所述半导体层。2.根据权利要求1所述的绝缘体上半导体结构的制造方法，其特征在于，获取的晶圆还包括所述绝缘层上的半导体层；所述对所述绝缘层进行图案化处理的步骤，包括对所述绝缘层和半导体层进行图案化处理，所述沟槽阵列将所述半导体层和绝缘层分割为多个块状结构；所述在所述衬底和绝缘层上形成外延层的步骤包括在所述衬底和半导体层上外延形成外延层，所述外延层将所述衬底和所述半导体层直接连接。3.根据权利要求2所述的绝缘体上半导体结构的制造方法，其特征在于，所述衬底、半导体层及外延层的材料均包括硅，所述绝缘体上半导体结构是绝缘体上硅结构。4.根据权利要求1所述的绝缘体上半导体结构的制造方法，其特征在于，所述绝缘层为埋氧层。5.根据权利要求2所述的绝缘体上半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：何乃龙，张森，宋华，顾炎，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：